公开(公告)号：CN101996926B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200910056517.1

申请日：2009-08-13

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 刘志纲 ,  魏峥颖 ,  赵国旭 ,  李杨枫 ,  朱国亮 ,  杨方玉

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/485 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种用于集成电路的自对准接触的方法和结构。具体地，本发明提供制造高电压集成电路器件的方法和由其制造的器件。该器件包括：包含表面区域的半导体衬底，表面区域包含耦合到高电压半导体器件的源极/漏极区域的接触区域；上覆于表面区域的氧化物；上覆于氧化物的停止层；贯穿停止层的一部分和氧化物层的一部分的第一接触开口；上覆于至少接触区域的金属硅化物层，用于形成金属硅化接触区域；上覆于金属硅化接触区域的层间电介质层，用于填充接触开口并提供上覆于停止层的材料厚度和层间电介质层表面区域。处在层间电介质层中的第二开口贯穿厚度的一部分而形成，用于暴露金属硅化接触区域的一部分和暴露停止层的一部分。

公开(公告)号：CN101996926A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200910056517.1

申请日：2009-08-13

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 刘志纲 ,  魏峥颖 ,  赵国旭 ,  李杨枫 ,  朱国亮 ,  杨方玉

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/485 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种用于集成电路的自对准接触的方法和结构。具体地，本发明提供制造高电压集成电路器件的方法和由其制造的器件。该器件包括：包含表面区域的半导体衬底，表面区域包含耦合到高电压半导体器件的源极/漏极区域的接触区域；上覆于表面区域的氧化物；上覆于氧化物的停止层；贯穿停止层的一部分和氧化物层的一部分的第一接触开口；上覆于至少接触区域的金属硅化物层，用于形成金属硅化接触区域；上覆于金属硅化接触区域的层间电介质层，用于填充接触开口并提供上覆于停止层的材料厚度和层间电介质层表面区域。处在层间电介质层中的第二开口贯穿厚度的一部分而形成，用于暴露金属硅化接触区域的一部分和暴露停止层的一部分。