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公开(公告)号：CN101866866B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201010162093.X
申请日：2010-04-15
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/485
CPC分类号： H01L23/50 , H01L22/32 , H01L23/3192 , H01L23/4827 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/02166 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48624 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/05042 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 在当前LSI或者半导体集成电路器件制造工艺中，在组装器件的步骤(比如树脂密封步骤)之后通常为在高温度(比如近似范围从85℃至130℃)和高湿度(比如约为80％RH)的环境中的电压施加测试(高温度和高湿度测试)。对于该测试，本发明的发明人在高温度和高湿度测试期间发现作为抗反射膜的氮化钛膜从上方膜出现分离以及在施加有正电压的基于铝的键合焊盘的上表面的边缘部分在氮化钛膜中生成裂缝这一现象，该现象归因于由潮气经过密封树脂等侵入生成氮化钛膜的氧化和膨胀引起的电化学反应。本申请的一项发明在于在基于铝的键合焊盘的外围区域以环或者缝形状去除焊盘之上的氮化钛膜。
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公开(公告)号：CN101656229B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200910169198.5
申请日：2006-07-05
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L23/525
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L21/76808 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76841 , H01L21/76895 , H01L21/823871 , H01L23/5258 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/53209 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L24/11 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105
摘要： 为了简化多级Cu互连的双大马士革形成步骤，省略了在光致抗蚀剂膜之下形成抗反射膜的步骤。具体地描述，利用形成在层间绝缘膜上方的光致抗蚀剂膜作为掩膜，干法蚀刻层间绝缘膜，以及通过在层间绝缘膜中形成的停止膜的表面处终止蚀刻，形成互连沟槽。停止膜由具有低的光学反射率的SiCN膜制成，由此使得当对光致抗蚀剂膜进行曝光时将停止膜用作抗反射膜。
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公开(公告)号：CN106252274B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201610384198.7
申请日：2016-06-02
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/336 , H01L21/677
摘要： 提供一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：制备在背表面上具有氮化硅膜的半导体衬底；在半导体衬底的主表面上形成具有通路孔的层间绝缘膜；以及在通路孔中选择性地形成通路填充物。该方法还包括以下步骤：执行晶圆背表面清洗以暴露半导体衬底的背表面上形成的氮化硅膜的表面；且随后，在半导体衬底的主表面之上的层间绝缘膜以及通路填充物上形成由化学增强型抗蚀剂制成的光致抗蚀剂膜，其中半导体衬底存储在具有1000μg/m3或以下的铵离子浓度的气氛中。
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公开(公告)号：CN106252274A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610384198.7
申请日：2016-06-02
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/336 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/76879 , H01L21/0206 , H01L21/02074 , H01L21/0209 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/3212 , H01L21/76808 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L23/485 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/53295 , H01L29/66477 , H01L29/6659 , H01L21/768 , H01L21/677 , H01L21/76802 , H01L21/76877
摘要： 提供一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：制备在背表面上具有氮化硅膜的半导体衬底；在半导体衬底的主表面上形成具有通路孔的层间绝缘膜；以及在通路孔中选择性地形成通路填充物。该方法还包括以下步骤：执行晶圆背表面清洗以暴露半导体衬底的背表面上形成的氮化硅膜的表面；且随后，在半导体衬底的主表面之上的层间绝缘膜以及通路填充物上形成由化学增强型抗蚀剂制成的光致抗蚀剂膜，其中半导体衬底存储在具有1000μg/m3或以下的铵离子浓度的气氛中。
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公开(公告)号：CN104779173A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510018698.4
申请日：2015-01-14
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L23/485
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L21/0217 , H01L21/02178 , H01L21/02244 , H01L21/02252 , H01L21/02271 , H01L21/321 , H01L21/76801 , H01L21/76834 , H01L21/76838 , H01L22/14 , H01L23/528 , H01L23/53214 , H01L23/53223 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/85 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L2224/02166 , H01L2224/05624 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/43 , H01L2224/4502 , H01L2224/45144 , H01L2224/85375 , H01L2924/00014 , H01L2924/013 , H01L2924/01014
摘要： 本发明公开了一种提高半导体器件特性的方法。在含有铝的最上层布线M4上的保护膜PRO上，形成开口部OA1使布线M4的焊接区域PD1露出，并在露出的布线M4的表面上形成氮化铝。接着，在具有所述布线M4的半导体衬底的背面形成氮化硅膜。如上所述，通过在焊接区域PD1上设置氮化铝膜M4e，便可防止因半导体衬底背面的氮化硅膜引起的在焊接区域PD1上产生异物的现象。尤其在焊接区域PD1的形成工序之后，即使至检查工序及焊接工序为止还需要时间，也可防止在焊接区域PD1中异物的生成反应，从而提高半导体器件的特性。
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公开(公告)号：CN104835795A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510145695.7
申请日：2010-04-15
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/50 , H01L22/32 , H01L23/3192 , H01L23/4827 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/02166 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48624 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/05042 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 一种半导体器件，其包括：半导体衬底；多层接线层，形成在所述半导体衬底之上；第一绝缘膜，形成在所述多层接线层之上；焊盘，形成在所述第一绝缘膜上并且由层积膜形成，所述层积膜包括第一金属膜、形成在所述第一金属膜之上的第二金属膜、以及形成在所述第二金属膜之上的第三金属膜；以及第二绝缘膜，形成在所述第一绝缘膜和所述焊盘之上，所述第二绝缘膜具有第一开口，使得所述焊盘的上表面从所述第一开口中暴露，其中，所述第三金属膜具有缝，使得在俯视图中所述缝被设置在离所述第一开口一定空间处。本申请的一项发明在于在基于铝的键合焊盘的外围区域以环或者缝形状去除焊盘之上的氮化钛膜。
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公开(公告)号：CN101866866A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010162093.X
申请日：2010-04-15
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/485
CPC分类号： H01L23/50 , H01L22/32 , H01L23/3192 , H01L23/4827 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/02166 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48624 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/05042 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 在当前LSI或者半导体集成电路器件制造工艺中，在组装器件的步骤(比如树脂密封步骤)之后通常为在高温度(比如近似范围从85℃至130℃)和高湿度(比如约为80％RH)的环境中的电压施加测试(高温度和高湿度测试)。对于该测试，本发明的发明人在高温度和高湿度测试期间发现作为抗反射膜的氮化钛膜从上方膜出现分离以及在施加有正电压的基于铝的键合焊盘的上表面的边缘部分在氮化钛膜中生成裂缝这一现象，该现象归因于由潮气经过密封树脂等侵入生成氮化钛膜的氧化和膨胀引起的电化学反应。本申请的一项发明在于在基于铝的键合焊盘的外围区域以环或者缝形状去除焊盘之上的氮化钛膜。
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