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公开(公告)号：CN117558685A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311559076.3
申请日：2023-11-21
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
Abstract: 一种铝基碳化硅复合管壳结构及其制备方法，该管壳结构包括壳底和壳壁；壳底长≥10mm，宽≥10mm；壳壁高度≥5mm，厚度为1～3mm；该管壳结构为铝基材料与碳化硅复合而成，铝基材料含镁3‑4wt％，硅5‑7wt％，余量为铝或铝合金；碳化硅占总重量的30％‑70％。制备方法包括：在铝基材料的设定区域进行铣床钻孔，填充碳化硅粉末，通过搅拌摩擦加工在该区域制备铝基碳化硅复合材料，经精密轧制成形、成品退火后铣床铣削去多余的铝基体，制备出铝基碳化硅复合管壳结构。该方法可以调控铝基碳化硅复合材料的碳化硅含量，并且可以保证复合材料内部的均匀性、致密性，提高了铝基碳化硅复合材料的可加工性、稳定性，实现在电子产品中的应用。
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公开(公告)号：CN116039175A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211670798.1
申请日：2022-12-23
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
IPC: B32B15/01 , B32B15/20 , B32B33/00 , B23P15/00 , B21B1/38 , B21B47/00 , C22C21/06 , C22F1/02 , C22F1/047 , C22F1/08
Abstract: 一种超薄界面的极薄铝铜复合带材及其制备方法，该带材由铝箔和铜箔轧制复合而成；其中，铝箔的成分为：镁0.2％‑0.4％，铒0.01％‑0.03％，余量为铝或铝合金；铜箔的成分为纯度≥99.99％的电子无氧铜；该复合带材结合界面层厚度≤0.01mm，铜铝厚度比1/9～1/11，带材的厚度为0.18～0.24mm。制备方法包括：对铝合金与铜的表面进行矫平、打磨处理，通过搅拌摩擦焊接获得预成型锭坯，经冷轧复合成形、中间轧制成形、精密轧制成形、成品退火制得。本方法可以控制复合层厚度，实现极薄铝铜复合带材的有效复合，同时可获得无限长且成形质量良好的表面，实现了超薄界面的极薄铝铜复合带材的大批量制备，并实现在电子产品中的应用。
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公开(公告)号：CN115044797A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210673985.9
申请日：2022-06-15
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微型窄薄金属键合金带及其一体化制备方法，属有色金属压延加工领域。该材料中Au含量≥99.99wt％，掺杂元素包含Ag、Cu、Pb、Sb、Bi、Be、Fe、Ca和Mg；为截面是圆角矩形的异形金属金带。其制备方法包括备料、线坯制备、圆丝拉拔、精密成型、在线热处理和密排复绕。本方法制备的键合金带通条性、平直度好，且规格精确，并且保证成品表面洁净无污染、无明显划痕裂纹。50倍显微镜下检查，表面无超过5％的刻痕、划痕、裂纹、凸起、凹坑、弯折等缺陷，具有广泛的市场前景。该制备方法工艺自动化程度高，生产效率高，利于大批量生产。
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公开(公告)号：CN119549928A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411774634.2
申请日：2024-12-04
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
Abstract: 一种无Ag高温活性合金钎料及其制备方法和应用。钎料合金组分为：Ge 9.5‑12.5wt％，Ti 9‑11wt％，Ni 0.1‑1.5wt％，Cu为余量，其熔点为960～975℃，推荐钎焊温度1000～1100℃。其产品形态包括箔带材、丝材、粉膏状。其制备方法包括真空合金化、球形气雾化制粉、离心式球磨混粉、放电等离子烧结、均匀化热处理、等温轧制、等温旋锻、精密拉拔。该合金钎料适合陶瓷高温直接封装、金刚石材质器件高温钎焊、难熔金属真空钎焊等，可获得高强度焊缝，服役温度高，成本低，且能够有效避免Ag元素蒸气对器件污染问题。
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公开(公告)号：CN119260236A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411448985.4
申请日：2024-10-16
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司 , 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 一种高强度高延伸率SnPbSbInAu合金焊料及其制备方法，该合金焊料组成为：Pb 33.0～36.5wt％，Sb 2.0～4.0wt％，In 1.5～3.5wt％，Au 2.0～3.5wt％，P 0.005～0.012wt％，余量为Sn。其箔带材制备方法包括真空压力铸造、带材冷挤压、冷辊轧制步骤，其丝材制备方法为一次挤压成型、密排复绕，其粉膏体制备方法为真空气雾化制粉、气流筛分、行星式离心脱气制膏。该焊料固液相温度为180℃～185℃，具备高延伸率、高强度、高抗蠕变性、低温服役性能极佳等优点，其钎焊接头抗拉强度较Sn‑37Pb共晶焊料同样焊接工艺下高出2倍；“蚀金”风险低，可直接焊接镀金件(无需搪锡处理)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119141064A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411409799.X
申请日：2024-10-10
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
Abstract: 本发明涉及一种银基多元近共晶中温真空钎料及其制备方法，属于有色金属钎焊领域。该钎料按重量百分比计算，包含：Cu 19.5～21.0wt％，In 9.0～10.0wt％，Ge 4.5～5.5wt％，Sn 4.2～4.8wt％，Ni 1.8～2.2wt％，Si 1.7～2.0wt％，Co 0.05～0.2wt％，Ag为余量。其制备方法包括中间合金制备、真空中频感应熔炼、离心速冷铸造、真空热处理调控、热轧开坯、表面处理、精密冷轧。该合金熔点低，所需真空钎焊温度低，且针对不锈钢具备优异的润湿特性，钎焊后接头强度高，满足真空电子器件中316L不锈钢基材中温真空钎焊封装、梯度钎焊及补焊需求。
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公开(公告)号：CN117660899A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311681209.4
申请日：2023-12-08
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体镀膜用掺杂改性元素锌基合金溅射靶材的制备方法，属于金属溅射靶材材料制备领域。制备方法包括备料、合金化熔炼、离心铸造成形、同步水冷快速凝固和表面机加工等步骤。通过惰性气流保护冶炼、高频感应加热、浸入式加料、旋转叶片均匀搅拌、充压式离心铸造、同步水冷快速凝固以及表面机加工，可以制备圆形、矩形和异形不同规格尺寸的靶材。该制备方法可以解决活泼金属元素难以掺杂锌基溅射靶材难题，获得较高含量的掺杂元素成分合金，制得靶材具有内部元素掺杂分布均匀、晶粒尺寸小、体积缺陷少等优点，并且有效减少靶材机加工工作量，具备生产效率快、成品率高、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN116039175B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202211670798.1
申请日：2022-12-23
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
IPC: B32B15/01 , B32B15/20 , B32B33/00 , B23P15/00 , B21B1/38 , B21B47/00 , C22C21/06 , C22F1/02 , C22F1/047 , C22F1/08
Abstract: 一种超薄界面的极薄铝铜复合带材及其制备方法，该带材由铝箔和铜箔轧制复合而成；其中，铝箔的成分为：镁0.2％‑0.4％，铒0.01％‑0.03％，余量为铝或铝合金；铜箔的成分为纯度≥99.99％的电子无氧铜；该复合带材结合界面层厚度≤0.01mm，铜铝厚度比1/9～1/11，带材的厚度为0.18～0.24mm。制备方法包括：对铝合金与铜的表面进行矫平、打磨处理，通过搅拌摩擦焊接获得预成型锭坯，经冷轧复合成形、中间轧制成形、精密轧制成形、成品退火制得。本方法可以控制复合层厚度，实现极薄铝铜复合带材的有效复合，同时可获得无限长且成形质量良好的表面，实现了超薄界面的极薄铝铜复合带材的大批量制备，并实现在电子产品中的应用。
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公开(公告)号：CN119188026A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411409804.7
申请日：2024-10-10
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
Abstract: 本发明涉及一种合金态活性钎料丝材及其制备方法，属于有色金属钎焊材料加工领域。该丝材包括活性钎料丝材母合金和活性元素，母合金为Ag基合金或Cu基合金，活性元素为Ti，活性元素占比为6～12wt％，其余为母合金。采用固液混合搅拌+快速拉铸凝固方式将球形Ti粉均匀分散在母合金中，垂直拉铸出成分均匀的合金棒材，经冷拉拔加工得到直径0.3mm的活性钎料丝材。本发明主要是解决了活性钎料合金态丝材产品无法成型难题，采用本装置和方法制备出的丝材成分均匀、性能优异、成材率高，且成本低，利于批量生产。
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公开(公告)号：CN117620515A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311681213.0
申请日：2023-12-08
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司 , 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明涉及一种TR组件封装用高导热共晶中温焊料及箔带材制备方法，属于微电子系统封装领域。该焊料组成：Sb 10.5～12.5wt％，Sn 0.5～2.0wt％，Ag 0.1～0.5wt％，Cu 0.1～0.5wt％，Pd 0.05～0.2wt％，Ni 0.05～0.2wt％，In 0.01～0.1wt％，P0.002～0.01wt％，余量为Pb。其箔带材制备方法包括原材料选择及中间合金制备、非真空中频感应熔炼、快冷水平拉铸和等温轧制步骤。该合金熔点适中，具备高强度、高抗热疲以及高导热等；合金箔带成分均匀、IMC细小、表面洁净、成材率高，满足微电子系统中TR组件多级封装需求。
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