公开(公告)号：CN103378052A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210350994.0

申请日：2012-09-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨慧君 ,  陈美玲 ,  林耕竹 ,  刘中伟

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了半导体器件及其制造方法以及形成其导电部件的方法。半导体器件包括在工件上方设置的绝缘材料层。绝缘材料层包含具有约13％以上的碳(C)的含硅材料。导电部件设置在绝缘材料层内。导电部件包括在其顶面上设置的保护层。

公开(公告)号：CN103227145A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310035409.2

申请日：2013-01-30

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： E·T·瑞安 ,  张洵渊

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L23/535 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供集成电路以及用于处理具有埋入特征的集成电路的方法，一种用于使埋入铜特征凹进衬底内部的工艺，以及一种用于使埋入铜互连凹进集成电路的层间介电衬底内部的工艺。在具体实施例中，一种用于使埋入铜特征凹进衬底内部的方法包括：提供有埋入铜特征配置于其中的衬底。该埋入铜特征有暴露表面以及该衬底有与该埋入铜特征的该暴露表面毗邻的衬底表面。该埋入铜特征的该暴露表面经氮化成可在该埋入铜特征中形成一层氮化铜。从该埋入铜特征选择性蚀刻氮化铜，使该埋入铜特征凹进该衬底内部。

公开(公告)号：CN101996926B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200910056517.1

申请日：2009-08-13

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 刘志纲 ,  魏峥颖 ,  赵国旭 ,  李杨枫 ,  朱国亮 ,  杨方玉

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/485 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种用于集成电路的自对准接触的方法和结构。具体地，本发明提供制造高电压集成电路器件的方法和由其制造的器件。该器件包括：包含表面区域的半导体衬底，表面区域包含耦合到高电压半导体器件的源极/漏极区域的接触区域；上覆于表面区域的氧化物；上覆于氧化物的停止层；贯穿停止层的一部分和氧化物层的一部分的第一接触开口；上覆于至少接触区域的金属硅化物层，用于形成金属硅化接触区域；上覆于金属硅化接触区域的层间电介质层，用于填充接触开口并提供上覆于停止层的材料厚度和层间电介质层表面区域。处在层间电介质层中的第二开口贯穿厚度的一部分而形成，用于暴露金属硅化接触区域的一部分和暴露停止层的一部分。

公开(公告)号：CN102938378A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201110233890.7

申请日：2011-08-16

申请人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 韩秋华 ,  王新鹏 ,  黄怡

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834

摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：在半导体衬底的有源区上形成接触刻蚀终止层，半导体衬底上形成有包括金属栅极的栅极叠层结构，接触刻蚀终止层可以包括第一氮化硅层、第一氮化硅层之下的氧化硅层以及氧化硅层之下的第二氮化硅层；以第一氮化硅层作为有源区的阻挡层，通过刻蚀形成贯穿第一氮化硅层上方的层间电介质层的接触孔；以氧化硅层作为有源区的阻挡层去除刻蚀有源区上方接触孔时，接触孔底部露出的第一氮化硅层；以第二氮化硅层作为有源区的阻挡层进行去除金属栅极上的金属氧化物的工艺。通过接触刻蚀终止层的阻挡，能够在去除金属栅极上的金属氧化物时，减少有源区表面材料的损耗，以提高半导体器件的性能。

公开(公告)号：CN101743631B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN200880024500.1

申请日：2008-07-03

申请人： 应用材料公司

发明人： J-U·许 ,  M·巴尔塞努 ,  夏立群 ,  D·威蒂 ,  H·M·塞德

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： C23C16/28 ,  C23C16/56 ,  H01L21/314 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： 本发明揭示一种形成含硼膜的方法。该方法包含：将一含硼前体导入一腔室内，以及通过热分解工艺或等离子工艺沉积一包含硼-硼键结的网络于一基板上。该网络可以被后处理，以从该网络去除氢且增加最终含硼膜的应力。该含硼膜具有介于约-10Gpa与约10Gpa之间的应力，并且可以作为硼源层或诱导伸张层。

公开(公告)号：CN101652853B

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN200880011449.0

申请日：2008-01-24

申请人： 雷斯昂公司

发明人： 约翰·M·贝丁格 ,  迈克尔·A·摩尔 ,  罗伯特·B·哈鲁克 ,  卡玛尔·塔巴塔巴依-阿拉维 ,  托马斯·E·卡兹奥尔

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/482 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/3192 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/4821 ,  H01L23/5221 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

摘要： 根据本发明的一个实施例，一种用于钝化电路装置的方法大体上包括：提供具有衬底表面的衬底；在所述衬底表面上形成电子器件；用第一电介质层覆盖所述衬底表面和电子器件。所述第一电介质层由总体上防潮材料制成，该防潮材料的湿气渗透率小于0.01克/平方米/天、吸湿性小于0.04％、介电常数小于10、介电损耗小于0.005、击穿电压强度大于8百万伏/厘米、表面电阻率大于1015欧姆-厘米、缺陷密度小于0.5/平方厘米。

公开(公告)号：CN101656229B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200910169198.5

申请日：2006-07-05

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 堀田胜彦 ,  屉原乡子

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/525

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/5258 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105

摘要： 为了简化多级Cu互连的双大马士革形成步骤，省略了在光致抗蚀剂膜之下形成抗反射膜的步骤。具体地描述，利用形成在层间绝缘膜上方的光致抗蚀剂膜作为掩膜，干法蚀刻层间绝缘膜，以及通过在层间绝缘膜中形成的停止膜的表面处终止蚀刻，形成互连沟槽。停止膜由具有低的光学反射率的SiCN膜制成，由此使得当对光致抗蚀剂膜进行曝光时将停止膜用作抗反射膜。

公开(公告)号：CN102017089A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115582.5

申请日：2009-04-06

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： S·M·李 ,  Y-w·李 ,  谢美晔 ,  夏立群 ,  D·R·威蒂

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/02074 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886

摘要： 所提供为一种处理基板的方法与设备。处理基板的方法包含：提供一含有导电材料的基板；在导电材料上执行一前处理工艺；流入一硅系化合物至该导电材料上，以形成一硅化物层；在该硅化物层上执行一后处理工艺；以及沉积一阻障介电层在该基板上。

公开(公告)号：CN101507374B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200780031365.9

申请日：2007-08-24

申请人： 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

发明人： 大见忠弘

IPC分类号： H01L23/525

CPC分类号： H01L23/5222 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/024 ,  H05K3/467 ,  H05K3/4688 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的半导体装置以及多层布线基板中，在多层布线结构所包含的第一布线层与第二布线层之间介入相对介电常数平均在2.5以下的气体或者绝缘物。在第一布线层中的布线与第二布线层中的布线之间设置导电连接体，在第一布线层中的规定的布线与第二布线层中的规定的布线之间设置相对介电常数在5以下的绝缘物热传导体。

公开(公告)号：CN1922731B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200480042133.X

申请日：2004-04-30

申请人： 富士通半导体股份有限公司

发明人： 永井孝一

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01G4/33

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 形成铁电电容器(1)之后，在形成成为焊盘的布线(15)之前，形成氧化铝膜(11)作为抑制氢和水分扩散的扩散抑制膜。此后，形成布线(15)，再在其上形成SOG膜(16)。然后在SOG膜16上形成氮化硅膜(17)。