半导体镀膜用掺杂改性元素锌基合金溅射靶材的制备方法

    公开(公告)号:CN117660899A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311681209.4

    申请日:2023-12-08

    Abstract: 本发明涉及一种半导体镀膜用掺杂改性元素锌基合金溅射靶材的制备方法,属于金属溅射靶材材料制备领域。制备方法包括备料、合金化熔炼、离心铸造成形、同步水冷快速凝固和表面机加工等步骤。通过惰性气流保护冶炼、高频感应加热、浸入式加料、旋转叶片均匀搅拌、充压式离心铸造、同步水冷快速凝固以及表面机加工,可以制备圆形、矩形和异形不同规格尺寸的靶材。该制备方法可以解决活泼金属元素难以掺杂锌基溅射靶材难题,获得较高含量的掺杂元素成分合金,制得靶材具有内部元素掺杂分布均匀、晶粒尺寸小、体积缺陷少等优点,并且有效减少靶材机加工工作量,具备生产效率快、成品率高、成本低等优点。

    一种电子封装用低温焊料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117260060A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202311373652.5

    申请日:2023-10-23

    Abstract: 本发明涉及一种电子封装用低温焊料及其制备方法,属于电子封装材料技术领域。该焊料中Sn含量45‑50wt%,Ag含量1.0‑2.0wt%,Ti含量1.5‑2.5wt%,Ir含量0.05‑0.1wt%,Ga含量0‑0.5wt%,余量为Bi。采用“预合金化处理‑二次合金化‑快速凝固制带‑在线热处理‑收卷”的工艺流程制备。本发明的电子封装用低温焊料与陶瓷、石英热膨胀系数匹配性好,无需预先金属化和预置中间层即可完成钎焊,可用于直接钎焊SiO2、Al2O3等材料,封装工艺简单高效,且接头都具备良好的机械性能,器件封接后不易发生开裂,成品率高,且制备工艺流程短、有效降低生产成本。

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