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    半导体镀膜用掺杂改性元素锌基合金溅射靶材的制备方法
    1.
    发明公开
    半导体镀膜用掺杂改性元素锌基合金溅射靶材的制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN117660899A

    公开(公告)日：2024-03-08

    申请号：CN202311681209.4

    申请日：2023-12-08

    申请人： 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司

    发明人： 黄晓猛 ,  宋文杰 ,  齐岳峰 ,  窦程亮 ,  吴河龙 ,  王玉庆 ,  宁书龙

    IPC分类号： C23C14/34 ,  C22C18/00 ,  B22D13/00 ,  B23P15/00

    摘要： 本发明涉及一种半导体镀膜用掺杂改性元素锌基合金溅射靶材的制备方法，属于金属溅射靶材材料制备领域。制备方法包括备料、合金化熔炼、离心铸造成形、同步水冷快速凝固和表面机加工等步骤。通过惰性气流保护冶炼、高频感应加热、浸入式加料、旋转叶片均匀搅拌、充压式离心铸造、同步水冷快速凝固以及表面机加工，可以制备圆形、矩形和异形不同规格尺寸的靶材。该制备方法可以解决活泼金属元素难以掺杂锌基溅射靶材难题，获得较高含量的掺杂元素成分合金，制得靶材具有内部元素掺杂分布均匀、晶粒尺寸小、体积缺陷少等优点，并且有效减少靶材机加工工作量，具备生产效率快、成品率高、成本低等优点。

    一种铝基碳化硅复合管壳结构及其制备方法
    3.
    发明公开
    一种铝基碳化硅复合管壳结构及其制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN117558685A

    公开(公告)日：2024-02-13

    申请号：CN202311559076.3

    申请日：2023-11-21

    申请人： 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司

    发明人： 窦程亮 ,  柳旭 ,  元琳琳 ,  黄晓猛 ,  鲍键 ,  吴河龙 ,  于文波

    IPC分类号： H01L23/06 ,  H01L21/48

    摘要： 一种铝基碳化硅复合管壳结构及其制备方法，该管壳结构包括壳底和壳壁；壳底长≥10mm，宽≥10mm；壳壁高度≥5mm，厚度为1～3mm；该管壳结构为铝基材料与碳化硅复合而成，铝基材料含镁3‑4wt％，硅5‑7wt％，余量为铝或铝合金；碳化硅占总重量的30％‑70％。制备方法包括：在铝基材料的设定区域进行铣床钻孔，填充碳化硅粉末，通过搅拌摩擦加工在该区域制备铝基碳化硅复合材料，经精密轧制成形、成品退火后铣床铣削去多余的铝基体，制备出铝基碳化硅复合管壳结构。该方法可以调控铝基碳化硅复合材料的碳化硅含量，并且可以保证复合材料内部的均匀性、致密性，提高了铝基碳化硅复合材料的可加工性、稳定性，实现在电子产品中的应用。

    一种密封环材料及其制备方法
    4.
    发明公开
    一种密封环材料及其制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN117488135A

    公开(公告)日：2024-02-02

    申请号：CN202311495072.3

    申请日：2023-11-10

    申请人： 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司

    发明人： 张京叶 ,  王玉庆 ,  焦磊 ,  鲍键 ,  刘泽蕊 ,  张颖隆 ,  吴河龙

    IPC分类号： C22C13/02 ,  C22C1/02 ,  B21C23/08 ,  B21C25/02

    摘要： 本发明涉及一种密封环材料及其制备方法，属于有色金属加工领域。该密封环材料由以下金属元素组成：Bi：1～10wt％，Ag：1～5％，Cu：0.1～1.0wt％，Pb：1×10‑3～3×10‑3wt％，Co：1×10‑4wt％～10×10‑4wt％，Be：1×10‑4wt％～5×10‑4wt％，Ni：1×10‑4wt％～5×10‑4wt％，Sn：余量。采用连续铸造、挤压、机加工、一体化成形的方法制备。本发明的密封环材料成分均匀，具有耐高低温、回弹性好、抗氧化性、耐磨损等性能；同时密封环还具有良好的耐老化性、对密封介质的高适应性和高可靠性；并且在高、低温条件下具有很好的服役能力，适合批量生产。