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公开(公告)号：CN101681130A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880016177.3
申请日：2008-03-31
申请人： 高级技术材料公司
发明人： 江平 , 迈克尔·B·克赞斯基 , 大卫·W·明赛克
IPC分类号： G03F7/42 , C09K8/02 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/02079 , C11D1/004 , C11D1/29 , C11D3/042 , C11D3/046 , C11D3/3454 , C11D3/3947 , C11D11/0041 , C23F1/16 , G03F7/423 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/32134
摘要： 本发明是关于用于自其上具有至少一个材料层的不合格微电子装置结构除去该材料层的除去组合物及方法。该除去组合物包括氢氟酸。该组合物实现待除去的材料的实质除去，同时不会损坏待保留的层，以再生、再加工、再循环和/或再使用该结构。
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公开(公告)号：CN102981377B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210452842.1
申请日：2006-06-07
申请人： 高级技术材料公司
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/261 , C11D7/263 , C11D7/265 , C11D7/28 , C11D7/34 , C11D7/50 , G03F7/423
摘要： 本发明公开了金属和电介质相容的牺牲性抗反射涂层清洗及去除组合物。所述清洗及去除组合物包括至少一种含氟化合物、至少一种有机溶剂、任选的水和任选的至少一种螯合剂。所述组合物在集成电路的制造中实现了SARC材料的至少部分的去除，而在基板上的例如铝、铜和钴合金的金属物质的蚀刻最少，并且不破坏在半导体结构中所使用的低-k介电材料。
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公开(公告)号：CN101496146A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200680045618.3
申请日：2006-10-04
申请人： 高级技术材料公司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/31111 , H01L21/28052 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/7833
摘要： 本发明公开了从其上具有栅极隔片氧化物材料的微电子器件上至少部分去除所述材料的栅极隔片氧化物材料去除组合物和方法。所述无水去除组合物包括至少一种有机溶剂、至少一种螯合剂、碱氟化物:酸氟化物组分、和任选至少一种钝化剂。相对于多晶硅和氮化硅，所述组合物从微电子器件表面上的栅电极周围选择性除去栅极隔片氧化物材料，同时对栅电极结构中所使用的金属硅化物互连材料具有最小的蚀刻。
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公开(公告)号：CN102981377A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210452842.1
申请日：2006-06-07
申请人： 高级技术材料公司
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/261 , C11D7/263 , C11D7/265 , C11D7/28 , C11D7/34 , C11D7/50 , G03F7/423
摘要： 本发明公开了金属和电介质相容的牺牲性抗反射涂层清洗及去除组合物。所述清洗及去除组合物包括至少一种含氟化合物、至少一种有机溶剂、任选的水和任选的至少一种螯合剂。所述组合物在集成电路的制造中实现了SARC材料的至少部分的去除，而在基板上的例如铝、铜和钴合金的金属物质的蚀刻最少，并且不破坏在半导体结构中所使用的低-k介电材料。
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公开(公告)号：CN101233456B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200680028153.0
申请日：2006-06-07
申请人： 高级技术材料公司
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/261 , C11D7/263 , C11D7/265 , C11D7/28 , C11D7/34 , C11D7/50 , G03F7/423
摘要： 本发明公开了用于从其上具有牺牲性抗反射涂层(SARC)材料的基板上去除所述牺牲性抗反射涂层材料的液体去除组合物及方法。所述液体去除组合物包括至少一种含氟化合物、至少一种有机溶剂、任选的水和任选的至少一种螯合剂。所述组合物在集成电路的制造中实现了SARC材料的至少部分的去除，而在基板上的例如铝、铜和钴合金的金属物质的蚀刻最少，并且不破坏在半导体结构中所使用的低-k介电材料。
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公开(公告)号：CN101137939A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200680007314.8
申请日：2006-01-09
申请人： 高级技术材料公司
摘要： 公开了一种水基组合物和将硬化的光致抗蚀剂和/或底部抗反射涂层(BARC)材料从其所在的微电子装置上去除的方法。该水基组合物包含至少一种离液序列高的溶质、至少一种碱性碱和去离子水。采用该组合物在集成电路的制造中实现了硬化的光致抗蚀剂和/或BARC材料的高效去除，而不会不利地影响基片上的金属物质、例如铜，也不会破坏在微电子装置结构中使用的低k介电材料。
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公开(公告)号：CN101137939B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN200680007314.8
申请日：2006-01-09
申请人： 高级技术材料公司
摘要： 公开了一种水基组合物和将硬化的光致抗蚀剂和/或底部抗反射涂层(BARC)材料从其所在的微电子装置上去除的方法。该水基组合物包含至少一种离液序列高的溶质、至少一种碱性碱和去离子水。采用该组合物在集成电路的制造中实现了硬化的光致抗蚀剂和/或BARC材料的高效去除，而不会不利地影响基片上的金属物质、例如铜，也不会破坏在微电子装置结构中使用的低k介电材料。
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公开(公告)号：CN101242914A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200680029951.5
申请日：2006-06-16
申请人： 高级技术材料公司
发明人： 迈克尔·B·克赞斯基 , 帕梅拉·M·维辛廷 , 托马斯·H·鲍姆 , 大卫·W·明赛克 , 许从应
IPC分类号： B08B3/00
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/3947 , C11D7/08 , C11D7/264 , C11D7/265 , C11D7/32 , C11D7/34 , C11D7/5004 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02063
摘要： 本发明描述了从微电子器件上除去硬化的光致抗蚀剂、蚀刻后光致抗蚀剂和/或底部抗反射涂层的方法和组合物。所述组合物可包含稠密流体如超临界流体，和稠密流体浓缩物，该稠密流体浓缩物包含共溶剂、任选的氟化物源和任选的酸。所述稠密流体组合物在随后的处理之前从所述微电子器件上基本除去污染性残留物和/或层，从而改善所述微电子器件的形态、性能、可靠性和成品率。
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公开(公告)号：CN101233456A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200680028153.0
申请日：2006-06-07
申请人： 高级技术材料公司
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/261 , C11D7/263 , C11D7/265 , C11D7/28 , C11D7/34 , C11D7/50 , G03F7/423
摘要： 本发明公开了用于从其上具有牺牲性抗反射涂层(SARC)材料的基板上去除所述牺牲性抗反射涂层材料的液体去除组合物及方法。所述液体去除组合物包括至少一种含氟化合物、至少一种有机溶剂、任选的水和任选的至少一种螯合剂。所述组合物在集成电路的制造中实现了SARC材料的至少部分的去除，而在基板上的例如铝、铜和钴合金的金属物质的蚀刻最少，并且不破坏在半导体结构中所使用的低－k介电材料。
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