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公开(公告)号：CN119438644A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411619070.5
申请日：2024-11-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种COS激光芯片测试夹具总成以及测试系统。COS激光芯片测试夹具总成包括承载底座、绝缘压板、导电组件以及导热组件。激光芯片可拆卸连接于所述绝缘压板以及所述承载底座之间。至少部分绝缘压板、导电组件以及承载底座沿承载底座的厚度方向上依次重叠设置。激光芯片通过导电组件与外部的电源组件电连接。激光芯片通过所述导热组件与所述承载底座间隔设置。导热组件能够被控制形成热端和冷端。冷端用于与激光芯片的热沉组件配合进行热交换以对激光芯片进行预冷处理。热端用于与承载底座抵接配合进行热交换以使通过承载底座进行散热。本申请中的COS激光芯片测试夹具总成有利于提高测试过程中的芯片散热效果问题。
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公开(公告)号：CN118858094A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410656704.8
申请日：2024-05-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N15/08
Abstract: 本申请膜结构渗透率测试技术领域，尤其是涉及膜结构材料高压渗水率测试方法。该方法包括如下步骤：步骤一、建立渗透率变化系数数学模型公式；步骤二、制备若干个测试样品进行分组；步骤三、压力测试；步骤四、根据渗透率变化系数数学模型公式计算得到渗水率值。1.本发明通过较低压力，如中压范围的测试数据，可以直接推断出膜结构材质在液态高压环境(10
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公开(公告)号：CN116913953A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311094893.6
申请日：2023-08-28
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L29/417 , H01L21/28 , H01L29/872
Abstract: 本申请涉及一种金属电极结构及其制备方法、肖特基势垒二极管，金属电极结构包括基材，所述基材的表面形成有间隔布置的第一圆柱体和第二圆柱体，所述第二圆柱体的顶面分别形成有缺口窗和欧姆接触电极，所述第一圆柱体的顶面形成有第一肖特基接触电极，所述缺口窗的底面形成有第二肖特基接触电极；以及肖特基电极空气桥，所述肖特基电极空气桥的一端与所述第一肖特基接触电极电连接，所述肖特基电极空气桥的另一端与所述第二肖特基接触电极电连接；其中，所述第一肖特基接触电极和所述第二肖特基接触电极均为圆形。能显著减小圆形金属电极的边缘电容对总电容的影响，进而提升器件的截止效率。
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公开(公告)号：CN119804159A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510295948.2
申请日：2025-03-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种声敏元件可靠性的检测方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：获取待测声敏元件应用方式和最大压力值；将待测声敏元件置于试验设备中，并与完成预热和校准后的检测设备通过光纤进行连接；在待测声敏元件与检测设备之间符合预设连接条件的情况下，对试验设备进行排气处理；基于应用方式和最大压力值，改变试验设备中的压力，通过检测设备对待测声敏元件进行多次检测，得到信号形式的光路损耗分布数据；基于光路损耗分布数据，获取应力分布数据；在光路损耗分布数据和应力分布数据符合预设检测条件的情况下，待测声敏元件通过检测。采用本方法能够提高声敏元件可靠性检测的准确性。
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公开(公告)号：CN115036390A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210434537.3
申请日：2022-04-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明提供了一种焊点柱的制备方法，其包括如下步骤：在具有焊盘的基板上涂覆第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行曝光显影，去除焊盘上方的第一光刻胶层，露出焊盘；在基板上沉积覆盖第一光刻胶层与焊盘的打底金属层；在基板上涂覆第二光刻胶层，第二光刻胶层的厚度比第一光刻胶层厚，对第二光刻胶层进行曝光显影，去除焊盘上方的部分第二光刻胶层；在焊盘上的打底金属层上电镀焊点金属；去除第一光刻胶层与第二光刻胶层，使第二光刻胶层上的焊点金属随第二光刻胶层脱落，焊盘上的焊点金属形成焊点柱。该制备方法通过各步骤的彼此搭配，实现了通过电镀的方式在焊盘表面制备焊点柱，能够有效减少金属源的消耗量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114720165A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210197053.1
申请日：2022-03-01
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开涉及一种光纤水听器封装检测方法、装置、系统、计算机设备，所述方法包括：确定光纤水听器的第一待测样本处于第一检测环境中的第一试验时间；实时监测所述第一待测样本的第一光路数据，根据所述第一光路数据获取所述第一待测样本在所述第一试验时间内的第一光路损耗数据；确定所述第一待测样本中所述第一光路损耗数据小于第一阈值的第二待测样本；实时监测所述第二待测样本处于第二检测环境的第二光路数据，根据所述第二光路数据获取所述第二待测样本在第二试验时间内的第二光路损耗数据；将所述第二待测样本中所述第二光路损耗数据小于第二阈值的第二待测样本记录为合格样本。本公开可以准确评价长期海水环境下光纤水听器封装退化情况。
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公开(公告)号：CN119714393A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411862129.3
申请日：2024-12-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种近红外光电探测器性能测试方法、装置以及设备。所述方法包括：在对目标探测器进行性能测试的过程中，获取多种测试策略对应的测试参数，根据各测试参数分别对目标探测器进行性能测试，可以得到各测试参数对应的性能参数，根据各性能参数能够确定目标探测器的性能测试结果，其中，多种测试策略包括应力测试、脉冲光响应测试以及噪声测试中的至少两种。采用本方法能够提高测试的准确性。
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公开(公告)号：CN119667452A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510200107.9
申请日：2025-02-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/28 , G01M11/00 , G06F30/398
Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习的硅基光互连芯片动态评估系统，涉及芯片评估技术领域，该系统公开了基本性能分析模块、光学器件筛查模块、光学器件评估模块、动态评估模块，设置光学器件筛查模块、光学器件评估模块以及动态评估模块，在开启光学器件筛查工作后，通过构建一个硅基光互连芯片的模拟模型，可以模拟硅基光互连芯片在当前性能参数下各光学器件可能的性能表现，综合分析每个光学器件的测试评估需求，根据测试评估需求的动态筛选以及排序光学器件的测试评估顺序，不再需要对每个光学器件进行测试评估，可以快速确定硅基光互连芯片中的异常光学器件，提高光学器件的测试评估精度与效率。
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公开(公告)号：CN119416720A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411483652.5
申请日：2024-10-23
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/36 , G06F119/02 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本申请涉及一种双极型运算放大器的可靠性预计模型的构建方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。方法包括：对晶体管进行恒定应力加速寿命试验，获得归一化β值随时长的变化关系数据，对变化关系数据进行参数拟合，获得晶体管的加速退化系数、时间幂系数和待定系数，并建立晶体管的退化轨迹模型，建立差分输入结构的电路仿真模型，正交试验获得归一化β值对双极型运算放大器的输入失调电压的影响数据；根据影响数据，建立归一化β值与双极型运算放大器的输入失调电压之间的映射关系；利用退化轨迹模型和映射关系，建立双极型运算放大器的可靠性预计模型。采用本方法能够提高双极型运算放大器的可靠性预计准确率和效率。
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公开(公告)号：CN119276351A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411270105.9
申请日：2024-09-11
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H04B10/077 , H04B10/079 , G01M11/02
Abstract: 本申请涉及一种调制器故障定位方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：控制光频域反射设备，向待测调制器出射第一光线，得到待测调制器的反射光谱数据；根据反射光谱数据，确定待测调制器中的故障区域；控制激光器向待测调制器的故障区域出射第二光线；控制光发射显微设备采集故障区域在第二光线下的照射图像；根据照射图像，确定故障区域中的故障位置。采用本方法能够通过光频域反射设备粗略确定出待测调制器中的故障区域，再通过光发射显微设备精准确定出待测调制器中的故障位置，提高了待测调制器中故障定位的准确性和定位效率。
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