公开(公告)号：CN119630025A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411741333.X

申请日：2024-11-29

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 武鹏 ,  杨文 ,  蒋华杏 ,  周长见 ,  李斌

IPC: H10D30/47 ,  H10D62/824 ,  H10D62/85 ,  H10D64/23

Abstract: 本发明公开了一种基于分立栅的低反向阈值电压氮化镓HEMT器件。所述器件包括凸状结构或阶梯结构的外延层；其中，外延层的凸出部分即上台面称为有源区，有源区上表面设置有源电极、顶栅电极和漏电极，源电极和漏电极分别位于有源区上表面两端，顶栅电极位于源电极和漏电极之间；阶梯结构的外延层下台面的上表面设置有一个或多个分立侧栅电极，凸状结构的外延层两侧下台面的上表面均分别设置有一个或多个分立侧栅电极。本发明通过引入分立的侧栅电极结构，使得器件在不降低正向阈值电压的条件下，实现了更低的反向导通阈值电压，可用于解决GaN HEMT功率电子器件反向工作时死区时间损耗过大等问题。

公开(公告)号：CN118610246A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410673670.3

申请日：2024-05-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 杨文 ,  宋传 ,  周长见 ,  蒋华杏 ,  李斌

IPC: H01L29/778 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明公开了一种低热阻氮化镓倒装封装结构。所述器件结构包括隔离层、有源层、钝化层以及介质插槽阵列；有源层上表面的两端分别连接源电极和漏电极；在源电极和漏电极之间的有源层上表面淀积栅极金属，形成栅电极；有源层上表面除连接源电极、漏电极和栅电极的位置、以及源电极、漏电极和栅电极的上表面，均淀积有设定厚度的钝化层；钝化层内设置有插槽阵列，插槽阵列放置在栅电极与漏电极之间的钝化层中，插槽阵列中包括多个排成一列的插槽，插槽阵列中的插槽内填充有介质材料。通过在Flip Chip封装的基础上采用本发明的结构，在维持器件输出能力不变的条件下，实现了近50℃器件峰值温度的下降，可广泛应用于多个领域。

公开(公告)号：CN118610245A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410673548.6

申请日：2024-05-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 杨文 ,  宋传 ,  周长见 ,  蒋华杏 ,  李斌

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种低热阻氮化镓器件结构。所述器件结构包括隔离层、有源层和介质插槽阵列；有源层位于隔离层上表面，隔离层的宽度大于有源层，形成凸台结构；有源层上表面的两端分别连接源电极和漏电极；在源电极和漏电极之间的势垒层上表面淀积栅极金属，形成栅电极；在栅电极与漏电极之间的有源层中设置有插槽阵列，插槽阵列中包括多个排成一列的插槽，插槽中填充有介质材料；本发明通过引入介质插槽阵列，使得器件在不降低器件饱和时电流输出能力的条件下，实现了近50℃器件峰值温度的降低，同时得到了温度分布高度均匀的温区，可用于解决HEMT功率电子器件由高温引起的自热效应等可靠性问题。