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公开(公告)号：CN116381467B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310652188.7
申请日：2023-06-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) , 华南理工大学
Abstract: 本申请涉及一种双端口近场探头非对称补偿方法、装置、设备和存储介质。该方法包括：获取第一散射参数，第一散射参数由基于对称双端口近场探头建立的对称双端口网络采集得到；获取第二散射参数，第二散射参数由基于非对称元件建立的非对称双端口网络采集得到；获取磁场环境下校准网络的整体响应，校准网络基于对称双端口近场探头以及非对称元件建立；根据对称双端口近场探头的散射参数、非对称元件的散射参数、以及磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，确定校准因子；根据校准因子对对称双端口近场探头进行补偿，从而解决非对称问题，提高了非对称系统的测量精度。
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公开(公告)号：CN119269838A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411218369.X
申请日：2024-09-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) , 华南理工大学
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明公开了一种用于测试加速度计交叉轴灵敏度的方法，通过双离心机系统实现，方法包括下述步骤：首先，将待测加速度计固定于从离心机，使从离心机回零并定位于零位，记录待测加速度计的输出U0；接着，设定主离心机的输出加速度为预设值a，启动主离心机，使从离心机角度保持在零度角，记录此时待测加速度计的输出U1；随后，从离心机分别定位至90°、180°、270°，记录各位置待测加速度计的输出U2、U3、U4；利用公式ko＝k1×(U2‑U4)/(U1‑U3)，计算输出轴交叉轴灵敏度ko；最后，重新安装加速度计，重复上述步骤，计算摆轴交叉轴灵敏度kp。本发明的方法可精确测定加速度计的交叉轴灵敏度，提高了测量效率和准确性，适用于各类高精度加速度计测试场景。
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公开(公告)号：CN116381467A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310652188.7
申请日：2023-06-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) , 华南理工大学
Abstract: 本申请涉及一种双端口近场探头非对称补偿方法、装置、设备和存储介质。该方法包括：获取第一散射参数，第一散射参数由基于对称双端口近场探头建立的对称双端口网络采集得到；获取第二散射参数，第二散射参数由基于非对称元件建立的非对称双端口网络采集得到；获取磁场环境下校准网络的整体响应，校准网络基于对称双端口近场探头以及非对称元件建立；根据对称双端口近场探头的散射参数、非对称元件的散射参数、以及磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，确定校准因子；根据校准因子对对称双端口近场探头进行补偿，从而解决非对称问题，提高了非对称系统的测量精度。
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公开(公告)号：CN119337558A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411218381.0
申请日：2024-09-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) , 华南理工大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/17 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种考虑多种失效机制的真空封装MEMS器件腔体真空退化模型构建方法及评价方法，模型构建方法包括：(1)真空度表征：利用品质因子对腔体的真空度进行表征；(2)真空退化数理模型建模：a.计算腔体内释放的气体分子数，获取腔体内部释气导致的第一真空退化数理模型；b.计算腔体内由外部泄露进来的气体分子数，获取腔体内由外部泄露导致的第二真空退化数理模型；c.第一、第二真空退化数理模型，基于算腔体内总气体分子数与腔体气压的关系，获取腔体内部真空度退化模型。在构建的真空度退化模型基础上，本发明还提供了真空封装MEMS器件真空退化进行可靠性评价的方法，并可实现对真空封装MEMS器件真空度退化进行可靠性预计。
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公开(公告)号：CN118625089B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411054456.6
申请日：2024-08-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明提供了一种功率转换电路开关器件退化机制监测方法，在单独判断开关器件内部缺陷的退化机制时，通过电流变化率的变化趋势，确认为氧化层缺陷密度增加或界面缺陷密度增加引起开关器件内部缺陷退化。而开关器件还会出现封装退化，封装出现退化时，会导致开关器件的串联电阻增加，电流变化率增大，进而在判断开关器件封装和内部缺陷的退化机制时，通过电流变化率减小确认为氧化层缺陷密度增加引起开关器件内部缺陷退化；电流变化增大时，通过导通电阻和低频噪声检测二次检测，确认出准确封装和/或界面缺陷密度增加引起开关器件出现退化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116819417A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310667196.9
申请日：2023-06-06
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种近场探头的校准方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：利用矢量分析仪，测量第一同轴线缆的第一散射参数矩阵和第一输出电压、第二同轴线缆的第二散射参数矩阵和第二输出电压，以及近场探头的第三散射参数矩阵；根据第一散射参数矩阵、第二散射参数矩阵和第三散射参数矩阵，以及第一输出电压和第二输出电压，确定近场探头在未施加近场场景下的第三输出电压和第四输出电压；在通过校准件对近场探头施加近场的场景下，根据第三输出电压、第四输出电压和校准件的结构参数，确定近场探头的校准因子；其中，校准因子用于近场探头进行校准。采用本方法能够更加准确的对近场探头进行校准。
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公开(公告)号：CN118625089A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411054456.6
申请日：2024-08-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明提供了一种功率转换电路开关器件退化机制监测方法，在单独判断开关器件内部缺陷的退化机制时，通过电流变化率的变化趋势，确认为氧化层缺陷密度增加或界面缺陷密度增加引起开关器件内部缺陷退化。而开关器件还会出现封装退化，封装出现退化时，会导致开关器件的串联电阻增加，电流变化率增大，进而在判断开关器件封装和内部缺陷的退化机制时，通过电流变化率减小确认为氧化层缺陷密度增加引起开关器件内部缺陷退化；电流变化增大时，通过导通电阻和低频噪声检测二次检测，确认出准确封装和/或界面缺陷密度增加引起开关器件出现退化。
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公开(公告)号：CN119630025A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411741333.X
申请日：2024-11-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H10D30/47 , H10D62/824 , H10D62/85 , H10D64/23
Abstract: 本发明公开了一种基于分立栅的低反向阈值电压氮化镓HEMT器件。所述器件包括凸状结构或阶梯结构的外延层；其中，外延层的凸出部分即上台面称为有源区，有源区上表面设置有源电极、顶栅电极和漏电极，源电极和漏电极分别位于有源区上表面两端，顶栅电极位于源电极和漏电极之间；阶梯结构的外延层下台面的上表面设置有一个或多个分立侧栅电极，凸状结构的外延层两侧下台面的上表面均分别设置有一个或多个分立侧栅电极。本发明通过引入分立的侧栅电极结构，使得器件在不降低正向阈值电压的条件下，实现了更低的反向导通阈值电压，可用于解决GaN HEMT功率电子器件反向工作时死区时间损耗过大等问题。
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公开(公告)号：CN114513186A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210089558.6
申请日：2022-01-25
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高频声表面波谐振器及其制备方法，涉及5G通信的微电子器件，针对现有技术中键合转移温度高和机电耦合系数低等问题提出本方案。在高声速衬底远离第一衬底的端面设置第一键合金属层，在压电薄膜远离叉指电极的端面设置第二键合金属层，通过第一键合金属层与第二键合金属层完成压电薄膜与高声速衬底的键合处理。优点在于，与低温金属键合工艺兼容，金属键合的工作温度更低，可以大大降低器件的热应力。其次金属键合可以使得键合界面获得更大的键合能，器件更稳定。另外，以X切铌酸锂为压电薄膜，且叉指电极的垂直方向与压电薄膜Z轴成44°夹角，可以获得更高的机电耦合系数，从而提高器件的带宽。
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公开(公告)号：CN111509076A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010360185.2
申请日：2020-04-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有低暗电流的自驱动型光电探测器及其制备方法，属于半导体器件及其制造领域。通过确定性干法转移的方法制备的Graphene-WSe2-Au结构器件具有良好的光伏特性，避免了传统方法直接在二维材料上蒸镀电极容易引起的费米能级钉扎效应，器件具有良好的光响应。由于器件的两个异质结WSe2-Graphene结和WSe2-Au结具有不对称性，器件具有自驱动特性，可以在零偏压下工作，此时的暗电流几乎可以忽略；此外，由于隧穿层和俘获层的引入，使得即使器件在外部偏压下工作的时候，也能将暗电流控制在很低的数量级。
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