功率半导体装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113039636A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN201980074479.4

    申请日:2019-11-05

    Abstract: 本发明的功率半导体装置包括:绝缘基板,该绝缘基板的一个面配置有第一导体层;第一导体,该第一导体经由第一连接材料连接到所述第一导体层;以及半导体元件,该半导体元件经由第一连接材料与所述第一导体连接,在从所述半导体元件的电极面的直角方向看的情况下,所述第一导体具有形成得比所述半导体元件大的周边部,在所述周边部形成有用于使所述第一连接材料的厚度比其他部分厚的第一凹部。

    构造体
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107924885B

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN201580082498.3

    申请日:2015-08-26

    Abstract: 本发明的目的在于,提供一种抑制冷却介质的旁通流、提高冷却效率的构造体、特别是功率半导体模块。本发明涉及一种构造体,具备:散热板,其与发热体热连接;以及树脂区域,其具有固定所述发热体和所述散热板的树脂材料,其中,所述散热板具有:凸片部,其具有从该散热板的散热面突出、并且从密封树脂材料露出而形成的多个凸片;以及壁部,其从所述散热面向与所述凸片相同的一侧突出而形成,并且将所述凸片部与所述树脂区域隔开。

    功率半导体装置
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113039636B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN201980074479.4

    申请日:2019-11-05

    Abstract: 本发明的功率半导体装置包括:绝缘基板,该绝缘基板的一个面配置有第一导体层;第一导体,该第一导体经由第一连接材料连接到所述第一导体层;以及半导体元件,该半导体元件经由第一连接材料与所述第一导体连接,在从所述半导体元件的电极面的直角方向看的情况下,所述第一导体具有形成得比所述半导体元件大的周边部,在所述周边部形成有用于使所述第一连接材料的厚度比其他部分厚的第一凹部。

    电力转换装置
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106716813B

    公开(公告)日:2019-04-30

    申请号:CN201580048565.X

    申请日:2015-06-08

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种抑制旁流的且散热性能优异的电力转换装置。本发明的电力转换装置包括功率半导体组件(300)和用于配置功率半导体组件(300)的流路形成体(1000),功率半导体组件(300)包括配置于夹在半导体芯片与流路形成体(1000)之间的位置上的高导热体(920),和将功率半导体元件与高导热体(920)密封的密封部件,高导热体(920)在流路形成体(1000)一侧具有向着该流路形成体(1000)突出的翅片,包围翅片的密封部件的一部分与翅片前端处于大致同一个平面。

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