一种电子封装用低温焊料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117260060A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202311373652.5

    申请日:2023-10-23

    Abstract: 本发明涉及一种电子封装用低温焊料及其制备方法,属于电子封装材料技术领域。该焊料中Sn含量45‑50wt%,Ag含量1.0‑2.0wt%,Ti含量1.5‑2.5wt%,Ir含量0.05‑0.1wt%,Ga含量0‑0.5wt%,余量为Bi。采用“预合金化处理‑二次合金化‑快速凝固制带‑在线热处理‑收卷”的工艺流程制备。本发明的电子封装用低温焊料与陶瓷、石英热膨胀系数匹配性好,无需预先金属化和预置中间层即可完成钎焊,可用于直接钎焊SiO2、Al2O3等材料,封装工艺简单高效,且接头都具备良好的机械性能,器件封接后不易发生开裂,成品率高,且制备工艺流程短、有效降低生产成本。

    一种微型窄薄金属键合金带及其一体化制备方法

    公开(公告)号:CN115044797A

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN202210673985.9

    申请日:2022-06-15

    Abstract: 本发明涉及一种微型窄薄金属键合金带及其一体化制备方法,属有色金属压延加工领域。该材料中Au含量≥99.99wt%,掺杂元素包含Ag、Cu、Pb、Sb、Bi、Be、Fe、Ca和Mg;为截面是圆角矩形的异形金属金带。其制备方法包括备料、线坯制备、圆丝拉拔、精密成型、在线热处理和密排复绕。本方法制备的键合金带通条性、平直度好,且规格精确,并且保证成品表面洁净无污染、无明显划痕裂纹。50倍显微镜下检查,表面无超过5%的刻痕、划痕、裂纹、凸起、凹坑、弯折等缺陷,具有广泛的市场前景。该制备方法工艺自动化程度高,生产效率高,利于大批量生产。

    一种以重量差减法测定银及金银合金中银含量的方法

    公开(公告)号:CN113624637A

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN202110931756.8

    申请日:2021-08-13

    Abstract: 本发明涉及一种以重量差减法测定银及金银合金中银含量的方法,属于合金成分分析技术领域。待测试样中加入混酸并加热溶解,然后加入氯化钠溶液蒸发至近干,再加入盐酸继续加热至近干,反复加入盐酸三次赶出硝酸,冷却后,加入盐酸,再加水稀释,加热至溶液澄清;冷却至室温后,过滤;沉淀用热氨水溶解,用水稀释,然后用硝酸中和至溶液浑浊,再加入氨水调至溶液澄清,并过量,加水稀释,在不断搅拌下加入1,2,3‑苯并三氮唑溶液,加热保温,得到待测溶液,将待测溶液放入已恒重的4#玻璃坩埚,抽滤后,烘干、冷却后称重,计算试样中银的含量。本发明的测定方法,提高测定结果的准确性,可以快速准确测定银及金银合金中银的含量。

    一种铝基碳化硅复合管壳结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN117558685A

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202311559076.3

    申请日:2023-11-21

    Abstract: 一种铝基碳化硅复合管壳结构及其制备方法,该管壳结构包括壳底和壳壁;壳底长≥10mm,宽≥10mm;壳壁高度≥5mm,厚度为1~3mm;该管壳结构为铝基材料与碳化硅复合而成,铝基材料含镁3‑4wt%,硅5‑7wt%,余量为铝或铝合金;碳化硅占总重量的30%‑70%。制备方法包括:在铝基材料的设定区域进行铣床钻孔,填充碳化硅粉末,通过搅拌摩擦加工在该区域制备铝基碳化硅复合材料,经精密轧制成形、成品退火后铣床铣削去多余的铝基体,制备出铝基碳化硅复合管壳结构。该方法可以调控铝基碳化硅复合材料的碳化硅含量,并且可以保证复合材料内部的均匀性、致密性,提高了铝基碳化硅复合材料的可加工性、稳定性,实现在电子产品中的应用。

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