GaN HEMTs器件结温测试装置及方法

    公开(公告)号:CN117723163A

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202410172490.7

    申请日:2024-02-07

    Abstract: 本申请涉及一种GaN HEMTs器件结温测试装置及方法。GaN HEMTs器件结温测试装置包括:样品台,样品台包括本体和分液管道,本体开设有用于容置分液管道的容纳腔,本体还用于承载待测器件;测温模块,用于测量本体表面的实际温度;冷却设备,用于根据实际温度和预设温度范围调节流过分液管道的冷却液的流量,以使本体表面的温度维持在预设温度范围内;反射率热成像设备,用于获取待测器件对可见光的反射率,并基于反射率获取结温测试结果。本申请的GaN HEMTs器件结温测试装置及方法能使样品台表面的温度始终维持在预设温度范围内,避免由于样品台温度不稳定而影响待测器件对可见光的反射率,导致最终测试结果不准确的情况发生,提高结温测试结果的准确性。

    GaN HEMTs器件结温测试装置及方法

    公开(公告)号:CN117723163B

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202410172490.7

    申请日:2024-02-07

    Abstract: 本申请涉及一种GaN HEMTs器件结温测试装置及方法。GaN HEMTs器件结温测试装置包括:样品台,样品台包括本体和分液管道,本体开设有用于容置分液管道的容纳腔,本体还用于承载待测器件;测温模块,用于测量本体表面的实际温度;冷却设备,用于根据实际温度和预设温度范围调节流过分液管道的冷却液的流量,以使本体表面的温度维持在预设温度范围内;反射率热成像设备,用于获取待测器件对可见光的反射率,并基于反射率获取结温测试结果。本申请的GaN HEMTs器件结温测试装置及方法能使样品台表面的温度始终维持在预设温度范围内,避免由于样品台温度不稳定而影响待测器件对可见光的反射率,导致最终测试结果不准确的情况发生,提高结温测试结果的准确性。

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