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公开(公告)号：CN103402659A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280011927.4
申请日：2012-12-13
申请人： 高级技术材料公司
发明人： 陈天牛 , 迈克尔·B·克赞斯基 , 江平
CPC分类号： B23K1/018 , B09B3/00 , B09B5/00 , B23K3/08 , B23K37/00 , C22B1/005 , C22B3/02 , C22B3/04 , C22B4/00 , C22B7/006 , C22B11/046 , C25C1/00 , H05K3/22 , H05K2203/178 , Y02P10/234 , Y02P70/613 , Y02W30/82 , Y02W30/821 , Y02W30/822
摘要： 本发明涉及用于循环利用印刷线路板的装置和方法，其中可以收集电子部件、贵金属和贱金属以供重新使用和循环利用。所述装置总的来说包括机械焊料去除模块和/或热模块、化学焊料去除模块和贵金属浸沥模块，其中所述模块连接在一起以使电子废弃物从模块到模块连续通过。
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公开(公告)号：CN100346887C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200380102120.2
申请日：2003-10-29
申请人： 高级技术材料公司
发明人： 迈克尔·B·克赞斯基 , 埃利奥多·G·根丘 , 许从应 , 托马斯·H·包姆
CPC分类号： C11D11/0047 , B08B7/0021 , C11D7/02 , C11D7/10 , C11D7/3209 , C11D7/3281 , C11D7/5022 , H01L21/02063 , H01L21/31116
摘要： 一种用于从半导体基片上的微小区域去除微粒污染物的清洗组合物。该组合物含有超临界二氧化碳(SCCO2)、醇、氟源和任选的羟基添加剂。此种清洗组合物克服了SCCO2作为清洗剂的固有缺陷，即SCCO2的非极性特性及与其相关的不能溶解诸如无机盐和极性有机化合物类型的物质，所述类型的物质以微粒污染物形式存在于晶片基片上并且为了有效清洗必须从半导体基片上除去。该清洗组合物能实现Si/SiO2基片上带有微粒污染物的基片的无损伤、无残留物清洗。
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公开(公告)号：CN101681130A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880016177.3
申请日：2008-03-31
申请人： 高级技术材料公司
发明人： 江平 , 迈克尔·B·克赞斯基 , 大卫·W·明赛克
IPC分类号： G03F7/42 , C09K8/02 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/02079 , C11D1/004 , C11D1/29 , C11D3/042 , C11D3/046 , C11D3/3454 , C11D3/3947 , C11D11/0041 , C23F1/16 , G03F7/423 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/32134
摘要： 本发明是关于用于自其上具有至少一个材料层的不合格微电子装置结构除去该材料层的除去组合物及方法。该除去组合物包括氢氟酸。该组合物实现待除去的材料的实质除去，同时不会损坏待保留的层，以再生、再加工、再循环和/或再使用该结构。
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公开(公告)号：CN101356629A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200680050730.6
申请日：2006-11-09
申请人： 高级技术材料公司
发明人： 帕梅拉·M·维辛廷 , 江平 , 迈克尔·B·克赞斯基 , 麦肯齐·金
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/461
CPC分类号： C09K13/08 , H01L21/02032 , H01L21/02079 , H01L21/31111 , H01L21/32134
摘要： 本发明公开了用于从废弃的微电子器件上除去低k介电材料、浸蚀终止材料和/或金属堆叠材料的去除组合物和方法。所述去除组合物包括氢氟酸。所述组合物实现从其上具有材料的微电子器件结构的表面上至少部分地除去所述材料，以再循环和/或重复使用所述结构，而不会损坏半导体结构中所用的底层多晶硅或裸硅层。
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公开(公告)号：CN1934221A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580009518.0
申请日：2005-03-14
申请人： 高级技术材料公司
发明人： 迈克尔·B·克赞斯基 , 托马斯·H·鲍姆
CPC分类号： H01L21/31133 , C11D3/042 , C11D3/046 , C11D3/2075 , C11D3/3947 , C11D3/43 , C11D11/0047 , G03F7/091 , G03F7/422 , G03F7/425 , H01L21/31111
摘要： 本发明描述了从具有底部抗反射涂层(BARC)的半导体基片去除此类BARC层的方法和组合物。该去除组合物包括超临界流体、共溶剂、蚀刻剂和表面活性剂。此类去除组合物克服了SCCO2作为去除试剂的固有缺陷，即SCCO2的非极性特性和与之相关的对必须从半导体基片除去的物质不具有溶解能力，所述物质例如无机盐和极性有机化合物。
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公开(公告)号：CN101242914A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200680029951.5
申请日：2006-06-16
申请人： 高级技术材料公司
发明人： 迈克尔·B·克赞斯基 , 帕梅拉·M·维辛廷 , 托马斯·H·鲍姆 , 大卫·W·明赛克 , 许从应
IPC分类号： B08B3/00
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/3947 , C11D7/08 , C11D7/264 , C11D7/265 , C11D7/32 , C11D7/34 , C11D7/5004 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02063
摘要： 本发明描述了从微电子器件上除去硬化的光致抗蚀剂、蚀刻后光致抗蚀剂和/或底部抗反射涂层的方法和组合物。所述组合物可包含稠密流体如超临界流体，和稠密流体浓缩物，该稠密流体浓缩物包含共溶剂、任选的氟化物源和任选的酸。所述稠密流体组合物在随后的处理之前从所述微电子器件上基本除去污染性残留物和/或层，从而改善所述微电子器件的形态、性能、可靠性和成品率。
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公开(公告)号：CN101198416A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200680021641.9
申请日：2006-04-14
申请人： 高级技术材料公司
发明人： 帕梅拉·M·维辛廷 , 迈克尔·B·克赞斯基 , 托马斯·H·鲍姆
IPC分类号： B08B3/00
CPC分类号： C11D3/042 , C11D3/2086 , C11D3/245 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/3427 , C11D3/368 , C11D3/43 , C11D7/08 , C11D7/261 , C11D7/30 , C11D7/32 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D7/36 , C11D11/0047
摘要： 本发明描述了从密集图案化的微电子器件上除去松散和离子注入光致抗蚀剂和/或蚀刻后残渣材料的方法和组合物。所述组合物包括共溶剂、螯合剂、任选的离子对试剂和任选的表面活性剂。所述组合物还可以包括稠密流体。所述组合物能有效地从所述微电子器件上除去所述光致抗蚀剂和/或蚀刻后残渣材料，而基本上不会过蚀刻下面的含硅层和金属互连材料。
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公开(公告)号：CN100379837C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200380102230.9
申请日：2003-10-27
申请人： 高级技术材料公司
发明人： 迈克尔·B·克赞斯基 , 埃利奥多·G·根丘 , 许从应 , 托马斯·H·包姆
CPC分类号： H01L21/02071 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/261 , C11D7/264 , C11D7/265 , C11D7/28 , C11D7/32 , C11D7/3245 , C11D7/50 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , C23G5/00 , H01L21/02052 , H01L21/31133 , H01L21/32138
摘要： 一种用于从半导体基片上的微小区域去除灰化或未灰化铝/SiN/Si蚀刻后残留物的蚀刻后残留物清洗组合物。该组合物含有超临界二氧化碳(SCCO2)、醇、氟源、铝离子络合剂和任选的阻蚀剂。此种清洗组合物克服了SCCO2作为清洗剂的固有缺陷，即SCCO2的非极性特性及与其相关的不能溶解诸如无机盐和极性有机化合物类型的物质，所述类型的物质存在于蚀刻后残留物中并且为了有效清洗必须从半导体基片上除去。本清洗组合物能实现其上具有灰化或未灰化铝/SiN/Si蚀刻后残留物的基片的无损伤、无残留物清洗。
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公开(公告)号：CN1938647A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010540.7
申请日：2005-03-02
申请人： 高级技术材料公司
发明人： 梅利莎·K·拉斯 , 大卫·D·伯恩哈特 , 大卫·明塞克 , 迈克尔·B·克赞斯基 , 托马斯·H·鲍姆
CPC分类号： C11D3/044 , C11D3/30 , C11D3/3947 , C11D7/06 , C11D11/0047 , G03F7/423 , G03F7/425
摘要： 用于将光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射涂层(SARC)材料从其上具有这些物质的基片去除的组合物和方法。该组合物包括碱组分，例如与碱金属碱或碱土金属碱组合的季铵碱，或与氧化剂组合的强碱。该组合物可用于水性介质中，例如与螯合剂、表面活性剂和/或共溶剂类物质一道使用，从而在集成电路制造中实现光致抗蚀剂和/或SARC材料的高效去除，而对基片上的金属类物质例如铜、铝和/或钴合金没有不良影响，对半导体结构中使用的SiOC基介电材料也没有损害。
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