公开(公告)号：CN1110028A

公开(公告)日：1995-10-11

申请号：CN94114815.7

申请日：1994-07-25

Applicant: T.I.F.株式会社

Inventor： 池田毅 ,  中西努 ,  冈本明

IPC: H03H7/01

CPC classification number: H03H7/0115 ,  H01L27/08 ,  H01L2924/0002 ,  H03B5/1841 ,  H03H7/0123 ,  H03H2001/0064 ,  H03H2001/0071 ,  H03H2001/0078 ,  H01L2924/00

Abstract: LC元件、半导体装置及其制作方法，LC元件在p-Si基片30上夹以绝缘层26形成指定形状的栅电极10，给栅电极加电压形成沟道22，由沟道22把基片30的表面附近隔开的位置上形成的第一扩散区12和第二扩散区14连接起来。沟道22和栅电极10都起电感器导体的作用，以分布参数的方式形成电容器。这种LC元件在较宽频段内具有良好的衰减特性。可用MOS制作技术简单制造，可作为基片一部分，而省去后部工序中的部件装配作业。