公开(公告)号：CN110709966B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201880015666.0

申请日：2018-01-19

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： S·梅耶 ,  H·林克 ,  M·米特斯塔德

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/469

摘要： 一种微电子器件(200)是通过在该微电子器件(200)的衬底(202)上形成含铂层(220)来形成的。盖层(232)在含铂层(220)上形成，使得盖层(232)和含铂层(220)之间的界面不含氧化铂。盖层(232)在蚀刻含铂层(220)的蚀刻溶液中也是可蚀刻的。可替代地，含铂层(200)上的氧化铂可以在形成盖层(232)之前被去除。含铂层(220)可以用于形成硅化铂(226)。可以通过在含铂层(220)的顶部表面的一部分上形成硬掩模或掩模氧化铂(264)以阻挡湿蚀刻剂来图案化含铂层(220)。

公开(公告)号：CN110571278A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910878492.7

申请日：2014-10-15

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 安藤善范 ,  宫人秀和 ,  山出直人 ,  比嘉麻子 ,  铃木视喜 ,  家田義纪 ,  铃木康太 ,  根井孝征 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L21/34 ,  H01L21/84 ,  H01L21/02 ,  H01L21/469 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/477 ,  H01L21/822 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35

摘要： 本发明涉及一种半导体装置。在使用氧化物半导体的半导体装置中提高电特性，并且提供一种电特性变动少且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括：进行热脱附谱分析时的400℃以上的任意温度下的氢分子的脱离量为300℃下的氢分子的脱离量的130％以下的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一阻挡膜；第一阻挡膜上的具有包含超过化学计量组成的氧的区域的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的包括第一氧化物半导体膜的第一晶体管。

公开(公告)号：CN103930979B

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201280055058.5

申请日：2012-10-03

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·E.·鲁斯 ,  A·K.·斯坦珀

IPC分类号： H01L21/469

CPC分类号： H03H9/02007 ,  G06F17/5072 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H03H3/02 ,  H03H9/1007 ,  H03H9/173 ,  H03H2001/0064 ,  H03H2003/027 ,  H03H2009/155

摘要： 公开了采用CMOS工艺、制造方法和设计结构集成的体声波滤波器和/或体声波谐振器。所述方法包括形成至少一个包括非晶硅材料(29)的梁(44)并且在所述非晶硅梁上方并且与其相邻提供绝缘体材料(32)。该方法还包括形成穿过绝缘体材料的通孔(50)并且暴露非晶硅梁(44)下面的材料(25)。该方法还包括在通孔中和非晶硅梁上方提供牺牲材料(36)。该方法还包括在牺牲材料上和绝缘体材料上方提供盖子(38)。该方法还包括通过盖子(排放孔40)排放牺牲材料和下面材料，以分别在非晶硅梁之上形成上部空腔(42a)并且在非晶硅梁之下形成下部空腔(42b)。

公开(公告)号：CN101595559B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200880003395.3

申请日：2008-01-22

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  夏立群 ,  金柏涵 ,  德里克·R·维迪 ,  伊沙姆·迈'萨德

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/7682 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1047 ,  Y10S438/931

摘要： 本发明提出形成含空隙的结构的方法。在一实施例中，形成镶嵌结构的方法包含沉积多孔的低介电常数层，包括使有机硅化合物与供应成孔剂的前驱物反应，沉积含成孔剂的材料，以及移除至少一部分的含成孔剂的材料；通过供应成孔剂的前驱物反应在多孔的低介电常数层上沉积有机层；在有机层和多孔的低介电常数层中形成特征界定结构；将导电材料填入特征界定结构；在有机层和特征界定结构内的导电材料上沉积掩模层；在掩模层中形成穿孔以露出有机层；透过穿孔移除部分或全部的有机层；以及在导电材料旁形成空隙。

公开(公告)号：CN101208782B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680022981.3

申请日：2006-05-26

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： C·S·奥利森

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/0214 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3145 ,  H01L29/518

摘要： 本发明为一种形成氮氧化硅栅极介电层的方法，该方法包括：利用一等离子氮化制程而将氮并入一介电薄膜中以形成一氮氧化硅薄膜；氮氧化硅薄膜于一第一环境下进行退火，且第一环境包括一于一第一温度下而氧气具有一第一分压的惰性环境；氮氧化硅薄膜于一第二环境下进行退火，且第二环境包括于一第二温度下而氧气具有一第二分压，并且氧气的第二分压大于氧气的第一分压。

公开(公告)号：CN101443891A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200780016898.X

申请日：2007-03-12

申请人： 高级技术材料公司

发明人： 许从应 ,  陈天牛 ,  托马斯·M·卡梅伦 ,  杰弗里·F·罗德 ,  托马斯·H·鲍姆

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

摘要： 用于钛酸盐薄膜的原子层沉积(ALD)以及化学气相沉积(CVD)的钡、锶、钽以及镧前体组合物。这些前体具有化学式M(Cp)2，其中，M为锶、钡、钽、或镧，并且Cp为具有化学式(I)的环戊二烯基，其中R1－R5各自彼此相同或不同，各自独立地选自氢、C1－C12烷基、C1－C12氨基、C6－C10芳基、C1－C12烷氧基、C3－C6烷基甲硅烷基、C2－C12烯基、R1R2R3NNR3，其中，R1、R2和R3可以彼此相同或不同，各自独立地选自氢和C1－C6烷基、以及包含向金属中心M提供进一步配位的官能团的侧基配体。具有以上化学式的前体在闪速存储器及其他电子器件的制造中用于获得具有高介电常数的物质的均匀的涂层。

公开(公告)号：CN101416293A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200780012157.4

申请日：2007-03-30

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： M·巴尔塞努 ,  夏立群 ,  石美仪 ,  H·M''沙德

IPC分类号： H01L21/469

CPC分类号： H01L21/3141 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834

摘要： 本发明提供基板上膜层的阶梯覆盖性与图案加载(pattern loading)的控制方法。本发明一方面中，该方法包括使基板暴露在等离子体中的含硅前驱物下以沉积一膜层、使用一等离子体来处理所沉积的膜层以及重复该暴露步骤与处理步骤直到获得想要的膜层厚度。这些离子体可以是由含氧气体所生成。在另一方面中，该方法包括在其基板表面上具有至少一个已形成特征的基板上沉积一介电层，以及使用由含氧气体或含卤素气体所形成的等离子体来蚀刻该介电层，以在该特征上提供想要的介电层轮廓。可重复该沉积与蚀刻步骤多次循环直到提供期望的轮廓为止。

公开(公告)号：CN100449707C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200510091514.3

申请日：2005-08-18

申请人： 恩益禧电子股份有限公司

发明人： 宇佐美达矢 ,  大音光市

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/76801 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/522 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种半导体器件，特别涉及包括多层互连结构的半导体器件。抑制了半导体器件中的裂缝的传播，因而保护了元件形成区域。设置界面加强膜从而覆盖穿透形成在硅衬底上的SiCN膜和SiOC膜的凹部的侧壁。界面加强膜和另一个SiOC膜整体且连续地形成，并且包括空气间隙。

公开(公告)号：CN101151717A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200680010825.5

申请日：2006-02-16

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 考利·瓦吉达 ,  井下田真信 ,  格特·莱乌辛克

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56

摘要： 本发明提供了一种在衬底上制备用于高介电常数电介质层的界面层的方法。将所述衬底的表面暴露于氧自由基以形成氧化物膜，所述氧自由基通过第一处理气体的紫外(UV)辐射诱导解离而形成，所述第一处理气体包含至少一种包含氧的分子组合物。将氧化物膜暴露于氮自由基以氮化所述氧化物，从而形成界面层，所述氮自由基通过第二处理气体的等离子体诱导解离而形成，所述第二处理气体包含至少一种包含氮的分子组合物。高介电常数电介质层形成在所述界面层上。

公开(公告)号：CN101124656A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200680000288.6

申请日：2006-06-06

申请人： 阿德文泰克全球有限公司

发明人： 托马斯·P·布罗迪

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/44 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  B05C11/11 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L27/1288 ,  C23C14/042 ,  C23C14/562 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/14683 ,  Y10S438/944

摘要： 一种荫罩沉积系统包括多个相同的荫罩，利用排列在多个仓中的相同荫罩形成类似数量的复合荫罩，每个复合荫罩连同一个材料沉积源放置在一个沉积真空容器中。通过在相应复合荫罩中的开孔，利用材料沉积源在基体上沉积材料，每个开孔是由形成复合荫罩的多个荫罩中的孔的全部或部分排列而成，从而在基体上形成一排电子元件。