-
公开(公告)号：CN119827952A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510031862.9
申请日：2025-01-09
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Inventor： 陈思
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及失效评估技术领域，公开一种TSV‑RDL晶圆级封装的电致失效可靠性评价系统，包括上位机、精密电源、可编辑控制器、直流电压计以及继电器阵列；上位机通过通信总线与精密电源、可编程控制器和直流电压计连接；可编程控制器与直流电压计以及继电器阵列连接，可编程控制器响应于控制指令，通过继电器阵列控制TSV样品连接端电流通路的开关状态，TSV样品接收电流和电压并实时响应；直流电压计用于测量TSV样品的电压变化；可编程控制器基于直流电压计实时反馈的数据，判断是否达到设定条件，进而控制继电器的开关状态。本发明可以全面记录TSV样品的电流‑电压‑电阻特性，提高试验自动化水平，以满足TSV电迁移失效试验的需求。
-
公开(公告)号：CN119673886A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510179770.5
申请日：2025-02-19
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L23/373 , H01L21/48 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本申请涉及一种半导体器件及其制备方法。本申请的半导体器件的制备方法包括如下步骤：于的表面形成第一金属粘接层；于金刚石散热层的表面上形成第二金属粘接层；于第一金属粘接层和第二金属粘接层的表面上分别涂覆纳米银膏；将第一金属粘接层和第二金属粘接层设置于泡沫铜层的相对表面上，通过加热处理使纳米银膏和泡沫铜层形成化合物层，化合物层的材料包括Ag2Cu3。本申请的半导体器件的制备方法能够制备得到具有金刚石散热层的散热效果较好的半导体器件。同时，上述制备方法对金刚石的表面粗糙度的要求较低，无需对金刚石进行抛光，制备难度较低。
-
公开(公告)号：CN113514492B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202110616270.5
申请日：2021-06-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开涉及一种测量界面热阻的方法和装置。包括：获取第一材料和第二材料的本征热阻、测量端和所述第一材料的接触热阻、所述测量端和所述第二材料的接触热阻，所述测量端包括热端和冷端；获取第一热阻和第二热阻；根据所述本征热阻、所述接触热阻、所述第一热阻和所述第二热阻，确定第一材料和第二材料之间的界面热阻。本公开测量结果准确可靠，并且，可以不需要在材料的内部开孔，不影响材料本身的性能；热电偶和热流计的均可安装于统一位置，如测量端，不会因测量材料的不同而改变位置。
-
公开(公告)号：CN114678280A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210158796.8
申请日：2022-02-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L21/48 , H01L23/473 , B01L3/00
Abstract: 本发明涉及一种芯片微流道制备方法。该芯片微流道制备方法，包括如下步骤：利用激光器在芯片内部按照预设路径内雕出损伤结构；利用氟化氢溶液刻蚀所述损伤结构，在所述芯片内形成沿所述预设路径布置的微流道。该方法能够直接在芯片内部加工微流道，有效避免需要两个芯片键合实现微流道闭合的问题，工艺简单，且不存在芯片键合界面，提高了微流道结构对冷却液的抗腐蚀能力，保证了芯片微流道的可靠性。
-
公开(公告)号：CN114563675A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202110428993.2
申请日：2021-04-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开涉及一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法，包括对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通电测试，获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的偏置电压；在所述偏置电压条件下，测试所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管源极和漏极之间的电压Vsd与温度数据，获得所述电压Vsd与温度的函数关系；结合所述函数关系，采用瞬态双界面法测试获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的降温时间数据；根据所述降温时间数据，计算获得碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的结壳热阻。本公开有助于消除MOSFET降温测试曲线单调性的影响，提高了SiC MOSFET热阻测量的精确度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109342914B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201811275513.8
申请日：2018-10-23
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种IGBT结温监控方法、装置及计算机设备，其中，IGBT结温监控方法包括以下步骤：获取与待测IGBT器件的集电极电流对应的饱和导通压降；集电极电流为加热大电流或恒定小电流；基于结温和饱和导通压降拟合曲面，获取对应饱和导通压降的当前结温；在当前结温小于设定结温时，增大输入待测IGBT器件的集电极的加热大电流；在当前结温大于设定结温，且未到达预设加热工作时间时，减小输入待测IGBT器件的集电极的加热大电流；在当前结温大于设定结温，且到达预设加热工作时间时，向待测IGBT器件的集电极输入恒定小电流，并冷却待测IGBT器件。本发明实施例能够实现对待测IGBT器件结温的实时监控，提高了IGBT结温监控精度，以及提高了IGBT结温监控可靠性。
-
公开(公告)号：CN114035013A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111215184.X
申请日：2021-10-19
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及一种缺陷诊断方法和缺陷诊断装置，缺陷诊断方法包括构建数据模型，数据模型包括已知缺陷信息和与已知缺陷信息对应的仿真特征参数；获取待测三维无源器件的特征参数；基于已知缺陷信息、仿真特征参数和待测三维无源器件的特征参数，获得待测三维无源器件的缺陷信息。通过数据模型构建模块构建数据模型，通过数据采集模块采集待测三维无源器件的特征参数，再搭配数据处理模块，获得待测三维无源器件的缺陷信息，可以同时诊断多缺陷和多故障；通过本发明的缺陷诊断方法和缺陷诊断装置，批量化诊断缺陷类型、缺陷尺寸和缺陷位置，解决复合缺陷检测与诊断的数据量大、操作困难问题，加快生产厂家的可靠性检测效率、检测精度和检测准确度。
-
公开(公告)号：CN110600390B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201910703529.2
申请日：2019-07-31
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L21/66
Abstract: 本申请涉及一种TSV结构电击穿寿命测试方法、装置、系统和控制设备；所述方法包括在第一个温度循环周期内，通过信号采集设备采集待测TSV矩阵晶圆样品在初始电压下的初始漏电流；第一个温度循环周期为控制温度调节设备调节待测TSV矩阵晶圆样品的测试环境温度循环变化的第一个周期；在初始漏电流小于或等于预设值时，控制电源设备以初始电压为起点逐渐增大施加在待测TSV矩阵晶圆样品上的电压，并通过信号采集设备实时采集待测TSV矩阵晶圆样品的当前漏电流；在当前漏电流满足失效判据时，获取电源设备调节电压的总时长，并将总时长确认为待测TSV矩阵晶圆样品的失效时间，实现高效准确地测试TSV结构的寿命性能，实现高效准确地测试TSV结构的电击穿可靠性。
-
公开(公告)号：CN113670975A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110764063.4
申请日：2021-07-06
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N25/20
Abstract: 本申请涉及硅通孔技术领域，具体公开一种硅通孔复合结构的测试系统及测试方法。系统包括温度变化箱、真空箱、温度监控装置和观测装置，温度变化箱内部温度循环变化；真空箱设置于温度变化箱内，真空箱内用于放置硅通孔复合结构的待测样品；温度监控装置连接真空箱和温度变化箱，用于监测待测样品的温度变化范围，并控制温度变化箱调节内部温度的循环变化状态，以使待测样品的温度在目标温度变化范围内变化；观测装置用于当待测样品的温度在目标温度变化范围内循环变化时，对待测样品的界面状态进行观测。确保待测样品可以在目标温度变化范围内变化，提高测试的准确性。
-
公开(公告)号：CN109297627B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201811250428.6
申请日：2018-10-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种TSV成品界面残余应力测试方法及界面梁结构试样制作方法。TSV成品界面残余应力测试方法包括：获取悬臂梁结构试样的长度和第一翘曲量；悬臂梁结构试样为截断界面梁结构试样得到；获取在悬臂梁结构试样的固定端上去除预设尺寸的材料层时、悬臂梁结构试样的第二翘曲量；根据悬臂梁结构试样的长度、第一翘曲量、第二翘曲量和预设尺寸，得到对应材料层的残余应力，从而本申请TSV成品界面残余应力测试方法通过在取自TSV成品的悬臂梁结构试样上去除不同尺寸的材料层后所产生对应的翘曲量，来实现准确测量界面梁结构试样不同位置的残余应力，准确地测量TSV成品的不同位置的残余应力，进而为改进TSV成品的TSV工艺，提高良率和可靠性提供良好支持。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
44
records
(took 0.103 seconds)
