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公开(公告)号：CN103402659A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280011927.4
申请日：2012-12-13
申请人： 高级技术材料公司
发明人： 陈天牛 , 迈克尔·B·克赞斯基 , 江平
CPC分类号： B23K1/018 , B09B3/00 , B09B5/00 , B23K3/08 , B23K37/00 , C22B1/005 , C22B3/02 , C22B3/04 , C22B4/00 , C22B7/006 , C22B11/046 , C25C1/00 , H05K3/22 , H05K2203/178 , Y02P10/234 , Y02P70/613 , Y02W30/82 , Y02W30/821 , Y02W30/822
摘要： 本发明涉及用于循环利用印刷线路板的装置和方法，其中可以收集电子部件、贵金属和贱金属以供重新使用和循环利用。所述装置总的来说包括机械焊料去除模块和/或热模块、化学焊料去除模块和贵金属浸沥模块，其中所述模块连接在一起以使电子废弃物从模块到模块连续通过。
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公开(公告)号：CN102352488A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110300900.4
申请日：2007-03-12
申请人： 高级技术材料公司
发明人： 威廉·杭克斯 , 陈天牛 , 许从应 , 杰弗里·F·罗德 , 托马斯·H·鲍姆 , 梅利莎·A·彼特鲁斯卡 , 马蒂亚斯·斯滕德 , 陈世辉 , 格雷戈里·T·施陶夫 , 布赖恩·C·亨德里克斯
IPC分类号： C23C16/18 , H01L45/00 , C07C395/00 , C07F9/90 , C07F19/00
CPC分类号： H01L45/1616 , C07C251/08 , C07F7/003 , C07F7/10 , C07F7/28 , C07F9/90 , C07F9/902 , C07F17/00 , C23C16/18 , C23C16/305 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要： 本发明描述了对于相应含金属薄膜的CVD/ALD有用的锑、锗及碲前体；以及包含这样的前体的组合物；这样的前体的制造方法；及使用这样的前体制造的薄膜及微电子器件产品；以及相应的制造方法。本发明的前体对于形成锗-锑-碲(GST)薄膜及包含这样的薄膜的微电子器件产品如相变存储设备很有用。
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公开(公告)号：CN101423929A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810174324.1
申请日：2008-10-31
申请人： 高级技术材料公司
CPC分类号： C07F7/30 , C23C16/305 , C23C16/448 , C23C16/45534 , C23C16/45542 , C23C16/56 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1616 , Y10T428/31678
摘要： 本发明涉及有效地利用锗、碲、和/或锑前体来形成含有锗、碲和/或锑的膜，诸如GeTe、GST、以及热电的含锗膜。还描述了用于使用这些前体以形成无定形膜的方法。进一步描述了[{nBuC(iPrN)2}2Ge]或丁基脒基锗的使用，以形成GeTe平滑无定形膜，用于相位变换存储器应用。
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公开(公告)号：CN103081072A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180041631.2
申请日：2011-08-26
申请人： 高级技术材料公司
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： C09C3/08 , B81C1/00619 , B81C1/00928 , H01L21/02082 , H01L21/302 , H01L21/306
摘要： 本发明涉及降低易碎高纵横比结构在干燥期间所经受的毛细力，以实质上地预防该高纵横比结构在干燥期间损伤的方法。该方法包括修饰高纵横比结构的表面，以使该力充分地减至最小，且因此少于10%的高纵横比特征会在其上具有该特征的结构的干燥期间弯曲或崩塌。
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公开(公告)号：CN101495672B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200780026664.3
申请日：2007-03-12
申请人： 高级技术材料公司
发明人： 威廉·杭克斯 , 陈天牛 , 许从应 , 杰弗里·F·罗德 , 托马斯·H·鲍姆 , 梅利莎·A·彼特鲁斯卡 , 马蒂亚斯·斯滕德 , 陈世辉 , 格雷戈里·T·施陶夫 , 布赖恩·C·亨德里克斯
CPC分类号： H01L45/1616 , C07C251/08 , C07F7/003 , C07F7/10 , C07F7/28 , C07F9/90 , C07F9/902 , C07F17/00 , C23C16/18 , C23C16/305 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要： 本发明描述了对于相应含金属薄膜的CVD/ALD有用的锑、锗及碲前体；以及包含这样的前体的组合物；这样的前体的制造方法；及使用这样的前体制造的薄膜及微电子器件产品；以及相应的制造方法。本发明的前体对于形成锗-锑-碲(GST)薄膜及包含这样的薄膜的微电子器件产品如相变存储设备很有用。
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公开(公告)号：CN101443891A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200780016898.X
申请日：2007-03-12
申请人： 高级技术材料公司
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/469
摘要： 用于钛酸盐薄膜的原子层沉积(ALD)以及化学气相沉积(CVD)的钡、锶、钽以及镧前体组合物。这些前体具有化学式M(Cp)2，其中，M为锶、钡、钽、或镧，并且Cp为具有化学式(I)的环戊二烯基，其中R1－R5各自彼此相同或不同，各自独立地选自氢、C1－C12烷基、C1－C12氨基、C6－C10芳基、C1－C12烷氧基、C3－C6烷基甲硅烷基、C2－C12烯基、R1R2R3NNR3，其中，R1、R2和R3可以彼此相同或不同，各自独立地选自氢和C1－C6烷基、以及包含向金属中心M提供进一步配位的官能团的侧基配体。具有以上化学式的前体在闪速存储器及其他电子器件的制造中用于获得具有高介电常数的物质的均匀的涂层。
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公开(公告)号：CN102912314A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210337922.2
申请日：2008-10-31
申请人： 高级技术材料公司
CPC分类号： C07F7/30 , C23C16/305 , C23C16/448 , C23C16/45534 , C23C16/45542 , C23C16/56 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1616 , Y10T428/31678
摘要： 本发明涉及有效地利用锗、碲、和/或锑前体来形成含有锗、碲和/或锑的膜，诸如GeTe、GST、以及热电的含锗膜。还描述了用于使用这些前体以形成无定形膜的方法。进一步描述了[{nBuC(iPrN)2}2Ge]或丁基脒基锗的使用，以形成GeTe平滑无定形膜，用于相位变换存储器应用。
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公开(公告)号：CN101423929B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200810174324.1
申请日：2008-10-31
申请人： 高级技术材料公司
CPC分类号： C07F7/30 , C23C16/305 , C23C16/448 , C23C16/45534 , C23C16/45542 , C23C16/56 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1616 , Y10T428/31678
摘要： 本发明涉及有效地利用锗、碲、和/或锑前体来形成含有锗、碲和/或锑的膜，诸如GeTe、GST、以及热电的含锗膜。还描述了用于使用这些前体以形成无定形膜的方法。进一步描述了[{nBuC(iPrN)2}2Ge]或丁基脒基锗的使用，以形成GeTe平滑无定形膜，用于相位变换存储器应用。
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公开(公告)号：CN101495672A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780026664.3
申请日：2007-05-12
申请人： 高级技术材料公司
发明人： 威廉·杭克斯 , 陈天牛 , 许从应 , 杰弗里·F·罗德 , 托马斯·H·鲍姆 , 梅利莎·A·彼特鲁斯卡 , 马蒂亚斯·斯滕德 , 陈世辉 , 格雷戈里·T·施陶夫 , 布赖恩·C·亨德里克斯
CPC分类号： H01L45/1616 , C07C251/08 , C07F7/003 , C07F7/10 , C07F7/28 , C07F9/90 , C07F9/902 , C07F17/00 , C23C16/18 , C23C16/305 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要： 本发明描述了对于相应含金属薄膜的CVD/ALD有用的锑、锗及碲前体；以及包含这样的前体的组合物；这样的前体的制造方法；及使用这样的前体制造的薄膜及微电子器件产品；以及相应的制造方法。本发明的前体对于形成锗－锑－碲(GST)薄膜及包含这样的薄膜的微电子器件产品如相变存储设备很有用。
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公开(公告)号：CN103154321A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048783.5
申请日：2011-10-06
申请人： 高级技术材料公司
CPC分类号： H01L21/28088 , B81C1/00539 , H01L21/28079 , H01L21/32134 , H01L21/823842
摘要： 本发明涉及用于自其上具有第一金属栅极材料(例如，氮化钛)及第二金属栅极材料(例如，氮化钽)的微电子装置，将第一金属栅极材料相对于第二金属栅极材料选择性地移除的移除组合物及方法。该移除组合物可包含氟化物或者实质上不含氟化物。该基板优选包括高k/金属栅极集成配置。
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