公开(公告)号：CN106252274B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201610384198.7

申请日：2016-06-02

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 前岛洁志 ,  堀越孝太郎 ,  堀田胜彦 ,  高桥敏幸 ,  越智启典 ,  庄司健一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/677

Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：制备在背表面上具有氮化硅膜的半导体衬底；在半导体衬底的主表面上形成具有通路孔的层间绝缘膜；以及在通路孔中选择性地形成通路填充物。该方法还包括以下步骤：执行晶圆背表面清洗以暴露半导体衬底的背表面上形成的氮化硅膜的表面；且随后，在半导体衬底的主表面之上的层间绝缘膜以及通路填充物上形成由化学增强型抗蚀剂制成的光致抗蚀剂膜，其中半导体衬底存储在具有1000μg/m3或以下的铵离子浓度的气氛中。

公开(公告)号：CN106252274A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610384198.7

申请日：2016-06-02

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 前岛洁志 ,  堀越孝太郎 ,  堀田胜彦 ,  高桥敏幸 ,  越智启典 ,  庄司健一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/76879 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53295 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/6659 ,  H01L21/768 ,  H01L21/677 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877

Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：制备在背表面上具有氮化硅膜的半导体衬底；在半导体衬底的主表面上形成具有通路孔的层间绝缘膜；以及在通路孔中选择性地形成通路填充物。该方法还包括以下步骤：执行晶圆背表面清洗以暴露半导体衬底的背表面上形成的氮化硅膜的表面；且随后，在半导体衬底的主表面之上的层间绝缘膜以及通路填充物上形成由化学增强型抗蚀剂制成的光致抗蚀剂膜，其中半导体衬底存储在具有1000μg/m3或以下的铵离子浓度的气氛中。