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公开(公告)号：CN116039175B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202211670798.1
申请日：2022-12-23
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
IPC: B32B15/01 , B32B15/20 , B32B33/00 , B23P15/00 , B21B1/38 , B21B47/00 , C22C21/06 , C22F1/02 , C22F1/047 , C22F1/08
Abstract: 一种超薄界面的极薄铝铜复合带材及其制备方法，该带材由铝箔和铜箔轧制复合而成；其中，铝箔的成分为：镁0.2％‑0.4％，铒0.01％‑0.03％，余量为铝或铝合金；铜箔的成分为纯度≥99.99％的电子无氧铜；该复合带材结合界面层厚度≤0.01mm，铜铝厚度比1/9～1/11，带材的厚度为0.18～0.24mm。制备方法包括：对铝合金与铜的表面进行矫平、打磨处理，通过搅拌摩擦焊接获得预成型锭坯，经冷轧复合成形、中间轧制成形、精密轧制成形、成品退火制得。本方法可以控制复合层厚度，实现极薄铝铜复合带材的有效复合，同时可获得无限长且成形质量良好的表面，实现了超薄界面的极薄铝铜复合带材的大批量制备，并实现在电子产品中的应用。
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公开(公告)号：CN117260060A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311373652.5
申请日：2023-10-23
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
IPC: B23K35/26 , B23K35/40 , B23K101/36
Abstract: 本发明涉及一种电子封装用低温焊料及其制备方法，属于电子封装材料技术领域。该焊料中Sn含量45‑50wt％，Ag含量1.0‑2.0wt％，Ti含量1.5‑2.5wt％，Ir含量0.05‑0.1wt％，Ga含量0‑0.5wt％，余量为Bi。采用“预合金化处理‑二次合金化‑快速凝固制带‑在线热处理‑收卷”的工艺流程制备。本发明的电子封装用低温焊料与陶瓷、石英热膨胀系数匹配性好，无需预先金属化和预置中间层即可完成钎焊，可用于直接钎焊SiO2、Al2O3等材料，封装工艺简单高效，且接头都具备良好的机械性能，器件封接后不易发生开裂，成品率高，且制备工艺流程短、有效降低生产成本。
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公开(公告)号：CN114622111B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202011438774.4
申请日：2020-12-10
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 本发明涉及一种搭铁接线材料及其制备和加工方法，属于航空航天、轨道交通等技术领域。该搭铁接线材料，按重量百分比其组成为Cu：59～60％，Pb：1.5～2.5％，Mn：1.0～4.0％，Ni：1～3％，Zn：余量。制备流程为：配料→中间合金制备→“中频电磁搅拌—连续铸造”→法制备合金→预处理→铸锭热处理→锻造→机加工→成品检验、包装、入库。该合金材料的布氏硬度＞120HB；晶粒度8.5级；抗拉强度＞200Mpa；延伸率＞5％；该合金材料易切削、有优良的传热、导电性能，耐蚀性能，良好的机械加工性能及适当的强度。可用作搭铁的接线材料，用于航空航天，轨道交通等工业领域，具有广阔的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN114622111A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011438774.4
申请日：2020-12-10
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 本发明涉及一种搭铁接线材料及其制备和加工方法，属于航空航天、轨道交通等技术领域。该搭铁接线材料，按重量百分比其组成为Cu：59～60％，Pb：1.5～2.5％，Mn：1.0～4.0％，Ni：1～3％，Zn：余量。制备流程为：配料→中间合金制备→“中频电磁搅拌—连续铸造”→法制备合金→预处理→铸锭热处理→锻造→机加工→成品检验、包装、入库。该合金材料的布氏硬度＞120HB；晶粒度8.5级；抗拉强度＞200Mpa；延伸率＞5％；该合金材料易切削、有优良的传热、导电性能，耐蚀性能，良好的机械加工性能及适当的强度。可用作搭铁的接线材料，用于航空航天，轨道交通等工业领域，具有广阔的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN112719821A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011490945.8
申请日：2020-12-16
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 本发明涉及一种超薄真空腔均热板复合材料及其密封成型方法，属于集成电路电子封装领域。本发明超薄真空腔均热板复合材料包括VC均热板和异型焊料环，异型焊料环放置在VC均热板上下壳体的之间，异型焊料环与VC均热板上下壳体之间通过钎焊密封连接。其密封成型方法包括：VC均热板上下壳体表面处理；异型焊料环成形及预处理；VC均热板壳体和异型焊料环复合成型；VC均热板真空密真空密封成型。该方法具有良好的工艺性能、优异的复合密封性，解决了VC均热板上下壳板、密封材料定位不准的问题，有利于提高VC均热板合格率和质量，从而保证高热流密度电子器件的散热效果；该方法适合规模化批量生产应用。
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公开(公告)号：CN111020197B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201911249256.5
申请日：2019-12-09
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 本发明涉及一种金锡合金废料的分离回收方法，属于有色金属湿法冶金技术领域。将金锡废料在熔化炉中熔化，并加入锡，形成高锡合金；将熔融的金锡合金进行泼珠或造粒，得到金锡颗粒；将金锡颗粒用酸在一定温度下溶解分离出大部分的锡；将不溶物加入王水直至完全溶解；向上述溶液中加入碱使溶液中残余的锡沉淀，过滤后完全除去锡；将上述滤液使用还原剂还原得到纯金。本发明方法具有操作简单、不引入新的杂质、回收率高、可实现金锡的综合回收利用的特点，有利于产业化应用。通过此法回收金的纯度达99％以上，实现金的回收率大于99％、锡的利用率大于99％，有利于实现金锡的综合回收利用。
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公开(公告)号：CN112609115A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011373358.0
申请日：2020-11-30
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 本发明涉及一种电子封装用金刚石/铜热沉材料及其制备方法，属于金属基复合材料技术领域。该热沉材料由改性金刚石、铜和添加元素组成，添加元素为银、锡或铟锡中的一种或多种，按照质量百分比计，改性金刚石的含量为30％‑60％，余量为铜和添加元素，添加元素的含量为铜含量的5％‑10％。其制备方法包括粉末混合、调膏及放电等离子烧结等步骤。本发明通过添加银、锡或铟锡合金等降熔元素，有效改善了金刚石/铜复合材料的界面结合，解决了金刚石改性后界面热阻增大的问题，同时避免了高温烧结过程中金刚石发生石墨化，提高和保证了金刚石/铜热沉材料的界面结合强度和导热性能。本发明方法具有操作简单、成本低的特点，适合规模化应用。
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公开(公告)号：CN106222441B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201610741741.4
申请日：2016-08-26
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 本发明涉及一种海绵钯的处理方法，属于高纯金属材料领域。该方法首先将海绵钯装入坩埚并置于真空炉内，抽真空；然后升温脱水，进一步升温除杂，并使海绵钯的性状发生改变；最后随炉冷却。本发明的海绵钯的处理方法适于甲酸、甲酸钠、水合肼等多种还原剂还原含钯溶液得到的海绵钯，还可应用于其他方法制备的颗粒较细的海绵钯的处理。还原所得海绵钯经过真空烧结处理后，海绵钯的形貌由颗粒较细的黑色粉状，转化为有金属光泽的灰色块状；处理后的海绵钯有利用后续的使用、包装及运输。此方法可有效避免还原态海绵钯的飞扬损失，提高贵金属材料的利用率，且省去了煅烧和通氢还原过程，具有操作简单，利于批量生产的优点。
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公开(公告)号：CN106086567B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201610677045.1
申请日：2016-08-16
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 本发明提供一种高钪含量铝钪合金及其制备方法，属于高性能铝合金材料制备技术领域。该高钪含量铝钪合金中，钪元素的重量百分含量为55％～70％，其余为铝元素。其制备方法包括：1)筛粉：将铝粉和钪粉分别过不同目数的筛子，筛分出所需粒度的原料；2)配料：分别称取一定量的铝粉和钪粉，并将铝粉、钪粉按照一定质量比例混合；3)研磨：将铝钪混合粉放入球磨机中进行充分研磨，使其混合均匀；4)烧结：将研磨均匀的铝钪混合粉装入模具，使用液压机进行预压后，装炉并设定烧结程序进行烧结制备铝钪合金。通过本发明制备的铝钪合金具有致密度高、钪含量高、成分均匀性好且后续可加工性好的特性，可为特殊领域用溅射靶材提供可靠的原料。
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公开(公告)号：CN105506345B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201510934596.7
申请日：2015-12-15
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 一种高导热金刚石/铜复合封装材料及其制备方法。该材料由Cu‑(1‑10wt.％)Ti合金粉、钛粉和金刚石通过放电等离子烧结技术烧结而成，其中，Cu含量为40～60wt％，Ti含量为2～10wt％，余量为金刚石。该复合封装材料的界面结合较好，致密度较高，其热导率达到425‑522W/m·K，热膨胀系数降至(7.1‑8.3)×10‑6/K，致密度达到97％以上，本发明操作性强，工艺简单，可用于电子封装等领域。
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