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公开(公告)号:CN114348954B
公开(公告)日:2025-05-16
申请号:CN202111500405.8
申请日:2021-12-09
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及一种MEMS圆片键合机构及MEMS圆片键合的原位解封方法。所述MEMS圆片键合机构包括:盖帽件、MEMS功能零件、支撑件与第一加热组件,所述盖帽件键合在所述支撑件上,且所述盖帽件与所述支撑件配合形成键合部,所述MEMS功能零件键合在所述键合部上,所述第一加热组件装设在所述支撑件上,且所述第一加热组件用于对所述盖帽件与所述支撑件的键合处进行加热处理。相较于传统的原位解封方式,上述MEMS圆片键合机构能够更加有针对性的实现盖帽件与支撑件的原位解封。
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公开(公告)号:CN115083542B
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202210570076.2
申请日:2022-05-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G16C60/00
Abstract: 本申请涉及一种焊点的合金化寿命预测方法、装置以及计算机设备。上述焊点包括第一金属的焊盘及第二金属的焊料层,上述焊盘与上述焊料层合金化生成包括第一金属及第二金属的界面金属化合物层;上述方法包括:获取上述焊盘、上述焊料层及上述界面金属化合物层内上述第一金属的通量;获取上述界面金属化合物层中上述第一金属的净通量及上述第一金属的净通量与上述界面金属化合物层的生长速率的关系;基于上述第一金属的净通量与上述界面金属化合物层的生长速率的关系建立上述界面金属化合物层的生长模型;基于上述界面金属化合物层的生长模型预测上述焊点的合金化寿命。采用本方法能够提高预测准备度,降低时间成本和经济成本。
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公开(公告)号:CN113948497B
公开(公告)日:2025-02-07
申请号:CN202111027584.8
申请日:2021-09-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 本发明涉及半导体测温技术领域,公开了一种反射率热成像仪测试模块及测试方法,包括第一测试样品区域,所述第一测试样品区域包括以不同间隔距离排布的多条金属线,每条所述金属线的两端都设有焊盘,且每条所述金属线的尺寸均相同;第一功率模块,与任意两条相邻的所述金属线的焊盘相连接,用于向任意两条相邻的所述金属线提供第一测试电信号。利用本公开提供的反射率热成像仪测试模块可以实现对反射率热成像仪的关键指标进行测试验证,从而可以对反射率热成像仪的测试性能进行进一步研究与提高。
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公开(公告)号:CN114019276B
公开(公告)日:2024-11-19
申请号:CN202111275341.6
申请日:2021-10-29
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开关于一种近场探头空间分辨率的表征方法、计算机设备及校准件。该方法包括:用磁场探头扫描被测物的zi平面,得到所述被测物磁场探头输出的第一场强数据;用磁场探头扫描微带线校准件的Zj平面,得到所述微带线校准件磁场探头输出的第二场强数据;根据平面波谱变换方式,将所述第一场强数据和第二场强数据变换到平面波谱域;对所述微带线校准件进行仿真得到Zj平面的参考场强数据;根据所述第一波谱域数据、第二波谱域数据和参考场数据计算得到被测物的场强数据;基于所述被测物的场强数据的值表征空间分辨率的场强值。利用本公开方案可以精确的表征出近场探头空间分辨率的值。
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公开(公告)号:CN114035013B
公开(公告)日:2024-06-18
申请号:CN202111215184.X
申请日:2021-10-19
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种缺陷诊断方法和缺陷诊断装置,缺陷诊断方法包括构建数据模型,数据模型包括已知缺陷信息和与已知缺陷信息对应的仿真特征参数;获取待测三维无源器件的特征参数;基于已知缺陷信息、仿真特征参数和待测三维无源器件的特征参数,获得待测三维无源器件的缺陷信息。通过数据模型构建模块构建数据模型,通过数据采集模块采集待测三维无源器件的特征参数,再搭配数据处理模块,获得待测三维无源器件的缺陷信息,可以同时诊断多缺陷和多故障;通过本发明的缺陷诊断方法和缺陷诊断装置,批量化诊断缺陷类型、缺陷尺寸和缺陷位置,解决复合缺陷检测与诊断的数据量大、操作困难问题,加快生产厂家的可靠性检测效率、检测精度和检测准确度。
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公开(公告)号:CN113132521B
公开(公告)日:2024-04-23
申请号:CN202110238546.0
申请日:2021-03-04
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H04M1/24
Abstract: 本发明涉及辐射效应评估技术领域,公开了一种移动终端软故障测试方法和系统,包括使得待测移动终端处于测试模式之下;使用中子束流对所述待测移动终端进行辐照测试;控制所述待测移动终端运行不同的应用功能;对所述待测移动终端进行监测,观察并统计所述待测移动终端在运行不同的应用功能时的错误情况;根据所述错误情况区分不同的软故障类型。使用中子束流模拟真实环境中大气中子对待测移动终端的辐照。观察并统计待测移动终端在不同运行模式下的错误情况,并基于待测移动终端的错误情况区分不同的软故障类型。通过高通量的中子源对待测移动终端进行辐照试验,快速激发待测移动终端中可能存在的软故障类型,向产品研发人员提供有效数据支撑。
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公开(公告)号:CN112506933B
公开(公告)日:2024-04-12
申请号:CN202011499196.5
申请日:2020-12-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F16/22 , G06F16/2458
Abstract: 本发明公开了一种高速率多通道时间序列数据存储方法,包括:当数据采集达到第三时间片段长度时,对数据进行暂时存储;判断数据采集是否达到设定的数据采集总时长或数据总存储量;如果为是,则停止数据采集;如果为否,则每间隔第四时间片段长度进行异常检测;如果结果为正常,则将暂时存储的数据更新为最近的第三时间片段长度的数据,继续进行数据采集并重复是否停止数据采集的判断和异常检测,并且每当采集的数据量达到第一时间片段长度时,存储第二时间片段长度的数据,并计算数据的指标特征并存储;如果结果为异常,则继续采集和存储第五时间片段长度的数据,进行告警提示并停止数据采集。本发明能够有效减少数据存储空间,提高数据采集质量。
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公开(公告)号:CN114785715B
公开(公告)日:2024-03-26
申请号:CN202210253517.6
申请日:2022-03-15
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H04L43/0852 , H04L43/50
Abstract: 本申请涉及一种链路时延检测系统及方法。所述系统包括:向量生成设备,与待测链路的输入端连接,用于向待测链路输入测试向量,其中,测试向量包括依次排列的多个数据,相邻两个数据的取值不同;测量设备,与待测链路的输出端连接,用于获取测试向量经过待测链路得到的测试数据;将测试数据分别延时不同时长,得到多个延时向量;根据多个延时向量在预设时间范围内的数据相互之间的关系,确定待测链路的时延是否达标。能够仅根据待测链路输出的测试数据,即可判定待测链路的时延是否达标,无需与其他的标准数据进行对照,节省了资源,并且能够简单可靠的判定待测链路的时延是否达标,节省了检测的时间。
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公开(公告)号:CN113899509B
公开(公告)日:2024-03-26
申请号:CN202111092412.9
申请日:2021-09-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开涉及一种检测封装器件抗水汽影响的方法及系统,方法包括:抽取密封腔体内气体,制造真空条件;其中,所述密封腔体内设置有待测封装器件;向所述密封腔体内通入水汽与惰性气体的混合气体,实时监测所述密封腔体内气压数据,使得所述密封腔体内气压稳定在目标气压;实时监测所述密封腔体内水汽浓度,并根据所述水汽浓度调节所述混合气体的流速以及水汽含量,直至所述密封腔体内的气氛环境达到目标气氛的特征参数,停止通入所述混合气体;实时监测所述待测封装器件的电气性能数据,获得所述待测封装器件的抗水汽影响的评估结果。本公开有助于对单一水汽影响失效机理的加速评价,提高了检测封装器件抗水汽影响能力的准确性和可靠性。
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公开(公告)号:CN112668932B
公开(公告)日:2023-12-12
申请号:CN202110052566.9
申请日:2021-01-15
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F11/10
Abstract: 本发明涉及电子器件可靠性技术领域,公开了一种电子器件的加固设计方法、计算机设备和存储介质,包括获取电子器件的软错误率指标;根据电子器件的模拟辐照试验,获取电子器件发生各种单粒子翻转类型的软错误率,单粒子翻转类型包括单位翻转和多位翻转;根据所有单粒子翻转类型软错误率之和、部分单粒子翻转类型软错误率之和与软错误率指标,确定电子器件的待加固类型;根据待加固类型,对电子器件进行加固纠正。通过获取发生各种单粒子翻转类型的软错误率,以实际应用环境下的软错误率指标为导向,选择合适的加固方式对电子器件进行加固纠正,以保证电子器件在达到软错误率指标的同时避免过度加固,以降低加固带来的资源消耗和性能下降。
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