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公开(公告)号：CN120074395A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510008822.2
申请日：2025-01-03
Applicant: 华南理工大学
IPC: H03F1/32 , H03F3/21 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开一种应用于功率放大器的可开关自适应动态偏置电路，涉及射频集成技术，针对现有技术中动态调整不方便等问题提出本方案。自适应线性化偏置模块用于根据自适应线性化偏置模块3的静态电流对功率放大器的线性度指标进行动态调整；开关模块用于根据开关电压在对应干路串联电阻上的压降大小控制所述功率放大器的开启或关闭；静态电流调节模块用于根据参考电压在对应干路串联电阻上的压降大小调节静态电路。优点在于：可实现对功率放大器的线性度指标的动态调整，在抑制自热效应与提高线性度等方面得到均衡。仅需调整偏置电路对应开关的电压即可控制应用的整个功率放大器的开关。能够通过调节电阻来实现精确调整静态电流。
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公开(公告)号：CN119227616B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411307031.1
申请日：2024-09-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/27 , G06N20/00 , G06F111/20
Abstract: 本发明公开了一种AI算法驱动的布线层参数化结构2.5‑D寄生电容提取方法，涉及集成电路EDA技术，针对现有技术中求解慢等问题提出本方案。针对已知pattern类型的INPUT文件使用AI Model求解；针对未知pattern类型的INPUT文件使用BEM场求解器求解，同时自动提取该未知pattern类型的全体参数化特征，使用主成分分析法自动对全体参数化特征降维，获取该未知pattern类型的参数化结构特征向量，调用可添加工艺波动的布局模式生成器生成该未知pattern类型的训练数据，用于训练该未知pattern类型的ANN模型，将训练结果更新到所述AI Model，将该未知pattern类型转化为已知pattern类型。优点在于，可针对各采样点进行提取，自动完善AI Model库，实现未知pattern类型转化为已知pattern类型，从而逐渐加速寄生电容提取的速度。
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公开(公告)号：CN119652320A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411690424.5
申请日：2024-11-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H03M1/74
Abstract: 本发明公开了一种电流舵DAC架构，涉及微电子电路技术，包括差分对偶译码模块、多路选择器网络、开关驱动电路阵列、电流源阵列；差分对偶译码模块包括结构一致的两个译码单元，分别为译码单元一和译码单元二；译码单元一设有输入信号输入端，译码单元二设有反相输入信号输入端，译码单元设有低位译码信号输出端、第二译码信号输出端和第三译码信号输出端，低位译码信号输出端与开关驱动电路阵列的输入端连接，第二译码信号输出端和第三译码信号输出端分别通过多路选择器网络与开关驱动电路阵列的输入端连接，且多路选择器网络还设有移位控制信号输入端。本发明减少了传输延时和高频下高电压传输的大损耗问题，提高了转换速率。
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公开(公告)号：CN119630025A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411741333.X
申请日：2024-11-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H10D30/47 , H10D62/824 , H10D62/85 , H10D64/23
Abstract: 本发明公开了一种基于分立栅的低反向阈值电压氮化镓HEMT器件。所述器件包括凸状结构或阶梯结构的外延层；其中，外延层的凸出部分即上台面称为有源区，有源区上表面设置有源电极、顶栅电极和漏电极，源电极和漏电极分别位于有源区上表面两端，顶栅电极位于源电极和漏电极之间；阶梯结构的外延层下台面的上表面设置有一个或多个分立侧栅电极，凸状结构的外延层两侧下台面的上表面均分别设置有一个或多个分立侧栅电极。本发明通过引入分立的侧栅电极结构，使得器件在不降低正向阈值电压的条件下，实现了更低的反向导通阈值电压，可用于解决GaN HEMT功率电子器件反向工作时死区时间损耗过大等问题。
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公开(公告)号：CN119150735A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411210527.7
申请日：2024-08-30
Applicant: 华南理工大学 , 广州市公安局水上分局
IPC: G06F30/28 , G06F113/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种尸体漂移轨迹预测方法、系统、装置及介质。所述方法包括：在感潮河段进行假人漂移现场试验，获取假人漂移过程中的位置信息和漂移速度，基于位置信息得到假人漂移的试验轨迹；采集感潮河段的河道地形数据，并获取感潮河段上下游边界的水位与流量数据；构建感潮河段的水动力模型，并获取感潮河段的的流场情况；以感潮河段流场中的表层流作为自变量，将假人的漂移速度作为因变量，建立感潮河段假人漂移速度的回归模型，以得到用于对感潮河段上尸体的漂移轨迹进行预测的漂移轨迹预测模型。本发明能够准确预测在河道中的尸体的漂移轨迹，帮助水警迅速准确确定溺亡者的尸体位置，为尸体打捞工作提供了便利。
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公开(公告)号：CN119127146A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411307028.X
申请日：2024-09-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F8/30 , G06N3/0499 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了基于神经网络的55nm CMOS工艺SRAM内存编译器Liberty文件生成方法，涉及集成电路设计技术，针对现有技术精度不足等问题提出本方案。S1.收集55nm CMOS工艺SRAM的仿真数据；S2.采用多层感知机作为基本构建模型结构；S3.使用收集的仿真数据进行多模型并行训练；S4.对训练后的模型进行验证和微调以得到最终模型；S5.利用最终模型自动生成Liberty文件。优点在于：(1)提高预测精度；(2)增强数据处理能力；(3)提升模型适应性。
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公开(公告)号：CN118300611B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410496913.0
申请日：2024-04-24
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种电容自举逻辑门及其应用的MO‑TFT SAR ADC，涉及集成电路技术，针对现有技术中静态功耗大和噪声大的问题提出本方案。所述一种电容自举逻辑门，基于MO‑TFT工艺，在输入侧利用自举电容的电压跳变及其所在正反馈环路控制输出侧上拉管导通。所述一种MO‑TFT SAR ADC应用所述电容自举逻辑门。其优点在于，逻辑门在仅使用单电源供电的条件下即可使输出高电平达到电源电压，获得较高的噪声容限，避免了多路电源导致的额外噪声和功耗。在不对逻辑门其余性能产生负面影响的情况下，可以在输入侧的直流通路中使用较小尺寸的晶体管作为下拉管以减小直流静态功耗。
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公开(公告)号：CN117833911B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410141316.6
申请日：2024-01-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于自动切换复位脉冲延迟时间的锁相环，针对现有技术中如何平衡死区与盲区时间的问题提出本方案。所述鉴频鉴相器PFD设置延时控制器Delay，所述延时控制器Delay根据反馈信号Fdn与参考信号Fref之间相位差Δt的大小判断输出延时信号的大小。优点在于，在锁定过程中不用手动切换复位脉冲延迟单元，平衡了死区和盲区在复位脉冲延迟时间上的折中问题，使得锁定时间长度缩减，而且完全无需分辨信号之间的超前还是落后关系。
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公开(公告)号：CN115252778B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202210715656.6
申请日：2022-06-22
Applicant: 南方医科大学皮肤病医院(广东省皮肤病医院、广东省皮肤性病防治中心、中国麻风防治研究中心) , 佛山市第一人民医院(中山大学附属佛山医院) , 广州市第一人民医院(广州消化疾病中心、广州医科大学附属市一人民医院、华南理工大学附属第二医院)
Abstract: 本发明公开了一种基于预激活巨噬细胞膜的仿生囊泡复合物及其制备方法和应用，所述仿生囊泡复合物是膜包核结构，其核为聚集发光光敏剂复合物，其膜是预激活巨噬细胞膜。其制备步骤包括：特定病原体刺激巨噬细胞，提取表达特定病原体特异性受体的预激活巨噬细胞膜；制备聚集发光光敏剂复合物；提取得到的巨噬细胞膜、聚集发光光敏剂复合物进行水浴超声处理，得到仿生囊泡复合物。仿生囊泡复合物可在制备杀伤特定病原体药物、光动力治疗特定病原体相关疾病药物中应用。本发明优点包括：可实现病灶特定病原体肉芽肿和肉芽肿内病原体的双重靶向，然后在近红外光照射下实现靶向PDT，增加疗效、减少疗程，降低药物的毒副作用，实现综合精准治疗，达到多模态综合治疗的目的。
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公开(公告)号：CN113794466B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202111003878.7
申请日：2021-08-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于单极性晶体管的压控振荡器及模数转换器，其中压控振荡器包括：环形振荡器；延时单元，包括第一晶体管、第二晶体管和第一电容；第一晶体管的漏极连接电源电压VDD，第一晶体管的源极与第二晶体管的漏极连接，第二晶体管的源极接地，第二晶体管的漏极通过第一电容接地；第二晶体管的漏极连接至环形振荡器的输入端，环形振荡器的输出端连接至第一晶体管的栅极，第二晶体管的栅极连接控制电压Vctrl；第一晶体管工作在饱和区，第二晶体管工作在深三极管区；延时单元的延时远大于环形振荡器的延时。本发明提出一种仅使用n管或p管来设计压控振荡器的方案，满足特殊工艺上的要求，可广泛应用于半导体集成电路领域。
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