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公开(公告)号：CN111509076A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010360185.2
申请日：2020-04-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有低暗电流的自驱动型光电探测器及其制备方法，属于半导体器件及其制造领域。通过确定性干法转移的方法制备的Graphene-WSe2-Au结构器件具有良好的光伏特性，避免了传统方法直接在二维材料上蒸镀电极容易引起的费米能级钉扎效应，器件具有良好的光响应。由于器件的两个异质结WSe2-Graphene结和WSe2-Au结具有不对称性，器件具有自驱动特性，可以在零偏压下工作，此时的暗电流几乎可以忽略；此外，由于隧穿层和俘获层的引入，使得即使器件在外部偏压下工作的时候，也能将暗电流控制在很低的数量级。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108987525A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810578809.0
申请日：2018-06-07
Applicant: 华南理工大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种MSM光电探测器及其制作方法，该MSM光电探测器包括衬底以及设置在衬底上的二维半导体材料薄片和两个金属电极，所述二维半导体材料薄片的厚度均匀且具有不对称的几何结构，所述两个金属电极相对地设置在二维半导体材料薄片的两个边缘上，且两个金属电极与二维半导体材料薄片的接触长度不同。本发明的MSM光电探测器具有自驱动的功能、较低的探测极限以及较高可靠性，而且本探测器结构优良，制作工艺简单，生产成本低，可广泛应用于半导体行业中。
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公开(公告)号：CN111509076B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202010360185.2
申请日：2020-04-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有低暗电流的自驱动型光电探测器及其制备方法，属于半导体器件及其制造领域。通过确定性干法转移的方法制备的Graphene‑WSe2‑Au结构器件具有良好的光伏特性，避免了传统方法直接在二维材料上蒸镀电极容易引起的费米能级钉扎效应，器件具有良好的光响应。由于器件的两个异质结WSe2‑Graphene结和WSe2‑Au结具有不对称性，器件具有自驱动特性，可以在零偏压下工作，此时的暗电流几乎可以忽略；此外，由于隧穿层和俘获层的引入，使得即使器件在外部偏压下工作的时候，也能将暗电流控制在很低的数量级。
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公开(公告)号：CN108987525B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201810578809.0
申请日：2018-06-07
Applicant: 华南理工大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种MSM光电探测器及其制作方法，该MSM光电探测器包括衬底以及设置在衬底上的二维半导体材料薄片和两个金属电极，所述二维半导体材料薄片的厚度均匀且具有不对称的几何结构，所述两个金属电极相对地设置在二维半导体材料薄片的两个边缘上，且两个金属电极与二维半导体材料薄片的接触长度不同。本发明的MSM光电探测器具有自驱动的功能、较低的探测极限以及较高可靠性，而且本探测器结构优良，制作工艺简单，生产成本低，可广泛应用于半导体行业中。
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公开(公告)号：CN109786498B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201811503129.9
申请日：2018-12-10
Applicant: 华南理工大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体材料的红外探测元件及其制备方法，元件包括自下而上分布的衬底、沟道层和红外辐射吸收层，沟道层上分别设有源极、漏极、第一栅介质层和第二栅介质层，第一栅介质层采用具有热释电效应的介质层，第二栅介质层采用不具有热释电效应的介质层，沟道层为二维材料沟道层。本发明的红外辐射吸收层能吸收一定的红外辐射产生相应的温度变化，进而通过第一栅介质层的热释电效应产生极化电荷变化，配合第二栅介质层引起沟道电流变化，使得探测元件实现了放大功能，提高了灵敏度；以整个探测元件作为检测沟道电流变化的检测器件，提高了响应速度；沟道层利用了二维材料，降低了功耗，可广泛应用于半导体技术领域。
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公开(公告)号：CN109786498A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811503129.9
申请日：2018-12-10
Applicant: 华南理工大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体材料的红外探测元件及其制备方法，元件包括自下而上分布的衬底、沟道层和红外辐射吸收层，沟道层上分别设有源极、漏极、第一栅介质层和第二栅介质层，第一栅介质层采用具有热释电效应的介质层，第二栅介质层采用不具有热释电效应的介质层，沟道层为二维材料沟道层。本发明的红外辐射吸收层能吸收一定的红外辐射产生相应的温度变化，进而通过第一栅介质层的热释电效应产生极化电荷变化，配合第二栅介质层引起沟道电流变化，使得探测元件实现了放大功能，提高了灵敏度；以整个探测元件作为检测沟道电流变化的检测器件，提高了响应速度；沟道层利用了二维材料，降低了功耗，可广泛应用于半导体技术领域。
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