功率半导体装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111587528A

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN201880086160.9

    申请日:2018-12-11

    Abstract: 本发明的课题在于提高功率半导体装置的可靠性。本发明为一种功率半导体装置,具备:半导体元件;第1端子及第2端子,所述第1端子及第2端子向所述半导体元件传输电流;第1基座及第2基座,所述第1基座及第2基座夹持所述第1端子的一部分、所述第2端子的一部分以及所述半导体元件且互相相对地配置;以及密封材料,其被设置于所述第1基座与所述第2基座之间的空间内,所述第2端子具有中间部,所述中间部以沿着从所述半导体元件离开的方向而使与所述第1端子的距离变大的方式形成,所述中间部设置于所述第1基座与所述第2基座之间并且设置于所述密封材料内。

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