公开(公告)号：CN116381467A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310652188.7

申请日：2023-06-05

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) ,  华南理工大学

Inventor： 邵伟恒 ,  陈颖慧 ,  陈义强 ,  周长见

IPC: G01R31/28 ,  G01R35/02

Abstract: 本申请涉及一种双端口近场探头非对称补偿方法、装置、设备和存储介质。该方法包括：获取第一散射参数，第一散射参数由基于对称双端口近场探头建立的对称双端口网络采集得到；获取第二散射参数，第二散射参数由基于非对称元件建立的非对称双端口网络采集得到；获取磁场环境下校准网络的整体响应，校准网络基于对称双端口近场探头以及非对称元件建立；根据对称双端口近场探头的散射参数、非对称元件的散射参数、以及磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，确定校准因子；根据校准因子对对称双端口近场探头进行补偿，从而解决非对称问题，提高了非对称系统的测量精度。

公开(公告)号：CN116381467B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310652188.7

申请日：2023-06-05

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) ,  华南理工大学

Inventor： 邵伟恒 ,  陈颖慧 ,  陈义强 ,  周长见

IPC: G01R31/28 ,  G01R35/02

Abstract: 本申请涉及一种双端口近场探头非对称补偿方法、装置、设备和存储介质。该方法包括：获取第一散射参数，第一散射参数由基于对称双端口近场探头建立的对称双端口网络采集得到；获取第二散射参数，第二散射参数由基于非对称元件建立的非对称双端口网络采集得到；获取磁场环境下校准网络的整体响应，校准网络基于对称双端口近场探头以及非对称元件建立；根据对称双端口近场探头的散射参数、非对称元件的散射参数、以及磁场环境下校准网络的整体响应进行计算，确定校准因子；根据校准因子对对称双端口近场探头进行补偿，从而解决非对称问题，提高了非对称系统的测量精度。

公开(公告)号：CN115968184A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211675794.2

申请日：2022-12-26

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 邵伟恒 ,  陈颖慧

IPC: H05K9/00 ,  H03K3/57

Abstract: 本申请涉及一种同轴屏蔽筒和脉冲发生器。同轴屏蔽筒包括：屏蔽筒主体，屏蔽筒主体内设有沿轴向贯穿屏蔽筒主体的屏蔽孔，其中，屏蔽筒主体为绝缘结构；第一连接件，设于屏蔽孔内并与屏蔽筒主体连接，第一连接件内设有沿轴向贯穿第一连接件的第一通孔，第一连接件用于与马克思发生器末端气隙开关第一端的第一电极连接，其中，第一电极穿过第一通孔，第一连接件为导电结构；第二连接件，设于屏蔽孔内且与第一连接件间隔设置，第二连接件内设有沿轴向贯穿第二连接件的第二通孔，第二通孔用于供马克思发生器末端气隙开关第二端的第二电极穿过，其中，第二连接件为绝缘结构。该同轴屏蔽筒能够缩短马克思发生器输出的高压脉冲的上升时间。