半导体装置以及使用该半导体装置的电力变换装置

    公开(公告)号:CN105900323B

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201480072478.3

    申请日:2014-11-28

    Abstract: 本发明抑制伴随电力变换装置的大输出化而来的芯片温度的上升,并实现电力变换装置的小型化。本发明的半导体装置具备:构成逆变器电路的上臂的第1功率半导体元件(1a);构成逆变器电路的下臂的第2功率半导体元件(1c);向第1功率半导体元件(1a)传达电力的第1引线框架(3);向第2功率半导体元件(1c)传达电力的第2引线框架(4);向第1功率半导体元件(1a)传达控制信号的第1栅极引线框架(5);以及封装第1功率半导体元件(1a)、第2功率半导体元件(1c)、第1引线框架(3)、第2引线框架(4)、第1栅极引线框架(5)的封装构件,上述封装构件上形成有贯通孔,在上述贯通孔的内周面,第1栅极引线框架的一部分外露,且第2引线框架(4)的一部分外露。

    功率半导体模块以及功率半导体模块的制造方法

    公开(公告)号:CN106415835B

    公开(公告)日:2019-05-10

    申请号:CN201580030450.8

    申请日:2015-05-11

    Abstract: 本发明在课题在于提供能不使壳体部件大型化地确保良好的冷却的功率半导体模块。在本发明的功率半导体模块中,框状壳体(240)具有前面(231)、背面(241)以及一对侧面(233、234)。在前面(231)和背面(232)的至少一方形成开口部(261),在框状壳体(240)的开口部(261)嵌入金属基体(210),具有对其周缘部和框状壳体(240)的开口部(261)的周缘部进行接合的接合部(FW)。分别在框状壳体(240)的一对侧面(233、234)上形成第一、第二凹部(251、252),其从侧面(233、234)向框状壳体(240)的内侧延伸,在侧面(233、234)的厚度的中间位置具有与接合部(FW)侧面对地形成的底面(11)。

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