-
公开(公告)号：CN1871333A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200480017729.4
申请日：2004-06-15
申请人： 高级技术材料公司
发明人： 迈克尔·B·科岑斯基 , 许从应 , 托马斯·H·鲍姆 , 大卫·明塞克 , 埃利奥多·G·根丘
CPC分类号： G03F7/425 , C11D7/261 , C11D7/28 , C11D7/3209 , C11D7/5013 , C11D11/0047 , H01L21/02063 , H01L21/31133 , Y10S134/902 , Y10S438/906
摘要： 本发明公开了包括超临界流体和至少一种选自含氟物质、和伯胺和/或仲胺、选择性的共溶剂、低k物质破坏抑制剂、和/或表面活性剂的组合物。该组合物用于清洁半导体晶片以除去灰化后残渣的特定应用。
-
公开(公告)号：CN1938647B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200580010540.7
申请日：2005-03-02
申请人： 高级技术材料公司
发明人： 梅利莎·K·拉斯 , 大卫·D·伯恩哈特 , 大卫·明塞克 , 迈克尔·B·克赞斯基 , 托马斯·H·鲍姆
CPC分类号： C11D3/044 , C11D3/30 , C11D3/3947 , C11D7/06 , C11D11/0047 , G03F7/423 , G03F7/425
摘要： 用于将光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射涂层(SARC)材料从其上具有这些物质的基片去除的组合物和方法。该组合物包括碱组分，例如与碱金属碱或碱土金属碱组合的季铵碱，或与氧化剂组合的强碱。该组合物可用于水性介质中，例如与螯合剂、表面活性剂和/或共溶剂类物质一道使用，从而在集成电路制造中实现光致抗蚀剂和/或SARC材料的高效去除，而对基片上的金属类物质例如铜、铝和/或钴合金没有不良影响，对半导体结构中使用的SiOC基介电材料也没有损害。
-
公开(公告)号：CN102007196A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200980113539.5
申请日：2009-03-06
申请人： 高级技术材料公司
IPC分类号： C09K13/08
CPC分类号： C11D7/10 , C11D1/62 , C11D3/2044 , C11D3/2068 , C11D3/33 , C11D3/3719 , C11D7/263 , C11D7/3245 , C11D11/0047 , H01L21/02063 , H01L21/31111
摘要： 本发明涉及以大于或等于去除经掺杂含硅材料的速率的速率从微电子器件中去除无掺杂含硅材料的组合物及方法。
-
公开(公告)号：CN1938647A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010540.7
申请日：2005-03-02
申请人： 高级技术材料公司
发明人： 梅利莎·K·拉斯 , 大卫·D·伯恩哈特 , 大卫·明塞克 , 迈克尔·B·克赞斯基 , 托马斯·H·鲍姆
CPC分类号： C11D3/044 , C11D3/30 , C11D3/3947 , C11D7/06 , C11D11/0047 , G03F7/423 , G03F7/425
摘要： 用于将光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射涂层(SARC)材料从其上具有这些物质的基片去除的组合物和方法。该组合物包括碱组分，例如与碱金属碱或碱土金属碱组合的季铵碱，或与氧化剂组合的强碱。该组合物可用于水性介质中，例如与螯合剂、表面活性剂和/或共溶剂类物质一道使用，从而在集成电路制造中实现光致抗蚀剂和/或SARC材料的高效去除，而对基片上的金属类物质例如铜、铝和/或钴合金没有不良影响，对半导体结构中使用的SiOC基介电材料也没有损害。
-
-
公开(公告)号：CN102007196B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN200980113539.5
申请日：2009-03-06
申请人： 高级技术材料公司
IPC分类号： C09K13/08
CPC分类号： C11D7/10 , C11D1/62 , C11D3/2044 , C11D3/2068 , C11D3/33 , C11D3/3719 , C11D7/263 , C11D7/3245 , C11D11/0047 , H01L21/02063 , H01L21/31111
摘要： 本发明涉及以大于或等于去除经掺杂含硅材料的速率的速率从微电子器件中去除无掺杂含硅材料的组合物及方法。
-
-
-
-
-
搜索结果
6 条记录 (耗时 0.065 秒)
