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公开(公告)号:CN118019205A
公开(公告)日:2024-05-10
申请号:CN202410032222.5
申请日:2024-01-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种用于提高功率放大器散热的垫片、制作方法及电子器件。该垫片包括:热沉、空芯电感和引脚焊盘;热沉通过空芯电感与引脚焊盘连接;热沉用于与功率放大器芯片的主体烧结连接,引脚焊盘用于与功率放大器芯片的引脚烧结连接;热沉、空芯电感和引脚焊盘均固定于电路板上。由于放大功率放大器芯片的接地衬底不能直接和其引脚互连,因此,在垫片的热沉和引脚焊盘之间通过空芯电感连接,保证微波信号的正常传输。将功率放大器芯片通过垫片装配到底板上,无需将电路板挖槽,避免电路板的应用面积浪费。本发明实施例能够在保证微波信号的正常传输以及避免电路板的应用面积浪费的情况下提高功率放大器的散热。
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公开(公告)号:CN117641708A
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN202311297552.9
申请日:2023-12-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种相控阵天线及合成功分网络一体化印制板及制作方法。该相控阵天线及合成功分网络一体化印制板包括:包括相控阵天线子板、TR电源控制子板和TR功分/合成网络子板;相控阵天线子板置于TR电源控制子板上,TR电源控制子板置于TR功分/合成网络子板上,相控阵天线子板、TR电源控制子板和TR功分/合成网络子板之间通过半固化片PP层压合;相控阵天线子板、TR电源控制子板和TR功分/合成网络子板中设有金属化孔,金属化孔用于传输信号或作为地孔。本发明能够减少相控阵系统的传输损耗,简化连接方式、降低成本、减小相控阵系统的体积。
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公开(公告)号:CN117176161A
公开(公告)日:2023-12-05
申请号:CN202310993079.1
申请日:2023-08-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor: 陈茂林 , 赵强 , 张越成 , 耿同贺 , 黄从喜 , 姜兆国 , 孙建才 , 王朋 , 白银超 , 陈君涛 , 高晓强 , 宋学峰 , 许向前 , 王鑫 , 潘海波 , 王嘉政
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明提供一种采样率转换装置及方法。该装置包括:积分单元、第一路插值单元、第二路插值单元、第一路微分单元、第二路微分单元、选择单元;积分单元、第一路插值单元、第一路微分单元形成第一采样率转换通道;积分单元、第二路插值单元、第二路微分单元形成第二采样率转换通道;第一路插值单元用于使第一采样率转换通道输出基于原降采样率对原采样数据序列进行降采样处理后的数据;第二路插值单元用于使第二采样率转换通道输出基于新降采样率对原采样数据序列进行降采样处理后的数据;选择单元用于将采样率转换装置的输出由第一采样率转换通道切换为第二采样率通道。本发明能够简化Q阶数据进行降采样率处理时的输出控制逻辑。
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公开(公告)号:CN111029312A
公开(公告)日:2020-04-17
申请号:CN201911155125.0
申请日:2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/768 , H01L23/367 , H01L23/48 , H01L25/18
Abstract: 本发明公开了一种气密封装器件及气密封装方法,气密封装器件包括:下封装结构包括第一陶瓷基板,第一陶瓷基板设有第一通孔,第一通孔内的金属记为第一金属柱;第一芯片,设置在第一陶瓷基板上,第一芯片的焊盘与第一金属柱相连;中间封装结构,设置在下封装结构上,包括第二陶瓷基板,第二陶瓷基板设有第二通孔,第二通孔内的金属记为第二金属柱;第二芯片,设置在第二陶瓷基板上,第二芯片的焊盘与第二金属柱相连,连接第二芯片的第二金属柱通过导电结构与第一芯片或所述第一金属柱相连;上封装结构,设置在中间封装结构上。本发明形成垂直的两个封装腔,敏感元件单独存放,避免了二次封装,提高了集成度。
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公开(公告)号:CN114927864B
公开(公告)日:2023-06-20
申请号:CN202210495013.5
申请日:2022-05-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种自双工天线,包括由上层介质基板和下层介质基板形成的堆叠结构、设置在上层介质基板和下层介质基板之间的金属层以及设置在上层介质基板上表面的方形覆铜区域,方形覆铜区域刻蚀有条状缝隙和金属通孔阵列,条状缝隙与方形覆铜区域的对角线平行,且条状缝隙一端开口、一端闭合,金属通孔阵列分布于方形覆铜区域远离条状缝隙的两边;通过条状缝隙和金属通孔阵列构成1/4模基片集成波导,相比较其他基于SIW和HMSIW结构设计的自双工天线,本发明能够有效减小天线的尺寸。
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公开(公告)号:CN114927864A
公开(公告)日:2022-08-19
申请号:CN202210495013.5
申请日:2022-05-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种自双工天线,包括由上层介质基板和下层介质基板形成的堆叠结构、设置在上层介质基板和下层介质基板之间的金属层以及设置在上层介质基板上表面的方形覆铜区域,方形覆铜区域刻蚀有条状缝隙和金属通孔阵列,条状缝隙与方形覆铜区域的对角线平行,且条状缝隙一端开口、一端闭合,金属通孔阵列分布于方形覆铜区域远离条状缝隙的两边;通过条状缝隙和金属通孔阵列构成1/4模基片集成波导,相比较其他基于SIW和HMSIW结构设计的自双工天线,本发明能够有效减小天线的尺寸。
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公开(公告)号:CN111029312B
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN201911155125.0
申请日:2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/768 , H01L23/367 , H01L23/48 , H10D80/20
Abstract: 本发明公开了一种气密封装器件及气密封装方法,气密封装器件包括:下封装结构包括第一陶瓷基板,第一陶瓷基板设有第一通孔,第一通孔内的金属记为第一金属柱;第一芯片,设置在第一陶瓷基板上,第一芯片的焊盘与第一金属柱相连;中间封装结构,设置在下封装结构上,包括第二陶瓷基板,第二陶瓷基板设有第二通孔,第二通孔内的金属记为第二金属柱;第二芯片,设置在第二陶瓷基板上,第二芯片的焊盘与第二金属柱相连,连接第二芯片的第二金属柱通过导电结构与第一芯片或所述第一金属柱相连;上封装结构,设置在中间封装结构上。本发明形成垂直的两个封装腔,敏感元件单独存放,避免了二次封装,提高了集成度。
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公开(公告)号:CN115633501A
公开(公告)日:2023-01-20
申请号:CN202211327246.0
申请日:2022-10-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明提供一种微波屏蔽装置及微波组件。该装置包括:金属外框,至少一个设于金属外框内部的金属隔离墙。金属隔离墙将金属外框的内部隔离为多个互不连通的区域。金属外框与金属隔离墙为可拆卸连接。金属外框朝向开口方向的其中一端设有第一金属屏蔽盖。金属外框与第一金属屏蔽盖为可拆卸连接。金属外框、金属隔离墙和第一金属屏蔽盖构成多个开口腔体。本发明能够通过金属外框与至少一个金属隔离墙构成多个互不连通的隔离区域。金属隔离墙为可拆卸结构。微波屏蔽装置可用于组装微波组件。后期微波组件调试中,可通过拆装金属隔离墙实现调试,适用于微波组件的后期调试。
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公开(公告)号:CN112072435B
公开(公告)日:2022-04-01
申请号:CN202010819021.1
申请日:2020-08-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于射频连接技术领域,提供了一种射频电缆焊接印刷电路板的射频带线的方法,该方法包括:在印刷电路板上开设一用于容纳射频电缆的凹槽;在凹槽四周开设Via孔,将Via孔内与凹槽的侧壁上镀金属,且Via孔与射频带线地连接,凹槽的侧壁与印刷电路板内外层地连接;将射频电缆剥开,露出第一预设长度的芯线以及第二预设长度的金属外皮;将剥开的射频电缆放置于凹槽内,芯线搭接于印刷电路板的射频带线上,将金属外皮与凹槽焊接,并将芯线与射频带线焊接,从而使射频电缆和印刷电路板成水平状态,实现电缆的同轴传输到印刷电路板射频带线的水平过渡,提高传输特性。
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公开(公告)号:CN110808241B
公开(公告)日:2021-10-15
申请号:CN201910983912.8
申请日:2019-10-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种抗干扰电路封装结构,属于数字电路设计领域,包括上基板,顶面设有顶层元器件,底面设有底层元器件;下基板设于上基板底部,中部留空;金属屏蔽盖罩设于顶层元器件上,且与上基板的顶面固接。该抗干扰电路封装结构对数字电路的空间屏蔽隔离和抗干扰具有非常显著的改善作用,且体积小,有利于电路封装结构的小型化设计和应用。本发明还提供一种抗干扰电路封装结构制造方法,包括步骤:制作上基板和下基板,下基板中部留空;使上基板和下基板固接并导电连接;分别安装顶层元器件和底层元器件;将金属屏蔽盖罩设于顶层元器件上,并固接于上基板顶面上。该制造方法操作过程简单,工艺兼容性强,有利于电路封装结构的制造成本。
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