功率半导体装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113039636A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN201980074479.4

    申请日:2019-11-05

    Abstract: 本发明的功率半导体装置包括:绝缘基板,该绝缘基板的一个面配置有第一导体层;第一导体,该第一导体经由第一连接材料连接到所述第一导体层;以及半导体元件,该半导体元件经由第一连接材料与所述第一导体连接,在从所述半导体元件的电极面的直角方向看的情况下,所述第一导体具有形成得比所述半导体元件大的周边部,在所述周边部形成有用于使所述第一连接材料的厚度比其他部分厚的第一凹部。

    功率半导体装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113039636B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN201980074479.4

    申请日:2019-11-05

    Abstract: 本发明的功率半导体装置包括:绝缘基板,该绝缘基板的一个面配置有第一导体层;第一导体,该第一导体经由第一连接材料连接到所述第一导体层;以及半导体元件,该半导体元件经由第一连接材料与所述第一导体连接,在从所述半导体元件的电极面的直角方向看的情况下,所述第一导体具有形成得比所述半导体元件大的周边部,在所述周边部形成有用于使所述第一连接材料的厚度比其他部分厚的第一凹部。

    功率模块
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106663678B

    公开(公告)日:2019-02-26

    申请号:CN201580042025.0

    申请日:2015-07-01

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种可靠性高的功率模块。本发明所涉及的功率模块包括电路主体,以及收纳所述电路主体的外壳,所述外壳具有包含第1基板而构成第1外壳构件,以及包含第2基板而构成的第2外壳构件,所述第1外壳构件具有沿着所述第1基板和所述第2基板的排列方向而形成的第1侧壁部,所述第2外壳构件具有沿着所述排列方向而形成的、并与所述第1侧壁部连接的第2侧壁部,所述第1侧壁部和所述第2侧壁部以所述排列方向上的该第1侧壁部和该第2侧壁部的长度之和小于所述电路主体的厚度的方式形成,所述第1外壳构件具有相比于所述第1基板以及所述第2基板刚度较小的变形部。

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