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公开(公告)号：CN101996926B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN200910056517.1
申请日：2009-08-13
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/28 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/28518 , H01L21/76832 , H01L23/485 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种用于集成电路的自对准接触的方法和结构。具体地，本发明提供制造高电压集成电路器件的方法和由其制造的器件。该器件包括：包含表面区域的半导体衬底，表面区域包含耦合到高电压半导体器件的源极/漏极区域的接触区域；上覆于表面区域的氧化物；上覆于氧化物的停止层；贯穿停止层的一部分和氧化物层的一部分的第一接触开口；上覆于至少接触区域的金属硅化物层，用于形成金属硅化接触区域；上覆于金属硅化接触区域的层间电介质层，用于填充接触开口并提供上覆于停止层的材料厚度和层间电介质层表面区域。处在层间电介质层中的第二开口贯穿厚度的一部分而形成，用于暴露金属硅化接触区域的一部分和暴露停止层的一部分。
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公开(公告)号：CN101996926A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910056517.1
申请日：2009-08-13
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/28 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/28518 , H01L21/76832 , H01L23/485 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种用于集成电路的自对准接触的方法和结构。具体地，本发明提供制造高电压集成电路器件的方法和由其制造的器件。该器件包括：包含表面区域的半导体衬底，表面区域包含耦合到高电压半导体器件的源极/漏极区域的接触区域；上覆于表面区域的氧化物；上覆于氧化物的停止层；贯穿停止层的一部分和氧化物层的一部分的第一接触开口；上覆于至少接触区域的金属硅化物层，用于形成金属硅化接触区域；上覆于金属硅化接触区域的层间电介质层，用于填充接触开口并提供上覆于停止层的材料厚度和层间电介质层表面区域。处在层间电介质层中的第二开口贯穿厚度的一部分而形成，用于暴露金属硅化接触区域的一部分和暴露停止层的一部分。
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公开(公告)号：CN101154616A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200610116858.X
申请日：2006-09-30
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76232 , H01L21/7621
摘要： 一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括如下步骤：在半导体基板上依次形成垫氧化层和腐蚀阻挡层，并依次定义腐蚀阻挡层、垫氧化层和半导体基板，形成沟槽；在沟槽表面形成衬氧化层；形成填满沟槽并覆盖垫氧化层侧壁和腐蚀阻挡层的隔离氧化层；平坦化隔离氧化层，直至曝露出腐蚀阻挡层表面；依次去除半导体基板上的腐蚀阻挡层和垫氧化层；在半导体基板和隔离氧化层上形成旋制氧化层，填满沟槽隔离结构侧壁的凹陷；去除旋制氧化层，直至曝露出半导体基板和隔离氧化层。本发明的沟槽隔离结构的形成方法避免了形成的沟槽侧壁凹陷的缺陷。
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公开(公告)号：CN100449729C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200610116858.X
申请日：2006-09-30
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76232 , H01L21/7621
摘要： 一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括如下步骤：在半导体基板上依次形成垫氧化层和腐蚀阻挡层，并依次定义腐蚀阻挡层、垫氧化层和半导体基板，形成沟槽；在沟槽表面形成衬氧化层；形成填满沟槽并覆盖垫氧化层侧壁和腐蚀阻挡层的隔离氧化层；平坦化隔离氧化层，直至曝露出腐蚀阻挡层表面；依次去除半导体基板上的腐蚀阻挡层和垫氧化层；在半导体基板和隔离氧化层上形成旋制氧化层，填满沟槽隔离结构侧壁的凹陷；去除旋制氧化层，直至曝露出半导体基板和隔离氧化层。本发明的沟槽隔离结构的形成方法避免了形成的沟槽侧壁凹陷的缺陷。
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