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公开(公告)号：CN119269838A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411218369.X
申请日：2024-09-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) , 华南理工大学
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明公开了一种用于测试加速度计交叉轴灵敏度的方法，通过双离心机系统实现，方法包括下述步骤：首先，将待测加速度计固定于从离心机，使从离心机回零并定位于零位，记录待测加速度计的输出U0；接着，设定主离心机的输出加速度为预设值a，启动主离心机，使从离心机角度保持在零度角，记录此时待测加速度计的输出U1；随后，从离心机分别定位至90°、180°、270°，记录各位置待测加速度计的输出U2、U3、U4；利用公式ko＝k1×(U2‑U4)/(U1‑U3)，计算输出轴交叉轴灵敏度ko；最后，重新安装加速度计，重复上述步骤，计算摆轴交叉轴灵敏度kp。本发明的方法可精确测定加速度计的交叉轴灵敏度，提高了测量效率和准确性，适用于各类高精度加速度计测试场景。
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公开(公告)号：CN119337558A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411218381.0
申请日：2024-09-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) , 华南理工大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/17 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种考虑多种失效机制的真空封装MEMS器件腔体真空退化模型构建方法及评价方法，模型构建方法包括：(1)真空度表征：利用品质因子对腔体的真空度进行表征；(2)真空退化数理模型建模：a.计算腔体内释放的气体分子数，获取腔体内部释气导致的第一真空退化数理模型；b.计算腔体内由外部泄露进来的气体分子数，获取腔体内由外部泄露导致的第二真空退化数理模型；c.第一、第二真空退化数理模型，基于算腔体内总气体分子数与腔体气压的关系，获取腔体内部真空度退化模型。在构建的真空度退化模型基础上，本发明还提供了真空封装MEMS器件真空退化进行可靠性评价的方法，并可实现对真空封装MEMS器件真空度退化进行可靠性预计。
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公开(公告)号：CN119673886A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510179770.5
申请日：2025-02-19
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L23/373 , H01L21/48 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本申请涉及一种半导体器件及其制备方法。本申请的半导体器件的制备方法包括如下步骤：于的表面形成第一金属粘接层；于金刚石散热层的表面上形成第二金属粘接层；于第一金属粘接层和第二金属粘接层的表面上分别涂覆纳米银膏；将第一金属粘接层和第二金属粘接层设置于泡沫铜层的相对表面上，通过加热处理使纳米银膏和泡沫铜层形成化合物层，化合物层的材料包括Ag2Cu3。本申请的半导体器件的制备方法能够制备得到具有金刚石散热层的散热效果较好的半导体器件。同时，上述制备方法对金刚石的表面粗糙度的要求较低，无需对金刚石进行抛光，制备难度较低。
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公开(公告)号：CN119510941A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411615547.2
申请日：2024-11-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00 , G01R31/52 , G01R31/54 , G06F18/2415 , G06F18/211 , G06F18/10 , G06F18/2131 , G06F123/02
Abstract: 本申请涉及一种故障诊断方法、装置、设备及计算机可读存储介质。方法包括：获取电力电子设备的电力参数信息集合中每个电力参数信息对应的反余弦值以及反正弦值；根据各电力参数信息对应的反余弦值以及反正弦值，确定各电力参数信息的三角差分特征值；根据各三角差分特征值，构建电力电子设备的电力参数特征图；采用参数故障诊断模型对电力参数特征图进行处理，得到电力电子设备的故障诊断结果。采用本方法能够提高电力电子设备的故障诊断结果的准确性。
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公开(公告)号：CN119438644A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411619070.5
申请日：2024-11-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种COS激光芯片测试夹具总成以及测试系统。COS激光芯片测试夹具总成包括承载底座、绝缘压板、导电组件以及导热组件。激光芯片可拆卸连接于所述绝缘压板以及所述承载底座之间。至少部分绝缘压板、导电组件以及承载底座沿承载底座的厚度方向上依次重叠设置。激光芯片通过导电组件与外部的电源组件电连接。激光芯片通过所述导热组件与所述承载底座间隔设置。导热组件能够被控制形成热端和冷端。冷端用于与激光芯片的热沉组件配合进行热交换以对激光芯片进行预冷处理。热端用于与承载底座抵接配合进行热交换以使通过承载底座进行散热。本申请中的COS激光芯片测试夹具总成有利于提高测试过程中的芯片散热效果问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119377775A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411517129.X
申请日：2024-10-28
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F18/241 , G06F18/213 , G06F18/10 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06N3/0455 , G06N3/047
Abstract: 本发明公开了一种电力电子设备参数性故障诊断方法和计算机设备，所述方法包括：采集电力电子设备的电流信号，通过归一化公式对电流信号进行归一化处理得到归一化后的特征值；对特征值求取反余弦值；通过欧拉公式构造欧拉差分公式，将特征值对应的反余弦值代入欧拉差分公式得到欧拉差分特征值；将欧拉差分特征值转换为灰度图，作为Vision Transformer模型的输入特征图像；利用Vision Transformer模型对输入特征图像进行分类，得到图像类别作为电力电子设备不同类型参数性故障的诊断结果。本发明能够实现电力电子设备参数性故障的精确诊断，克服由于电力电子设备不同程度的老化之间特征变化不明显、难以对退化特征进行有效提取所导致的电力电子设备参数性故障诊断不准确的问题。
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公开(公告)号：CN119064768B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411570987.0
申请日：2024-11-06
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种倒装芯片互连可靠性测试方法和计算机设备，所述方法针对需进行可靠性测试评估的倒装芯片制作测试芯片，测试芯片采用与实际芯片相同的封装工艺，通过多路独立的菊花链式焊点结构实现芯片与基板互连，通过芯片端和基板端内置测温元件实现焊点温度监测，通过芯片端和基板端内置加热元件实现焊点温度应力加载，通过外置电流应力加载实现芯片的温度控制以及互连焊点的电流加载进而可实现高温、功率循环、电迁移以及热迁移等可靠性测试。本发明能够有效解决传统方案中需搭载多套温度控制设备、需大量测试样品，热迁移测试过程中热梯度差难以量化评估，以及电迁移测试过程焊点实际温度高于温度控制设备设置的温度等问题。
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公开(公告)号：CN118604468A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410995473.3
申请日：2024-07-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R29/08
Abstract: 本申请提供一种电磁场复合探头、电磁测量方法和电磁测量装置，涉及电磁测量技术领域，该电磁场复合探头包括第一感应线圈和第二感应线圈，第一感应线圈具有第一端口和第二端口，第二感应线圈具有第三端口和第四端口，第一端口、第二端口、第三端口和第四端口分别用于输出两个感应线圈共同感应探测区域沿两个方向的电磁场生成的第一电信号、第二电信号、第三电信号和第四电信号，第一电信号、第二电信号、第三电信号和第四电信号用于确定沿两个方向的电磁场强度。本申请的电磁场复合探头可探测两个方向的电磁场分量，能够提高电磁场测量时的探测效率。
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公开(公告)号：CN116400152B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202310242891.0
申请日：2023-03-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00
Abstract: 本申请涉及一种器件的可靠性确定方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：对施加了应力和功率射频信号的多个测试器件分别进行传输特性监测，得到每一测试器件各自的传输特性监测结果；当传输特性监测结果表征达到器件失效条件时，根据传输特性监测结果，确定器件失效时间；基于每一测试器件各自的器件失效时间，确定器件特征寿命与器件使用时间的关联关系；当获取到针对目标器件的可靠度分析请求时，基于目标器件的使用时间，按照关联关系确定目标器件的目标特征寿命；根据目标特征寿命所表征的时长，确定目标器件的使用可靠性。采用本方法能够对器件的可靠性做出准确评价。
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公开(公告)号：CN112285611B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202010983672.4
申请日：2020-09-18
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及失效分析技术领域，具体公开一种器件失效分析定位方法，包括：对扫描探头进行校准，获取校准数据；控制扫描探头对待测器件进行扫描，并获得第一参数信息，第一参数信息用于表征待测器件扫描高度平面的电磁场信息；根据第一参数信息和校准数据，确定待测器件目标高度平面的电磁场信息；根据待测器件目标高度平面的电磁场信息，确定待测器件表面的电学分布；根据待测器件表面的电学分布，确定待测器件的失效位置。基于电磁注入和探测的原理，结合待测器件表面的电磁场信息实现对待测器件的失效位置的分析，相对于传统的失效分析方法而言，成本较低，且无需对待测器件进行破坏，整体失效定位方法可靠性较高。
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