发明授权
- 专利标题： 纳米尺寸的线距标准样片及其制备方法
-
申请号： CN201911226284.5申请日： 2019-12-04
-
公开(公告)号： CN111128964B公开(公告)日： 2021-10-01
- 发明人: 赵琳 , 徐森锋 , 梁法国 , 李锁印 , 韩志国 , 许晓青 , 冯亚南 , 张晓东 , 吴爱华
- 申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 申请人地址： 河北省石家庄市合作路113号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 当前专利权人地址： 河北省石家庄市合作路113号
- 代理机构： 石家庄国为知识产权事务所
- 代理商 郝晓红
- 主分类号： H01L23/544
- IPC分类号： H01L23/544 ; H01L21/48
摘要：
本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种纳米尺寸的线距标准样片，包括基板和设置于所述基板上的光栅图形区，还包括位于所述光栅图形区外的三级光栅循迹标志，通过三级循迹标志可以快速准确找到光栅有效区域，解决现有标准样片无法快速找到有效区域的问题。本发明纳米尺寸的线距标准样片的制备方法采用电子束光刻和投影光刻两种工艺，将光栅和循迹标志精确刻画在样片上，保障校准测量仪器的准确性。
公开/授权文献
- CN111128964A 线距标准样片及其制备方法 公开/授权日：2020-05-08
IPC分类:
