公开(公告)号：CN118610246A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410673670.3

申请日：2024-05-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 杨文 ,  宋传 ,  周长见 ,  蒋华杏 ,  李斌

IPC: H01L29/778 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明公开了一种低热阻氮化镓倒装封装结构。所述器件结构包括隔离层、有源层、钝化层以及介质插槽阵列；有源层上表面的两端分别连接源电极和漏电极；在源电极和漏电极之间的有源层上表面淀积栅极金属，形成栅电极；有源层上表面除连接源电极、漏电极和栅电极的位置、以及源电极、漏电极和栅电极的上表面，均淀积有设定厚度的钝化层；钝化层内设置有插槽阵列，插槽阵列放置在栅电极与漏电极之间的钝化层中，插槽阵列中包括多个排成一列的插槽，插槽阵列中的插槽内填充有介质材料。通过在Flip Chip封装的基础上采用本发明的结构，在维持器件输出能力不变的条件下，实现了近50℃器件峰值温度的下降，可广泛应用于多个领域。

公开(公告)号：CN118610245A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410673548.6

申请日：2024-05-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 杨文 ,  宋传 ,  周长见 ,  蒋华杏 ,  李斌

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种低热阻氮化镓器件结构。所述器件结构包括隔离层、有源层和介质插槽阵列；有源层位于隔离层上表面，隔离层的宽度大于有源层，形成凸台结构；有源层上表面的两端分别连接源电极和漏电极；在源电极和漏电极之间的势垒层上表面淀积栅极金属，形成栅电极；在栅电极与漏电极之间的有源层中设置有插槽阵列，插槽阵列中包括多个排成一列的插槽，插槽中填充有介质材料；本发明通过引入介质插槽阵列，使得器件在不降低器件饱和时电流输出能力的条件下，实现了近50℃器件峰值温度的降低，同时得到了温度分布高度均匀的温区，可用于解决HEMT功率电子器件由高温引起的自热效应等可靠性问题。