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公开(公告)号：CN118798022A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410771731.X
申请日：2024-06-15
IPC分类号： G06F30/27
摘要： 本发明公开了基于机器学习模型的大气中子软错误评估方法，涉及大气分析技术领域，该方法公开了如下步骤：步骤S1：获取中子核反应次级离子信息库；步骤S2：目标芯片的单粒子效应器件仿真，获取带单粒子翻转标签的机器学习样本；步骤S3：将带单粒子翻转标签的机器学习样本作为机器学习分类算法的输入，构建中子单粒子翻转评估模型；步骤S4：计算大气中子软错误率，本发明的方法基于机器学习分类算法构建中子单粒子翻转评估模型，实现了大气中子软错误评估，可以突破已有试验评估技术的局限，提供了一种快速且低成本的大气中子软错误率评估方法。
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公开(公告)号：CN118332994A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410493593.3
申请日：2024-04-23
IPC分类号： G06F30/367
摘要： 本公开提供了一种单粒子瞬态脉冲拟合方法、装置、设备及介质，涉及电路仿真技术领域，包括获取带电辐射粒子入射至纳米器件的第一时间参数和第二时间参数；根据第一时间参数，得到用于拟合单粒子瞬态脉冲的峰值电流的第一双指数模型；根据第二时间参数，得到用于拟合单粒子瞬态脉冲的长尾电流的第二双指数模型；根据第一双指数模型和第二双指数模型，得到单粒子瞬态脉冲的拟合模型。本公开将带电辐射粒子入射至纳米器件的过程分为两部分，通过构建两个双指数模型，实现对单粒子瞬态脉冲的精确模拟，提高了纳米级器件的拟合效果。
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公开(公告)号：CN113568031B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202110654904.6
申请日：2021-06-11
IPC分类号： G01T1/36
摘要： 本发明涉及电子器件可靠性技术领域，公开了一种α粒子发射率测试方法，包括获取测试样品；对测试设备的背底噪声进行调试，使得测试设备的α粒子发射率小于设定值；利用完成调试的测试设备对测试样品进行α粒子发射率测试，并对测试到的α粒子进行计数；当α粒子的计数达到目标计数时结束测试，并获取测试数据；对测试数据进行分析和处理。通过在对测试过程前通过背底噪声调试来降低环境噪声和设备自身发射α粒子本底对测试结果的影响，在测试完成后通过数据分析来进一步确定超低本底电子材料的测试样品的实际α粒子发射率。利用上述α粒子发射率测试方法可以实现对超低本底电子材料的测试样品α粒子发射率、能谱的准确测量，提高试验准确度。
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公开(公告)号：CN111709120B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202010431029.0
申请日：2020-05-20
IPC分类号： G06F30/20 , G06F119/02
摘要： 本发明涉及一种α粒子有效通量的分析方法、装置及计算机存储介质，分析方法包括：根据放射源辐照试验平台构建分析仿真模型，分析仿真模型包括放射源和半导体器件，放射源位于半导体器件上方；进行仿真试验，以使放射源发射α粒子，并记录到达半导体器件表面的有效α粒子数量；根据有效α粒子数量和放射源发射的α粒子数量获取有效因子；根据有效因子和放射源的α粒子发射率获取到达半导体器件表面的α粒子有效通量。由于所获得的α粒子有效通量是根据有效因子确定，而该有效因子考虑了放射源与半导体之间的空间几何效应和气体层的屏蔽效应，因而可以保证所获得的α粒子有效通量的准确度，大大减小了半导体器件α粒子软错误率试验的误差。
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公开(公告)号：CN111929559B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202010626408.5
申请日：2020-07-02
IPC分类号： G01R31/265 , G01R31/26
摘要： 本申请涉及一种大气中子导致的功率器件的失效率评估方法及装置。方法包括：获取功率器件在单能粒子源辐照下发生单粒子效应时功率器件的漏端偏压与单能粒子源的能量的对应关系，其中，功率器件偏置在关态，且功率器件的漏端连接漏端偏压，源端和栅端接地；根据功率器件的漏端偏压与单能粒子源的能量的对应关系，获取功率器件在散裂中子源辐照下的不同漏端偏压对应的单粒子效应截面；根据单粒子效应截面和功率器件应用时的环境数据获取功率器件工作在不同漏端偏压下的失效率。采用本方法能够提高评估失效率的准确性。
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公开(公告)号：CN114994483A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210379063.7
申请日：2022-04-12
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本申请涉及一种半导体器件总剂量辐射试验装置与方法，包括与控制模块连接的真空试验箱、辐射应力模块与温度应力模块，被试验器件设置于真空试验箱；控制模块根据被试验器件的器件类型获取被试验器件所需的预设总剂量辐射应力与预设温度应力，并根据预设总剂量辐射应力输出辐射试验指令至辐射应力模块，根据预设温度应力输出温度试验指令至温度应力模块；辐射应力模块根据辐射试验指令对被试验器件进行总剂量辐射试验；温度应力模块根据温度试验指令对被试验器件进行高低温试验，为复杂辐射环境下的半导体器件提供更准确的地面模拟评估试验环境，避免过高估计其在复杂辐射环境下的寿命而导致使用时提前进入磨损期，发生性能参数异常与失效。
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公开(公告)号：CN113484894A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110654439.6
申请日：2021-06-11
IPC分类号： G01T1/16
摘要： 本发明涉及电子器件可靠性技术领域，公开了一种α粒子发射率测量方法，包括对粉末样品进行定型制样；分别对样品托盘和空的样品容器进行α粒子发射率背底测试，获得所述样品托盘的α粒子发射率和空的所述样品容器的α粒子发射率；对装满所述粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试，根据所述样品托盘的发射率和空的所述样品容器的α粒子发射率，获得所述粉末样品的α粒子发射率。通过根据实验需求对粉末样品进行定型和防沾污制样，来解决粉末样品存在形状不固定、容易被电离室气体吹起、容易污染托盘等问题。所述方法排除了试验设备对测试结果的干扰，解决了粉末样品α粒子发射率测试难题的同时还提高了试验准确度。
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公开(公告)号：CN111781219A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010662578.9
申请日：2020-07-10
IPC分类号： G01N23/00
摘要： 本申请涉及一种大气中子辐射效应测试系统以及方法。其中，大气中子辐射效应测试系统包括样品台设备、信号输入设备、测试设备以及分析设备。样品台设备包括试验样品台以及控制模块，试验样品台用于放置电子系统，控制模块用于控制试验样品台运动。分析设备根据测试设备的测试结果分析被测器件的大气中子辐射耐受能力。因此，本申请大气中子辐射效应测试系统以及方法可以对电子系统的组成器件进行大气中子辐射耐受能力分析。同时，样品台设备可以带动电子系统运动，进而使得大气中子辐射效应测试系统在同一试验过程中对多个被测器件进行切换测试。因此，本申请的大气中子辐射效应测试系统以及方法可以有效提高电子系统的安全性、可靠性。
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公开(公告)号：CN111737935A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010613779.X
申请日：2020-06-30
IPC分类号： G06F30/33 , G06F30/25 , G06F119/02
摘要： 本申请涉及一种功率器件失效率评估方法、计算机设备以及存储介质。功率器件失效率评估方法包括：获取重离子的阈值能量；模拟沉积能量大于或者等于阈值能量的重离子入射至待测态功率器件的过程，确定功率器件的敏感区域；模拟辐射粒子入射至待测态功率器件而产生次级重离子的过程，获取辐射粒子产生的进入敏感区域的次级重离子的沉积能量；根据进入敏感区域的次级重离子的沉积能量与阈值能量的关系，获取待测态功率器件发生单粒子烧毁事件的次数；根据单粒子烧毁事件的次数，评估辐射粒子导致待测态功率器件的失效率情况。本申请可以有效降低测试成本。
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公开(公告)号：CN111693838A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010405988.5
申请日：2020-05-14
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及一种纳米场效应晶体管的总剂量辐射试验方法和装置，该试验方法包括如下过程：提供具有统计学意义数量的场效应晶体管器件，进行第一电参数测试，获取其第一阈值电压；对场效应晶体管进行若干次辐射处理至达到预设的总辐射剂量，在每次辐射处理后均进行第二电参数测试；对辐射处理至总辐射剂量后的场效应晶体管进行偏置处理，然后进行第三电参数测试，获得第三阈值电压；根据数据处理所得的缺陷分布值判断所述场效应晶体管器件是否符合产品要求。该试验方法提供了一种针对纳米场效应晶体管的分析方法，其有效解决了纳米场效应晶体管的量子效应及涨落效应导致的波动幅度大，传统技术无法准确分析的问题。
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