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公开(公告)号：CN115252778B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202210715656.6
申请日：2022-06-22
申请人： 南方医科大学皮肤病医院(广东省皮肤病医院、广东省皮肤性病防治中心、中国麻风防治研究中心) , 佛山市第一人民医院(中山大学附属佛山医院) , 广州市第一人民医院(广州消化疾病中心、广州医科大学附属市一人民医院、华南理工大学附属第二医院)
摘要： 本发明公开了一种基于预激活巨噬细胞膜的仿生囊泡复合物及其制备方法和应用，所述仿生囊泡复合物是膜包核结构，其核为聚集发光光敏剂复合物，其膜是预激活巨噬细胞膜。其制备步骤包括：特定病原体刺激巨噬细胞，提取表达特定病原体特异性受体的预激活巨噬细胞膜；制备聚集发光光敏剂复合物；提取得到的巨噬细胞膜、聚集发光光敏剂复合物进行水浴超声处理，得到仿生囊泡复合物。仿生囊泡复合物可在制备杀伤特定病原体药物、光动力治疗特定病原体相关疾病药物中应用。本发明优点包括：可实现病灶特定病原体肉芽肿和肉芽肿内病原体的双重靶向，然后在近红外光照射下实现靶向PDT，增加疗效、减少疗程，降低药物的毒副作用，实现综合精准治疗，达到多模态综合治疗的目的。
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公开(公告)号：CN113794466B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202111003878.7
申请日：2021-08-30
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明公开了一种基于单极性晶体管的压控振荡器及模数转换器，其中压控振荡器包括：环形振荡器；延时单元，包括第一晶体管、第二晶体管和第一电容；第一晶体管的漏极连接电源电压VDD，第一晶体管的源极与第二晶体管的漏极连接，第二晶体管的源极接地，第二晶体管的漏极通过第一电容接地；第二晶体管的漏极连接至环形振荡器的输入端，环形振荡器的输出端连接至第一晶体管的栅极，第二晶体管的栅极连接控制电压Vctrl；第一晶体管工作在饱和区，第二晶体管工作在深三极管区；延时单元的延时远大于环形振荡器的延时。本发明提出一种仅使用n管或p管来设计压控振荡器的方案，满足特殊工艺上的要求，可广泛应用于半导体集成电路领域。
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公开(公告)号：CN118352314A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410417236.9
申请日：2024-04-09
申请人： 广东汇芯半导体有限公司 , 华南理工大学
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/498 , H01L23/367
摘要： 本发明涉及电路技术领域，提供了一种集成式半导体电路，其包括线路板、嵌入所述线路板具备元器件的一侧并与所述线路板电连接的半导体电路板以及固定于所述线路板远离所述半导体电路板一侧并与所述半导体电路板相对设置的散热器。本发明中集成式半导体电路通过无引脚设置的方式实现了半导体电路板与线路板的集成，不仅避免了通过引脚连接两个电路模块而因引脚焊接公差在塑封时产生的应力导致引脚焊接处的绝缘层出现分层情况，还避免了人体静电对内部芯片产生的影响，并降低其生产成本，提高生产效率，另外，还提升了其散热能力。
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公开(公告)号：CN117875253B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410046590.5
申请日：2024-01-11
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： G06F30/392 , G06F30/394 , G06N3/126 , G06F111/06
摘要： 本发明公开了一种面向工艺节点可迁移的标准单元版图自动生成方法，涉及电子设计自动化，针对现有技术中人工布图耗时的问题提出本方案。定义设计规则文件和Netlist文件；利用启发式搜索算法得到最优解作为晶体管相对位置局部信息；根据所述最优解进行版图布线，对符合设计规则的标准单元版图生成GDSII文件；最后根据所述最优解和GDSII文件进行不同工艺节点的布局迁移生成新的版图。优点在于，既能够满足单一工艺节点下的批量版图生成，还能满足不同工艺节点下的版图生成，实现不同工艺节点间的迁移。可以从180nm的工艺节点迁移到55nm、40nm、28nm或者其他的工艺节点中也适用。
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公开(公告)号：CN117833493B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410238575.0
申请日：2024-03-04
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明公开了一种无线能量传输系统及其全局控制方法，涉及新一代信息技术中的电能存储系统，针对现有技术中负载移位键控法失效问题提出本方案。对发射端输出至无线功率传输链路串联谐振腔的电流信号进行采样，根据电流信号峰值变化的速率得到负载移位信息，控制发射端在全功率模式与低功率模式之间切换；在接收端输出信号的电压值到达限值时，对无线功率传输链路并联谐振腔作一定时长的短路，以使通过所述无线功率传输链路反馈负载移位信息至所述发射端。优点在于，可以通过检测发射端电流峰值变化的速率，来判断接收端的等效阻抗信息，不受接收端等效阻抗变化发生时刻的影响，提高了此类无线能量传输系统的稳定性和设计便利性。
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公开(公告)号：CN118199598A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410393462.8
申请日：2024-04-02
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： H03K17/687 , H03M1/12 , H03M3/00
摘要： 本发明公开了应用于高精度ΣΔ调制器的高线性度栅压自举开关电路，涉及集成电路，针对现有技术中采样线性度不足的问题提出本方案。利用对称设置且反相导通的N型自举开关通路和P型自举开关通路分别进行信号采样。其中N型自举开关通路和P型自举开关通路分别设有对应虚拟开关管，利用虚拟开关管的时钟馈通效应将采样开关管所产生的时钟馈通效应反向补偿，抑制了时钟馈通效应对ΣΔ调制器性能的影响。同时还配置电荷注入效应、并联等效导通电阻，进一步改善器件性能。最终有效提升器件整体输出的采样线性度。
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公开(公告)号：CN117439406B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311382084.5
申请日：2023-10-23
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： H02M3/155
摘要： 本发明公开了一种高转换比的三电流路径混合降压变换器，涉及电压转换技术，针对现有技术中双电感存在的问题提出本方案。在电感磁化期间，利用前置于电感的若干飞电容分担电感的电压以降低开关节点的电压摆幅，进而减小电感的电流纹波和AC损耗；在电感退磁期间，所述若干飞电容构成两路容性电流路径以减小电感的电流应力。优点在于，采用了单电感双相工作，因此不需要相位交错，实现稳态全范围占空比。同时通过引入容性电流路径，减小电感电流应力。合适地引入三个飞电容，有效降低了开关节点的电压摆幅，减小了电感电流纹波和AC损耗。由于变换器支持全范围的占空比，因此输出电压的最大值扩展到VIN/4。
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公开(公告)号：CN117494644B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311478539.3
申请日：2023-11-07
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： G06F30/392 , G06F30/398 , G06N20/00
摘要： 本发明公开了一种自监督学习的DTCO标准单元库版图布局方法。针对全自动标准单元库版图布局生成问题，该方法收集行业相关语义文件、标准单元库Spice网表文件、设计规则文件以及相对应的标准单元库版图布局信息的数据文件。建立自监督学习深度学习模型，采用无监督预训练结合监督微调的深度框架。在训练过程中，自适应动态调整深度学习模型的参数权重和超参数，直到生成内容满足某工艺节点设计规则的版图布局要求。该发明实现了标准单元库版图布局的全自动生成，降低了人工设计成本，可广泛应用于芯片设计流程的智能化和自动化。
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公开(公告)号：CN117556770B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410043869.8
申请日：2024-01-12
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： G06F30/367 , G06F30/373
摘要： 本发明公开了一种新型GaN HEMT晶体管高频噪声等效电路模型，涉及半导体器件建模技术，针对现有技术中临拟合程度较低等问题提出本方案。寄生部分等效电路分别设置微带线串接在本征部分等效电路的源漏栅各连接点与对应极之间；再设置栅极散粒噪声电流源#imgabs0#串接在微带线TLg和微带线TLs之间。优点在于，采用分布参数元件与集总参数元件混合构建，提升了GaN HEMT等效电路模型在毫米波频段的适用性和准确度。所引入的有耗传输线的等效电感电阻值随频率变化，扩展了适用带宽。传输线参数可通过工艺参数或版图结构信息直接得出，简化了参数提取步骤。
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