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公开(公告)号：CN118858094A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410656704.8
申请日：2024-05-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N15/08
Abstract: 本申请膜结构渗透率测试技术领域，尤其是涉及膜结构材料高压渗水率测试方法。该方法包括如下步骤：步骤一、建立渗透率变化系数数学模型公式；步骤二、制备若干个测试样品进行分组；步骤三、压力测试；步骤四、根据渗透率变化系数数学模型公式计算得到渗水率值。1.本发明通过较低压力，如中压范围的测试数据，可以直接推断出膜结构材质在液态高压环境(10
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公开(公告)号：CN116913953A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311094893.6
申请日：2023-08-28
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L29/417 , H01L21/28 , H01L29/872
Abstract: 本申请涉及一种金属电极结构及其制备方法、肖特基势垒二极管，金属电极结构包括基材，所述基材的表面形成有间隔布置的第一圆柱体和第二圆柱体，所述第二圆柱体的顶面分别形成有缺口窗和欧姆接触电极，所述第一圆柱体的顶面形成有第一肖特基接触电极，所述缺口窗的底面形成有第二肖特基接触电极；以及肖特基电极空气桥，所述肖特基电极空气桥的一端与所述第一肖特基接触电极电连接，所述肖特基电极空气桥的另一端与所述第二肖特基接触电极电连接；其中，所述第一肖特基接触电极和所述第二肖特基接触电极均为圆形。能显著减小圆形金属电极的边缘电容对总电容的影响，进而提升器件的截止效率。
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公开(公告)号：CN119804159A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510295948.2
申请日：2025-03-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种声敏元件可靠性的检测方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：获取待测声敏元件应用方式和最大压力值；将待测声敏元件置于试验设备中，并与完成预热和校准后的检测设备通过光纤进行连接；在待测声敏元件与检测设备之间符合预设连接条件的情况下，对试验设备进行排气处理；基于应用方式和最大压力值，改变试验设备中的压力，通过检测设备对待测声敏元件进行多次检测，得到信号形式的光路损耗分布数据；基于光路损耗分布数据，获取应力分布数据；在光路损耗分布数据和应力分布数据符合预设检测条件的情况下，待测声敏元件通过检测。采用本方法能够提高声敏元件可靠性检测的准确性。
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公开(公告)号：CN117199167A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311171509.8
申请日：2023-09-12
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L31/113 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种氮化镓器件结构装置及其制备方法。氮化镓器件结构包括：衬底；沟道层，位于衬底的表面；势垒层，位于沟道层远离衬底的表面；势垒层内具有凹槽，凹槽暴露出沟道层的部分表面；第一电极，位于沟道层远离衬底的表面，且位于势垒层的一侧；第二电极，位于沟道层远离衬底的表面，且位于势垒层远离第一电极的一侧；介质层，至少位于凹槽内；第三电极，位于介质层远离沟道层的表面。本发明通过在势垒层中形成凹槽，凹槽可以将沟道中的二维电子气耗尽，从而降低暗电流，降低功率损耗；同时，当氮化镓器件结构在紫外光照射下，耗尽的沟道中产生光生载流子，形成光电流，从而提高探测效率。
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公开(公告)号：CN115036390A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210434537.3
申请日：2022-04-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明提供了一种焊点柱的制备方法，其包括如下步骤：在具有焊盘的基板上涂覆第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行曝光显影，去除焊盘上方的第一光刻胶层，露出焊盘；在基板上沉积覆盖第一光刻胶层与焊盘的打底金属层；在基板上涂覆第二光刻胶层，第二光刻胶层的厚度比第一光刻胶层厚，对第二光刻胶层进行曝光显影，去除焊盘上方的部分第二光刻胶层；在焊盘上的打底金属层上电镀焊点金属；去除第一光刻胶层与第二光刻胶层，使第二光刻胶层上的焊点金属随第二光刻胶层脱落，焊盘上的焊点金属形成焊点柱。该制备方法通过各步骤的彼此搭配，实现了通过电镀的方式在焊盘表面制备焊点柱，能够有效减少金属源的消耗量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114300370A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111367378.1
申请日：2021-11-18
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L21/66 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供一种耗尽电压获取方法，耗尽电压获取方法用于获取半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压，耗尽电压获取方法包括：获取半导体器件的电容‑反向偏置电压特性曲线；获取电容‑反向偏置电压特性曲线中的电容对反向偏置电压的二阶微分，并得到半导体器件的二阶微分特性曲线；根据半导体器件的二阶微分特性曲线，获取半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压，此方法简单直观，可以快速获取半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压，方便研发人员使用此方法进行快速试验，加快研发进展，提升企业研发竞争力。
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公开(公告)号：CN119714393A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411862129.3
申请日：2024-12-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种近红外光电探测器性能测试方法、装置以及设备。所述方法包括：在对目标探测器进行性能测试的过程中，获取多种测试策略对应的测试参数，根据各测试参数分别对目标探测器进行性能测试，可以得到各测试参数对应的性能参数，根据各性能参数能够确定目标探测器的性能测试结果，其中，多种测试策略包括应力测试、脉冲光响应测试以及噪声测试中的至少两种。采用本方法能够提高测试的准确性。
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公开(公告)号：CN119667452A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510200107.9
申请日：2025-02-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/28 , G01M11/00 , G06F30/398
Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习的硅基光互连芯片动态评估系统，涉及芯片评估技术领域，该系统公开了基本性能分析模块、光学器件筛查模块、光学器件评估模块、动态评估模块，设置光学器件筛查模块、光学器件评估模块以及动态评估模块，在开启光学器件筛查工作后，通过构建一个硅基光互连芯片的模拟模型，可以模拟硅基光互连芯片在当前性能参数下各光学器件可能的性能表现，综合分析每个光学器件的测试评估需求，根据测试评估需求的动态筛选以及排序光学器件的测试评估顺序，不再需要对每个光学器件进行测试评估，可以快速确定硅基光互连芯片中的异常光学器件，提高光学器件的测试评估精度与效率。
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公开(公告)号：CN119416720A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411483652.5
申请日：2024-10-23
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/36 , G06F119/02 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本申请涉及一种双极型运算放大器的可靠性预计模型的构建方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。方法包括：对晶体管进行恒定应力加速寿命试验，获得归一化β值随时长的变化关系数据，对变化关系数据进行参数拟合，获得晶体管的加速退化系数、时间幂系数和待定系数，并建立晶体管的退化轨迹模型，建立差分输入结构的电路仿真模型，正交试验获得归一化β值对双极型运算放大器的输入失调电压的影响数据；根据影响数据，建立归一化β值与双极型运算放大器的输入失调电压之间的映射关系；利用退化轨迹模型和映射关系，建立双极型运算放大器的可靠性预计模型。采用本方法能够提高双极型运算放大器的可靠性预计准确率和效率。
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公开(公告)号：CN117723163B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410172490.7
申请日：2024-02-07
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01K11/125 , G01R31/26
Abstract: 本申请涉及一种GaN HEMTs器件结温测试装置及方法。GaN HEMTs器件结温测试装置包括：样品台，样品台包括本体和分液管道，本体开设有用于容置分液管道的容纳腔，本体还用于承载待测器件；测温模块，用于测量本体表面的实际温度；冷却设备，用于根据实际温度和预设温度范围调节流过分液管道的冷却液的流量，以使本体表面的温度维持在预设温度范围内；反射率热成像设备，用于获取待测器件对可见光的反射率，并基于反射率获取结温测试结果。本申请的GaN HEMTs器件结温测试装置及方法能使样品台表面的温度始终维持在预设温度范围内，避免由于样品台温度不稳定而影响待测器件对可见光的反射率，导致最终测试结果不准确的情况发生，提高结温测试结果的准确性。
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