公开(公告)号：CN101656229B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200910169198.5

申请日：2006-07-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 堀田胜彦 ,  屉原乡子

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/5258 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105

Abstract: 为了简化多级Cu互连的双大马士革形成步骤，省略了在光致抗蚀剂膜之下形成抗反射膜的步骤。具体地描述，利用形成在层间绝缘膜上方的光致抗蚀剂膜作为掩膜，干法蚀刻层间绝缘膜，以及通过在层间绝缘膜中形成的停止膜的表面处终止蚀刻，形成互连沟槽。停止膜由具有低的光学反射率的SiCN膜制成，由此使得当对光致抗蚀剂膜进行曝光时将停止膜用作抗反射膜。