公开(公告)号：CN113039636B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN201980074479.4

申请日：2019-11-05

Applicant: 日立汽车系统株式会社

Inventor： 岛津博美 ,  金子裕二朗 ,  加藤彻 ,  松下晃 ,  井出英一

IPC: H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M1/00

Abstract: 本发明的功率半导体装置包括：绝缘基板，该绝缘基板的一个面配置有第一导体层；第一导体，该第一导体经由第一连接材料连接到所述第一导体层；以及半导体元件，该半导体元件经由第一连接材料与所述第一导体连接，在从所述半导体元件的电极面的直角方向看的情况下，所述第一导体具有形成得比所述半导体元件大的周边部，在所述周边部形成有用于使所述第一连接材料的厚度比其他部分厚的第一凹部。

公开(公告)号：CN113039636A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201980074479.4

申请日：2019-11-05

Applicant: 日立汽车系统株式会社

Inventor： 岛津博美 ,  金子裕二朗 ,  加藤彻 ,  松下晃 ,  井出英一

IPC: H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M1/00

Abstract: 本发明的功率半导体装置包括：绝缘基板，该绝缘基板的一个面配置有第一导体层；第一导体，该第一导体经由第一连接材料连接到所述第一导体层；以及半导体元件，该半导体元件经由第一连接材料与所述第一导体连接，在从所述半导体元件的电极面的直角方向看的情况下，所述第一导体具有形成得比所述半导体元件大的周边部，在所述周边部形成有用于使所述第一连接材料的厚度比其他部分厚的第一凹部。