公开(公告)号：CN118300611B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410496913.0

申请日：2024-04-24

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 吴朝晖 ,  李政槺 ,  李斌 ,  赵明剑

IPC: H03M1/46 ,  H03K19/20

Abstract: 本发明公开了一种电容自举逻辑门及其应用的MO‑TFT SAR ADC，涉及集成电路技术，针对现有技术中静态功耗大和噪声大的问题提出本方案。所述一种电容自举逻辑门，基于MO‑TFT工艺，在输入侧利用自举电容的电压跳变及其所在正反馈环路控制输出侧上拉管导通。所述一种MO‑TFT SAR ADC应用所述电容自举逻辑门。其优点在于，逻辑门在仅使用单电源供电的条件下即可使输出高电平达到电源电压，获得较高的噪声容限，避免了多路电源导致的额外噪声和功耗。在不对逻辑门其余性能产生负面影响的情况下，可以在输入侧的直流通路中使用较小尺寸的晶体管作为下拉管以减小直流静态功耗。

公开(公告)号：CN118300611A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410496913.0

申请日：2024-04-24

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 吴朝晖 ,  李政槺 ,  李斌 ,  赵明剑

IPC: H03M1/46 ,  H03K19/20

Abstract: 本发明公开了一种电容自举逻辑门及其应用的MO‑TFT SAR ADC，涉及集成电路技术，针对现有技术中静态功耗大和噪声大的问题提出本方案。所述一种电容自举逻辑门，基于MO‑TFT工艺，在输入侧利用自举电容的电压跳变及其所在正反馈环路控制输出侧上拉管导通。所述一种MO‑TFT SAR ADC应用所述电容自举逻辑门。其优点在于，逻辑门在仅使用单电源供电的条件下即可使输出高电平达到电源电压，获得较高的噪声容限，避免了多路电源导致的额外噪声和功耗。在不对逻辑门其余性能产生负面影响的情况下，可以在输入侧的直流通路中使用较小尺寸的晶体管作为下拉管以减小直流静态功耗。