公开(公告)号：CN111509076B

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202010360185.2

申请日：2020-04-30

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 周长见 ,  张首勇 ,  吕喆

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种具有低暗电流的自驱动型光电探测器及其制备方法，属于半导体器件及其制造领域。通过确定性干法转移的方法制备的Graphene‑WSe2‑Au结构器件具有良好的光伏特性，避免了传统方法直接在二维材料上蒸镀电极容易引起的费米能级钉扎效应，器件具有良好的光响应。由于器件的两个异质结WSe2‑Graphene结和WSe2‑Au结具有不对称性，器件具有自驱动特性，可以在零偏压下工作，此时的暗电流几乎可以忽略；此外，由于隧穿层和俘获层的引入，使得即使器件在外部偏压下工作的时候，也能将暗电流控制在很低的数量级。

公开(公告)号：CN111509076A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202010360185.2

申请日：2020-04-30

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 周长见 ,  张首勇 ,  吕喆

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种具有低暗电流的自驱动型光电探测器及其制备方法，属于半导体器件及其制造领域。通过确定性干法转移的方法制备的Graphene-WSe2-Au结构器件具有良好的光伏特性，避免了传统方法直接在二维材料上蒸镀电极容易引起的费米能级钉扎效应，器件具有良好的光响应。由于器件的两个异质结WSe2-Graphene结和WSe2-Au结具有不对称性，器件具有自驱动特性，可以在零偏压下工作，此时的暗电流几乎可以忽略；此外，由于隧穿层和俘获层的引入，使得即使器件在外部偏压下工作的时候，也能将暗电流控制在很低的数量级。