公开(公告)号：CN118136690A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410258920.7

申请日：2024-03-07

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 蒋华杏 ,  田勇 ,  陈志坚 ,  李斌

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种垂直型肖特基二极管及其制备方法，涉及半导体器件，针对现有技术中反向击穿电压与正向导通电阻的矛盾提出本方案。在漂移层和衬底外设有氧化层以电性隔绝阳极；所述氧化层的底部厚度大于侧壁厚度。其优点在于：仅利用N型掺杂材料实现器件，避免了P型掺杂的引入，工艺方法相对简单。沟槽的深度足够大，可深达1至20μm，形成深沟槽结构。利用深沟槽结构将反向阻断时的电场延伸到整个漂移层，使得击穿特性主要依赖于漂移层厚度而减弱了对掺杂浓度的依赖。因此，可以进一步选取更高浓度的漂移层来保证更优的正向导通特性，最终实现了接近矩形的均匀电场分布，最大化提升器件的特性，击穿时平均电场可达2.34MV/cm，高于现有水平。

公开(公告)号：CN117637894A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311748429.4

申请日：2023-12-18

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 蒋华杏 ,  黄馨莹 ,  陈志坚 ,  李斌

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种超薄势垒的增强型异质结紫外光电探测器及其制备方法，涉及半导体领域，针对现有技术中难以同时实现低暗电流和高光电流等问题提出本方案。氮化镓本征层、氮化铝空间隔离层和氮化铝镓势垒层组成AlGaN/GaN异质结，再利用钝化层降低氮化铝镓势垒层的表面电位而得到区域化的2DEG。优点在于，基于超薄势垒的异质结紫外探测器能够较大程度简化工艺，有效降低了工艺复杂度和制造成本，同时基于异质结结构的导电沟道可以有效减少光生载流子的表面散射效应和库伦散射效应，具有低暗电流、高光电导增益、高可靠性及易集成等优点，在军事和民用领域拥有巨大的潜力和应用前景。

公开(公告)号：CN118610246A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410673670.3

申请日：2024-05-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 杨文 ,  宋传 ,  周长见 ,  蒋华杏 ,  李斌

IPC: H01L29/778 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明公开了一种低热阻氮化镓倒装封装结构。所述器件结构包括隔离层、有源层、钝化层以及介质插槽阵列；有源层上表面的两端分别连接源电极和漏电极；在源电极和漏电极之间的有源层上表面淀积栅极金属，形成栅电极；有源层上表面除连接源电极、漏电极和栅电极的位置、以及源电极、漏电极和栅电极的上表面，均淀积有设定厚度的钝化层；钝化层内设置有插槽阵列，插槽阵列放置在栅电极与漏电极之间的钝化层中，插槽阵列中包括多个排成一列的插槽，插槽阵列中的插槽内填充有介质材料。通过在Flip Chip封装的基础上采用本发明的结构，在维持器件输出能力不变的条件下，实现了近50℃器件峰值温度的下降，可广泛应用于多个领域。

公开(公告)号：CN118610245A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410673548.6

申请日：2024-05-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 杨文 ,  宋传 ,  周长见 ,  蒋华杏 ,  李斌

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种低热阻氮化镓器件结构。所述器件结构包括隔离层、有源层和介质插槽阵列；有源层位于隔离层上表面，隔离层的宽度大于有源层，形成凸台结构；有源层上表面的两端分别连接源电极和漏电极；在源电极和漏电极之间的势垒层上表面淀积栅极金属，形成栅电极；在栅电极与漏电极之间的有源层中设置有插槽阵列，插槽阵列中包括多个排成一列的插槽，插槽中填充有介质材料；本发明通过引入介质插槽阵列，使得器件在不降低器件饱和时电流输出能力的条件下，实现了近50℃器件峰值温度的降低，同时得到了温度分布高度均匀的温区，可用于解决HEMT功率电子器件由高温引起的自热效应等可靠性问题。

公开(公告)号：CN117375544A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311382094.9

申请日：2023-10-23

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 蒋华杏 ,  陈水熙 ,  陈志坚 ,  李斌

IPC: H03F3/60 ,  H03F1/42 ,  H03F1/32 ,  H03F1/26

Abstract: 本发明公开了一种三重级联结构的超宽带分布式低噪声放大器，涉及微电子技术，针对现有技术中增益和带宽都较低的问题提出本方案。在输入人工传输线和输出人工传输线之间并联若干增益单元；输入人工传输线的首端串接第一电容后作为信号输入端，末端依次通过栅极终端单元和第二扼流电感后连接第一栅极偏置电压；输出人工传输线的末端串接第七电容后作为信号输出端；首端依次通过漏极终端单元和第一扼流电感后连接工作电压；每一增益单元结构相同，均分别由三个GaN晶体管级联而成。优点在于可以实现大的带宽和较高的线性度。增益单元有效补偿了分布式放大器高频增益的滚降，有效拓展了分布式低噪声放大器的带宽，实现了多倍频程的超宽带放大器。

公开(公告)号：CN119630025A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411741333.X

申请日：2024-11-29

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 武鹏 ,  杨文 ,  蒋华杏 ,  周长见 ,  李斌

IPC: H10D30/47 ,  H10D62/824 ,  H10D62/85 ,  H10D64/23

Abstract: 本发明公开了一种基于分立栅的低反向阈值电压氮化镓HEMT器件。所述器件包括凸状结构或阶梯结构的外延层；其中，外延层的凸出部分即上台面称为有源区，有源区上表面设置有源电极、顶栅电极和漏电极，源电极和漏电极分别位于有源区上表面两端，顶栅电极位于源电极和漏电极之间；阶梯结构的外延层下台面的上表面设置有一个或多个分立侧栅电极，凸状结构的外延层两侧下台面的上表面均分别设置有一个或多个分立侧栅电极。本发明通过引入分立的侧栅电极结构，使得器件在不降低正向阈值电压的条件下，实现了更低的反向导通阈值电压，可用于解决GaN HEMT功率电子器件反向工作时死区时间损耗过大等问题。