-
公开(公告)号：CN114563675B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202110428993.2
申请日：2021-04-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开涉及一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法，包括对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通电测试，获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的偏置电压；在所述偏置电压条件下，测试所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管源极和漏极之间的电压Vsd与温度数据，获得所述电压Vsd与温度的函数关系；结合所述函数关系，采用瞬态双界面法测试获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的降温时间数据；根据所述降温时间数据，计算获得碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的结壳热阻。本公开有助于消除MOSFET降温测试曲线单调性的影响，提高了SiC MOSFET热阻测量的精确度。
-
公开(公告)号：CN114371384B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202111575063.6
申请日：2021-12-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请提供了一种电迁移测试电路，包括测试模块、数据采集模块及控制模块，其中，测试模块用于根据输出控制信号对待测样品施加预设参数的测试信号；数据采集模块与测试模块连接，用于根据开关动作信号动作，控制待测样品接入对应的测试回路，并采集待测样品的电迁移试验参数信息；控制模块，与测试模块及数据采集模块均连接，用于根据接收的测试触发信号生成输出控制信号，以控制测试模块生成测试信号；及/或根据测试触发信号生成开关动作信号，以控制数据采集模块动作，使待测样品接入对应的测试回路。上述测试电路中，基于控制模块与数据采集模块生成待测样品的寿命预测方程，能相对准确的评估样品使用寿命，大大提高了测试效率。
-
公开(公告)号：CN114371384A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111575063.6
申请日：2021-12-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请提供了一种电迁移测试电路，包括测试模块、数据采集模块及控制模块，其中，测试模块用于根据输出控制信号对待测样品施加预设参数的测试信号；数据采集模块与测试模块连接，用于根据开关动作信号动作，控制待测样品接入对应的测试回路，并采集待测样品的电迁移试验参数信息；控制模块，与测试模块及数据采集模块均连接，用于根据接收的测试触发信号生成输出控制信号，以控制测试模块生成测试信号；及/或根据测试触发信号生成开关动作信号，以控制数据采集模块动作，使待测样品接入对应的测试回路。上述测试电路中，基于控制模块与数据采集模块生成待测样品的寿命预测方程，能相对准确的评估样品使用寿命，大大提高了测试效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113514492B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202110616270.5
申请日：2021-06-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开涉及一种测量界面热阻的方法和装置。包括：获取第一材料和第二材料的本征热阻、测量端和所述第一材料的接触热阻、所述测量端和所述第二材料的接触热阻，所述测量端包括热端和冷端；获取第一热阻和第二热阻；根据所述本征热阻、所述接触热阻、所述第一热阻和所述第二热阻，确定第一材料和第二材料之间的界面热阻。本公开测量结果准确可靠，并且，可以不需要在材料的内部开孔，不影响材料本身的性能；热电偶和热流计的均可安装于统一位置，如测量端，不会因测量材料的不同而改变位置。
-
公开(公告)号：CN114563675A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202110428993.2
申请日：2021-04-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开涉及一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法，包括对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通电测试，获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的偏置电压；在所述偏置电压条件下，测试所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管源极和漏极之间的电压Vsd与温度数据，获得所述电压Vsd与温度的函数关系；结合所述函数关系，采用瞬态双界面法测试获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的降温时间数据；根据所述降温时间数据，计算获得碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的结壳热阻。本公开有助于消除MOSFET降温测试曲线单调性的影响，提高了SiC MOSFET热阻测量的精确度。
-
公开(公告)号：CN115083542B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202210570076.2
申请日：2022-05-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G16C60/00
Abstract: 本申请涉及一种焊点的合金化寿命预测方法、装置以及计算机设备。上述焊点包括第一金属的焊盘及第二金属的焊料层，上述焊盘与上述焊料层合金化生成包括第一金属及第二金属的界面金属化合物层；上述方法包括：获取上述焊盘、上述焊料层及上述界面金属化合物层内上述第一金属的通量；获取上述界面金属化合物层中上述第一金属的净通量及上述第一金属的净通量与上述界面金属化合物层的生长速率的关系；基于上述第一金属的净通量与上述界面金属化合物层的生长速率的关系建立上述界面金属化合物层的生长模型；基于上述界面金属化合物层的生长模型预测上述焊点的合金化寿命。采用本方法能够提高预测准备度，降低时间成本和经济成本。
-
公开(公告)号：CN115083542A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210570076.2
申请日：2022-05-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G16C60/00
Abstract: 本申请涉及一种焊点的合金化寿命预测方法、装置以及计算机设备。上述焊点包括第一金属的焊盘及第二金属的焊料层，上述焊盘与上述焊料层合金化生成包括第一金属及第二金属的界面金属化合物层；上述方法包括：获取上述焊盘、上述焊料层及上述界面金属化合物层内上述第一金属的通量；获取上述界面金属化合物层中上述第一金属的净通量及上述第一金属的净通量与上述界面金属化合物层的生长速率的关系；基于上述第一金属的净通量与上述界面金属化合物层的生长速率的关系建立上述界面金属化合物层的生长模型；基于上述界面金属化合物层的生长模型预测上述焊点的合金化寿命。采用本方法能够提高预测准备度，降低时间成本和经济成本。
-
公开(公告)号：CN113514492A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110616270.5
申请日：2021-06-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开涉及一种测量界面热阻的方法和装置。包括：获取第一材料和第二材料的本征热阻、测量端和所述第一材料的接触热阻、所述测量端和所述第二材料的接触热阻，所述测量端包括热端和冷端；获取第一热阻和第二热阻；根据所述本征热阻、所述接触热阻、所述第一热阻和所述第二热阻，确定第一材料和第二材料之间的界面热阻。本公开测量结果准确可靠，并且，可以不需要在材料的内部开孔，不影响材料本身的性能；热电偶和热流计的均可安装于统一位置，如测量端，不会因测量材料的不同而改变位置。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.072 seconds)
