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公开(公告)号：CN119318054A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380045088.6
申请日：2023-06-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0587 , H01G11/26 , H01G11/46 , H01G11/70 , H01G11/74 , H01M4/13 , H01M4/131 , H01M4/525 , H01M10/052 , H01M50/533 , H01M50/538
Abstract: 提供一种同时实现高安全性及充放电时间的缩短的二次电池。该二次电池为卷绕型二次电池，正极的正极集流体包括第一极耳及第二极耳，负极的负极集流体包括第三极耳及第四极耳。第一极耳位于比第二极耳更接近卷绕中心的部分，第三极耳位于比第四极耳更接近卷绕中心的部分。第一极耳与第二极耳在第一接合部接合，第三极耳与第四极耳在第二接合部接合。正极活性物质包括第一区域及位于正极活性物质的表面一侧的第二区域。第一区域包含锂、钴及氧。第二区域包含锂、钴、镁及氧。
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公开(公告)号：CN105659369B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201480057867.9
申请日：2014-10-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 在使用氧化物半导体的半导体装置中提高电特性，并且提供一种电特性变动少且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括：进行热脱附谱分析时的400℃以上的任意温度下的氢分子的脱离量为300℃下的氢分子的脱离量的130％以下的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一阻挡膜；第一阻挡膜上的具有包含超过化学计量组成的氧的区域的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的包括第一氧化物半导体膜的第一晶体管。
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公开(公告)号：CN110571278A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910878492.7
申请日：2014-10-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/12 , H01L21/34 , H01L21/84 , H01L21/02 , H01L21/469 , H01L21/4757 , H01L21/477 , H01L21/822 , C23C14/08 , C23C14/35
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。在使用氧化物半导体的半导体装置中提高电特性，并且提供一种电特性变动少且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括：进行热脱附谱分析时的400℃以上的任意温度下的氢分子的脱离量为300℃下的氢分子的脱离量的130％以下的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一阻挡膜；第一阻挡膜上的具有包含超过化学计量组成的氧的区域的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的包括第一氧化物半导体膜的第一晶体管。
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公开(公告)号：CN105659369A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201480057867.9
申请日：2014-10-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 在使用氧化物半导体的半导体装置中提高电特性，并且提供一种电特性变动少且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括：进行热脱附谱分析时的400℃以上的任意温度下的氢分子的脱离量为300℃下的氢分子的脱离量的130％以下的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一阻挡膜；第一阻挡膜上的具有包含超过化学计量组成的氧的区域的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的包括第一氧化物半导体膜的第一晶体管。
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