半导体器件、制造半导体器件的方法、以及半导体模块

    公开(公告)号:CN118352236A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202311681167.4

    申请日:2023-12-08

    摘要: 本公开涉及一种半导体器件、制造半导体器件的方法、以及半导体模块。根据本申请,可以提高半导体器件的可靠性。半导体器件具有第一区域和第二区域,第一区域中形成有MOSFET,第二区域中形成有温度传感器晶体管。本体区域被形成在第一区域的半导体衬底中,并且基极区域被形成在第二区域的半导体衬底中。源极区域被形成在本体区域中,并且发射极区域被形成在基极区域中。第一列区域被形成在位于本体区域下方的半导体衬底中,并且第二列区域被形成在位于基极区域下方的半导体衬底中。

    半导体器件及其制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117316781A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202310607618.3

    申请日:2023-05-26

    IPC分类号: H01L21/60 H01L23/495

    摘要: 本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。与半导体芯片的MOSFET的源极电耦合并且在横截面视图中被定位在引线下方位置的源极焊盘经由接合到该源极焊盘的导电构件和接合到该导电构件的布线与用于源极的该引线电连接。