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公开(公告)号：CN103947111B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280055027.X
申请日：2012-08-14
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H03H9/54
CPC分类号： B81B3/0027 , B81B2201/0285 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L41/1136 , H01L2224/73265 , H03H3/02 , H03H9/1007 , H03H9/173 , H03H2001/0064 , H03H2003/027 , H03H2009/155 , H03H2009/241
摘要： 提供与CMOS装置集成的体声波滤波器和/或体声谐振器、制造方法和设计结构。该方法包括从绝缘体(12)上的硅层(14)形成单晶梁(18)。该方法还包括在单晶梁之上提供绝缘体材料的涂层(22)。该方法还包括形成通过绝缘体材料的通孔(34a)，以暴露在绝缘体下面的晶片(10)。绝缘体材料保留在单晶梁之上。该方法还包括在通孔中和在绝缘体材料之上提供牺牲材料(36)。该方法还包括在牺牲材料上提供盖(38)。该方法还包括通过盖排出牺牲材料和在单晶梁下的晶片的一部分，以在单晶梁的上方形成上腔体(42a)和在单晶梁的下方的晶片中形成下腔体(42b)。
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公开(公告)号：CN103944602A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201310045642.9
申请日：2013-02-05
申请人： 矽品精密工业股份有限公司
CPC分类号： H03H7/463 , H03H7/09 , H03H7/1775 , H03H7/1783 , H03H2001/0064 , H03H2001/0078
摘要： 一种双工器与其线路结构及射频收发装置，该双工器包括第一滤波器以及第二滤波器，于第一滤波器中，第一谐振电路电性电性连接第一信号端口，且第一谐振电路的第一电感、第二谐振电路的第二电感及第三谐振电路的第三电感产生互感，而第三谐振电路电性连接第二信号端口，又于第二滤波器中，第四谐振电路串联第一谐振电路，且第四谐振电路的第四电感与第五谐振电路的第五电感互感，第六谐振电路电性连接第三信号端口，并于第五与第六谐振电路之间串联主电容。本发明通过互感的设计能提升频率选择辨识力。
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公开(公告)号：CN103944602B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201310045642.9
申请日：2013-02-05
申请人： 矽品精密工业股份有限公司
CPC分类号： H03H7/463 , H03H7/09 , H03H7/1775 , H03H7/1783 , H03H2001/0064 , H03H2001/0078
摘要： 一种双工器与其线路结构及射频收发装置，该双工器包括第一滤波器以及第二滤波器，于第一滤波器中，第一谐振电路电性电性连接第一信号端口，且第一谐振电路的第一电感、第二谐振电路的第二电感及第三谐振电路的第三电感产生互感，而第三谐振电路电性连接第二信号端口，又于第二滤波器中，第四谐振电路串联第一谐振电路，且第四谐振电路的第四电感与第五谐振电路的第五电感互感，第六谐振电路电性连接第三信号端口，并于第五与第六谐振电路之间串联主电容。本发明通过互感的设计能提升频率选择辨识力。
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公开(公告)号：CN102318187B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201080007603.4
申请日：2010-02-12
申请人： 汤姆森特许公司
CPC分类号： H03H7/0115 , H03H7/075 , H03H7/1733 , H03H7/1758 , H03H2001/0064 , H03H2001/0078
摘要： 本发明涉及一种HR-Si硅技术中的滤波网络，其通过至少一个截止频率FC限定，并且包括：用于接收要被滤波的信号的输入端子P1以及用于传递滤波信号的输出端子P2。网络包括第一接地线M1，其通过其端部与直接连接到接地平面的第一和第二接地点Gr1、Gr2相连接；第二接地线M2，其经由其端部与直接连接到接地平面的第三和第四接地点Gr3、Gr4相连接；多个L/C谐振元件Lr1/Cr1、Lr2/Cr2、Lr3/Cr3，其以并联方式连接并且其经由一端部链接到两条接地线L1、L2之一并且经由另一端借助于耦接电感Ls1、Ls2、Ls3链接在它们之间，由此创建传输零点。由于每条接地线(M1、M2)由电感形成电感元件(Lm1，Lm2，Lm3)，网络包括与至少一些所述电感元件(Lm1、Lm2、Lm3)相串联的电容元件(Cm1，Cr’1)，选取电容元件的电容使得串联的电感和电容元件的谐振频率与处于通带以外的频率对应。
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公开(公告)号：CN102088005A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010579445.1
申请日：2010-12-03
申请人： 瑞萨电子株式会社
CPC分类号： H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/30107 , H03H7/0115 , H03H7/1733 , H03H7/1758 , H03H7/1766 , H03H7/1783 , H03H2001/0064 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本发明涉及一种具有滤波器电路的半导体器件。具体而言，一种在半导体芯片上形成的滤波器电路，包括：输入节点，其设置成输入输入信号；输出键合焊盘，其设置成输出输出信号；接地键合焊盘，其设置成通过键合线连接地；并联谐振电路，其设置在输入节点与输出键合焊盘之间并具有连接至输出键合焊盘的一端；以及串联谐振电路，其具有设置在输入节点与并联谐振电路的另一端之间的一端和与接地焊盘连接的另一端。串联谐振电路包括串联连接的电容器和电感器，而并联谐振电路包括并联连接的电容器和电感器。
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公开(公告)号：CN1110028A
公开(公告)日：1995-10-11
申请号：CN94114815.7
申请日：1994-07-25
申请人： T.I.F.株式会社
IPC分类号： H03H7/01
CPC分类号： H03H7/0115 , H01L27/08 , H01L2924/0002 , H03B5/1841 , H03H7/0123 , H03H2001/0064 , H03H2001/0071 , H03H2001/0078 , H01L2924/00
摘要： LC元件、半导体装置及其制作方法，LC元件在p-Si基片30上夹以绝缘层26形成指定形状的栅电极10，给栅电极加电压形成沟道22，由沟道22把基片30的表面附近隔开的位置上形成的第一扩散区12和第二扩散区14连接起来。沟道22和栅电极10都起电感器导体的作用，以分布参数的方式形成电容器。这种LC元件在较宽频段内具有良好的衰减特性。可用MOS制作技术简单制造，可作为基片一部分，而省去后部工序中的部件装配作业。
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公开(公告)号：CN103930979B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201280055058.5
申请日：2012-10-03
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/469
CPC分类号： H03H9/02007 , G06F17/5072 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H03H3/02 , H03H9/1007 , H03H9/173 , H03H2001/0064 , H03H2003/027 , H03H2009/155
摘要： 公开了采用CMOS工艺、制造方法和设计结构集成的体声波滤波器和/或体声波谐振器。所述方法包括形成至少一个包括非晶硅材料(29)的梁(44)并且在所述非晶硅梁上方并且与其相邻提供绝缘体材料(32)。该方法还包括形成穿过绝缘体材料的通孔(50)并且暴露非晶硅梁(44)下面的材料(25)。该方法还包括在通孔中和非晶硅梁上方提供牺牲材料(36)。该方法还包括在牺牲材料上和绝缘体材料上方提供盖子(38)。该方法还包括通过盖子(排放孔40)排放牺牲材料和下面材料，以分别在非晶硅梁之上形成上部空腔(42a)并且在非晶硅梁之下形成下部空腔(42b)。
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公开(公告)号：CN101997506B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201010243766.4
申请日：2010-08-02
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H03H7/09
CPC分类号： H01L23/5227 , H01L23/5223 , H01L23/5228 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/3011 , H03H7/0115 , H03H7/175 , H03H7/1775 , H03H2001/0064 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种高频装置，其能够抑制涡流电流和寄生电容的产生，并且显示出优异的高频特性。该高频装置包括：具有凹陷的基板；该基板之上的电介质层；以及多个电子元件，提供在电介质层中或者电介质层上，并且多个电子元件中的至少一个相对于该凹陷。
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公开(公告)号：CN103718469A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201280037548.2
申请日：2012-07-27
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 德田大辅
CPC分类号： H03H11/02 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/642 , H01L23/645 , H01L23/66 , H01L25/16 , H01L2223/6611 , H01L2223/6644 , H01L2223/6672 , H01L2224/48091 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01P1/201 , H01Q1/50 , H03H7/0115 , H03H7/1708 , H03H7/1775 , H03H7/463 , H03H2001/0064 , H03H2001/0078 , H04B1/0458 , H04B1/18 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种高频模块。高频模块(10)具备通过引线结合安装在外部电路基板(300)上的半导体芯片元件(20)。半导体芯片元件(20)形成有通过作为有源元件的FET组来实现的开关形成部(101)、功率放大器形成部(102)以及低噪声放大器形成部(103)。而且，半导体芯片元件(20)形成有形成电容器(121、122、123)的平板电极。连接外部电路基板(300)与半导体芯片元件20的导电性线(211、212、213)也作为电感器发挥作用。由此，形成具备电感器与电容器的无源元件组。其结果，能够提供获得必要的传输特性且能够小型化的高频模块。
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公开(公告)号：CN101977027B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201010294092.0
申请日：2006-01-12
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： 里安·J·赫尔利
CPC分类号： H01L23/5227 , H01F17/0006 , H01F17/0013 , H01F41/041 , H01L27/08 , H01L28/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H03H7/0107 , H03H7/1766 , H03H2001/0064 , H03H2001/0078 , Y10T29/4902 , H01L2924/00
摘要： 公开了集成半导体滤波器，包括：覆盖半导体衬底表面第一部分的第一多层电感器，包括逆时针方向延伸的第一电感器和顺时针方向延伸的第二电感器以形成第一和第二电感器间的磁耦合，第一和第二电感器电连接，第二电感器具有公共连接端子；与第一电感器并联耦合的第一电容器；和覆盖半导体衬底表面第二部分且耦合到第一多层电感器的第二多层电感器，具有第一电感器附近的第三电感器、覆盖第三电感器至少部分在第三和第四电感器间形成磁耦合的第四电感器，第三电感器包括第一导体和覆盖第一导体设置在第三和第四电感器间的第一电介质，第四电感器包括第二导体和覆盖第二导体的第二电介质且电连接到第三电感器，第四和第二电感器的公共连接端子耦合。
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