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公开(公告)号：CN119511600A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202510059927.0
申请日：2025-01-15
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种铌酸锂光子芯片的混合存算架构及其实现方法。所述架构包括铌酸锂光路、光电转换模块以及铌酸锂忆阻器存算模块。铌酸锂光路包括光耦合入射模块、级联调制模块、光耦合出射模块、第一并行波导和第二并行波导；通过铌酸锂光路实现光电转换模块以及忆阻器存算模块之间的高频信号通信。本发明的互连基于集成光学实现，克服了传统电子存算芯片带宽不足且热管理成本过高的难点；其次，本发明可以在无外部电偏置下直接由波导中的光开关控制工作，芯片存算将只受限于忆阻器开关速度(GHz)。本发明适用于需求低功耗、高带宽的并行计算、如机器学习推理和神经计算领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118742052A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410378064.9
申请日：2024-03-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于协同效应的自驱动光电探测器及制备方法，涉及半导体光电探测领域，针对现有技术中自驱动性能较弱的问题提出本方案。包括层叠在背栅层上的介质层；在所述介质层上端面一侧设有第一电极，另一侧设有第二电极；所述第一电极和第二电极互为异质金属；铺设二维沟道层分别与所述第一电极和第二电极肖特基接触；所述二维沟道层与第一电极边缘的接触长度大于与第二电极边缘的接触长度。优点在于，器件两侧具有不同功函数的电极、两侧电极与半导体具有非对称的接触长度，可以实现增强的自驱动性能，同时无需外场诱导，整体的制备、探测过程简单易重复。
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公开(公告)号：CN118354655A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410409133.8
申请日：2024-04-07
Applicant: 华南理工大学
IPC: H10N15/10
Abstract: 本发明公开了一种自补偿式红外探测器及其制作方法，涉及半导体领域，针对现有技术中红外探测器的抗干扰能力差的问题提出本方案。主要通过设置无吸收层结构的补偿单元以及带有吸收层结构的感受单元，以二者间的信号差值来作为红外探测器的输出。优点在于，通过使用自补偿式结构极大地降低了环境温度背景信号和震动对探测器性能的干扰，能够解决目前红外探测器抗干扰能力差的问题，可广泛应用于微纳传感器件的设计制备领域。
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公开(公告)号：CN119511600B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510059927.0
申请日：2025-01-15
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种铌酸锂光子芯片的混合存算架构及其实现方法。所述架构包括铌酸锂光路、光电转换模块以及铌酸锂忆阻器存算模块。铌酸锂光路包括光耦合入射模块、级联调制模块、光耦合出射模块、第一并行波导和第二并行波导；通过铌酸锂光路实现光电转换模块以及忆阻器存算模块之间的高频信号通信。本发明的互连基于集成光学实现，克服了传统电子存算芯片带宽不足且热管理成本过高的难点；其次，本发明可以在无外部电偏置下直接由波导中的光开关控制工作，芯片存算将只受限于忆阻器开关速度(GHz)。本发明适用于需求低功耗、高带宽的并行计算、如机器学习推理和神经计算领域。
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公开(公告)号：CN118308786A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410402261.X
申请日：2024-04-03
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种低维二氧化碲晶体的异质外延方法，针对现有技术中制备成品质量差的问题提出本方案。本发明中所述一种低维二氧化碲晶体的异质外延方法，依次进行物理沉积和化学沉积；所述物理沉积：通过磁控溅射在基片上制备碲膜；所述化学沉积：在所述碲膜上方间隔距离h设置衬底；在预设气氛中加热至温度T并恒温维持时间t，在衬底面向碲膜的一侧制得所述低维二氧化碲晶体。优点在于，使物理沉积和化学沉积两种技术互补，克服了难以形核和晶体质量低的难点，实现了低维二氧化碲晶体外延纳米片/纳米线。合理控制衬底与碲膜之间的距离，提高了形核效率。
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公开(公告)号：CN118308786B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410402261.X
申请日：2024-04-03
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种低维二氧化碲晶体的异质外延方法，针对现有技术中制备成品质量差的问题提出本方案。本发明中所述一种低维二氧化碲晶体的异质外延方法，依次进行物理沉积和化学沉积；所述物理沉积：通过磁控溅射在基片上制备碲膜；所述化学沉积：在所述碲膜上方间隔距离h设置衬底；在预设气氛中加热至温度T并恒温维持时间t，在衬底面向碲膜的一侧制得所述低维二氧化碲晶体。优点在于，使物理沉积和化学沉积两种技术互补，克服了难以形核和晶体质量低的难点，实现了低维二氧化碲晶体外延纳米片/纳米线。合理控制衬底与碲膜之间的距离，提高了形核效率。
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