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公开(公告)号：CN119630025A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411741333.X
申请日：2024-11-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H10D30/47 , H10D62/824 , H10D62/85 , H10D64/23
Abstract: 本发明公开了一种基于分立栅的低反向阈值电压氮化镓HEMT器件。所述器件包括凸状结构或阶梯结构的外延层；其中，外延层的凸出部分即上台面称为有源区，有源区上表面设置有源电极、顶栅电极和漏电极，源电极和漏电极分别位于有源区上表面两端，顶栅电极位于源电极和漏电极之间；阶梯结构的外延层下台面的上表面设置有一个或多个分立侧栅电极，凸状结构的外延层两侧下台面的上表面均分别设置有一个或多个分立侧栅电极。本发明通过引入分立的侧栅电极结构，使得器件在不降低正向阈值电压的条件下，实现了更低的反向导通阈值电压，可用于解决GaN HEMT功率电子器件反向工作时死区时间损耗过大等问题。
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公开(公告)号：CN116381467B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310652188.7
申请日：2023-06-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) , 华南理工大学
Abstract: 本申请涉及一种双端口近场探头非对称补偿方法、装置、设备和存储介质。该方法包括：获取第一散射参数，第一散射参数由基于对称双端口近场探头建立的对称双端口网络采集得到；获取第二散射参数，第二散射参数由基于非对称元件建立的非对称双端口网络采集得到；获取磁场环境下校准网络的整体响应，校准网络基于对称双端口近场探头以及非对称元件建立；根据对称双端口近场探头的散射参数、非对称元件的散射参数、以及磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，确定校准因子；根据校准因子对对称双端口近场探头进行补偿，从而解决非对称问题，提高了非对称系统的测量精度。
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公开(公告)号：CN114513186A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210089558.6
申请日：2022-01-25
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高频声表面波谐振器及其制备方法，涉及5G通信的微电子器件，针对现有技术中键合转移温度高和机电耦合系数低等问题提出本方案。在高声速衬底远离第一衬底的端面设置第一键合金属层，在压电薄膜远离叉指电极的端面设置第二键合金属层，通过第一键合金属层与第二键合金属层完成压电薄膜与高声速衬底的键合处理。优点在于，与低温金属键合工艺兼容，金属键合的工作温度更低，可以大大降低器件的热应力。其次金属键合可以使得键合界面获得更大的键合能，器件更稳定。另外，以X切铌酸锂为压电薄膜，且叉指电极的垂直方向与压电薄膜Z轴成44°夹角，可以获得更高的机电耦合系数，从而提高器件的带宽。
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公开(公告)号：CN111509076A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010360185.2
申请日：2020-04-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有低暗电流的自驱动型光电探测器及其制备方法，属于半导体器件及其制造领域。通过确定性干法转移的方法制备的Graphene-WSe2-Au结构器件具有良好的光伏特性，避免了传统方法直接在二维材料上蒸镀电极容易引起的费米能级钉扎效应，器件具有良好的光响应。由于器件的两个异质结WSe2-Graphene结和WSe2-Au结具有不对称性，器件具有自驱动特性，可以在零偏压下工作，此时的暗电流几乎可以忽略；此外，由于隧穿层和俘获层的引入，使得即使器件在外部偏压下工作的时候，也能将暗电流控制在很低的数量级。
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公开(公告)号：CN109708766A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910002036.6
申请日：2019-01-02
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种采用声波谐振器和碳纳米管的探测器及其制造方法，探测器包括声波谐振器，所述的声波谐振器包括衬底，在所述的声波谐振器远离衬底的一侧设有碳纳米管。制造方法为在声波谐振器远离衬底的一侧生长碳纳米管。其优点在于：所述的探测器响应时间短、灵敏度高，同时具有较高的工作频率，具有在无线通信领域的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108987525A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810578809.0
申请日：2018-06-07
Applicant: 华南理工大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种MSM光电探测器及其制作方法，该MSM光电探测器包括衬底以及设置在衬底上的二维半导体材料薄片和两个金属电极，所述二维半导体材料薄片的厚度均匀且具有不对称的几何结构，所述两个金属电极相对地设置在二维半导体材料薄片的两个边缘上，且两个金属电极与二维半导体材料薄片的接触长度不同。本发明的MSM光电探测器具有自驱动的功能、较低的探测极限以及较高可靠性，而且本探测器结构优良，制作工艺简单，生产成本低，可广泛应用于半导体行业中。
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公开(公告)号：CN119970026A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510008823.7
申请日：2025-01-03
Applicant: 华南理工大学
IPC: A61B5/1455 , A61B5/00
Abstract: 本发明公开基于Gr‑WSe2‑Pt柔性光电传感器的血氧饱和度测算方法及系统，涉及医疗设备内置技术，针对现有技术中问题提出本方案。主要在于利用柔性光电传感器采集光信号，再利用FPGA开发板做27组电信号的中值更新运算，再利用FPGA开发板提取10秒内实时更新的49974个中值的极值。最后利用2.5亿个时钟周期控制两个波长的光源分别进行周期性输出，基于血氧饱和度计算公式得到血氧饱和度值。优点在于，使用简易光源与柔性贴片式传感器，使得探测部分能够贴在皮肤上。既降低了运动导致的测量误差，也能减少穿戴不适感。同时采用一种简易的算法对测量得到的PPG信号进行计算处理，在能良好抑制噪声的前提下降低对处理器的要求。
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公开(公告)号：CN119269838A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411218369.X
申请日：2024-09-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) , 华南理工大学
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明公开了一种用于测试加速度计交叉轴灵敏度的方法，通过双离心机系统实现，方法包括下述步骤：首先，将待测加速度计固定于从离心机，使从离心机回零并定位于零位，记录待测加速度计的输出U0；接着，设定主离心机的输出加速度为预设值a，启动主离心机，使从离心机角度保持在零度角，记录此时待测加速度计的输出U1；随后，从离心机分别定位至90°、180°、270°，记录各位置待测加速度计的输出U2、U3、U4；利用公式ko＝k1×(U2‑U4)/(U1‑U3)，计算输出轴交叉轴灵敏度ko；最后，重新安装加速度计，重复上述步骤，计算摆轴交叉轴灵敏度kp。本发明的方法可精确测定加速度计的交叉轴灵敏度，提高了测量效率和准确性，适用于各类高精度加速度计测试场景。
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公开(公告)号：CN118742052A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410378064.9
申请日：2024-03-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于协同效应的自驱动光电探测器及制备方法，涉及半导体光电探测领域，针对现有技术中自驱动性能较弱的问题提出本方案。包括层叠在背栅层上的介质层；在所述介质层上端面一侧设有第一电极，另一侧设有第二电极；所述第一电极和第二电极互为异质金属；铺设二维沟道层分别与所述第一电极和第二电极肖特基接触；所述二维沟道层与第一电极边缘的接触长度大于与第二电极边缘的接触长度。优点在于，器件两侧具有不同功函数的电极、两侧电极与半导体具有非对称的接触长度，可以实现增强的自驱动性能，同时无需外场诱导，整体的制备、探测过程简单易重复。
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公开(公告)号：CN118398670A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410866907.X
申请日：2024-07-01
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/49 , H01L29/51 , H10N30/20 , H10N30/853 , H10N39/00
Abstract: 本发明公开了一种基于声表面波及二维材料的晶体管，针对现有技术中二维材料晶体管对载流子种类调控困难而提出本方案。二维材料堆叠区在压电层上表面依次层叠二维材料栅电极、栅介质层和二维材料沟道层；二维材料沟道层上表面分别设置漏极和源极；在栅源电压大于正阈值电压时为N型器件；在栅源电压小于负阈值电压时为P型器件；声波发生组件产生的声波通过压电层传输至二维材料堆叠区，并通过声电效应产生周期变化的电场以调控二维材料沟道层中载流子的运动。优点在于，在单个晶体管内只利用单一沟道层即可了实现N型和P型的自由转换。利用非接触的方式定向操控载流子运动，提高了对器件的调控能力；避免器件因其他调控手段复杂而增大尺寸。
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