一种集成电路封装用AuSn20合金钎料的制备方法和用途

    公开(公告)号:CN102114584B

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN200910244558.3

    申请日:2009-12-30

    Abstract: 一种集成电路封装用AuSn20合金钎料的制备方法:按配比备金和锡;将它们放熔铸炉中;封炉,抽真空;升温,待全熔化后,控制熔体的温度在500~600℃间,精练,使其合金化并脱气,浇注在石墨模中;将得到的AuSn20合金棒放入石英管中,加热;封炉,抽真空至4~6Pa;升温并控温升;待合金棒熔化,控制熔体的温度在500~600℃间,并精炼2~3分钟;使用真空急冷甩带机甩带,甩带时熔体的温度控制在500~600℃之间,由石英管上口通入高压氮气,氮气压力10~15大气压,使该合金熔体从石英管底孔喷到真空急冷甩带机高速旋转的金属轮上,得到带材。还可再轧制加工,制成箔带材或冲压加工,制备对应规格的片或环状的深加工制品。用该方法可制得集成电路性能优越的产品。

    电子封装用金刚石/铜热沉材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN112609115A

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN202011373358.0

    申请日:2020-11-30

    Abstract: 本发明涉及一种电子封装用金刚石/铜热沉材料及其制备方法,属于金属基复合材料技术领域。该热沉材料由改性金刚石、铜和添加元素组成,添加元素为银、锡或铟锡中的一种或多种,按照质量百分比计,改性金刚石的含量为30%‑60%,余量为铜和添加元素,添加元素的含量为铜含量的5%‑10%。其制备方法包括粉末混合、调膏及放电等离子烧结等步骤。本发明通过添加银、锡或铟锡合金等降熔元素,有效改善了金刚石/铜复合材料的界面结合,解决了金刚石改性后界面热阻增大的问题,同时避免了高温烧结过程中金刚石发生石墨化,提高和保证了金刚石/铜热沉材料的界面结合强度和导热性能。本发明方法具有操作简单、成本低的特点,适合规模化应用。

    锌-锂合金材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN101748313A

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200810239842.7

    申请日:2008-12-19

    Inventor: 章明溪 黄小凯

    Abstract: 本发明公开了一种锌-锂合金材料及其制备方法,其中Li的含量为0.5-4.0%(质量)、Zn为余量,以及应用该合金生产用于集成电路硅片等离子溅射靶材的技术。该锌-锂合金的制备方法如下:按锂含量高于所需要的配比10-20%称重高纯锂、高纯锌;将锌放入高纯石墨坩埚,并将坩埚放入真空炉内,锂用高纯锌箔包裹放入真空炉的加料斗内;抽真空;升温至450~500℃使锌熔化;充氩气;加入高纯锂,在600~650℃精炼10~15分钟;浇铸,得到锌-锂合金材料。

    一种金合金靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN104561639B

    公开(公告)日:2017-01-18

    申请号:CN201410836351.6

    申请日:2014-12-26

    Abstract: 一种金合金靶材及其制备方法,主要用于GaAs基半导体器件的欧姆接触制作。该靶材合金由以下含量的成分组成:Ge 9.5~13.5wt%、Ni 4.2~5.8wt%,Au余量。靶材的致密度高于99.8%,含氧量低于50ppm,表面粗糙度Ra高于0.5μm,该靶材成分精确,尺寸精准,具有较细小的组织结构,采用离心铸造、热压和机械加工的方法制备,流程短,成本低,适于批量生产。采用该方法克服了合金脆带来的加工困难,可以制得性能优异的金合金溅射靶材。

    一种集成电路封装用AuSn20合金钎料的制备方法和用途

    公开(公告)号:CN102114584A

    公开(公告)日:2011-07-06

    申请号:CN200910244558.3

    申请日:2009-12-30

    Abstract: 一种集成电路封装用AuSn20合金钎料的制备方法:按配比备金和锡;将它们放熔铸炉中;封炉,抽真空;升温,待全熔化后,控制熔体的温度在500~600℃间,精练,使其合金化并脱气,浇注在石墨模中;将得到的AuSn20合金棒放入石英管中,加热;封炉,抽真空至4~6Pa;升温并控温升;待合金棒熔化,控制熔体的温度在500~600℃间,并精炼2~3分钟;使用真空急冷甩带机甩带,甩带时熔体的温度控制在500~600℃之间,由石英管上口通入高压氮气,氮气压力10~15大气压,使该合金熔体从石英管底孔喷到真空急冷甩带机高速旋转的金属轮上,得到带材。还可再轧制加工,制成箔带材或冲压加工,制备对应规格的片或环状的深加工制品。用该方法可制得集成电路性能优越的产品。

    一种AgCuNiV合金材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108149057B

    公开(公告)日:2019-09-06

    申请号:CN201711431543.9

    申请日:2017-12-26

    Abstract: 本发明涉及一种AgCuNiV合金材料及其制备方法,属于粉末冶金技术领域。AgCuNiV合金材料的重量百分比组成为:Ag 66.5%‑89.1%,Cu 9.5%‑27.72%,Ni 0%‑1.98%,V 1.0%‑5.0%。通过制备AgCuNi合金粉,然后将AgCuNi合金粉和V粉混合后采用放电等离子烧结制备得到AgCuNiV合金材料。本发明解决了V很难加入到合金中并且在合金中产生宏观偏析,化学成分不均匀、表面有黑斑和气孔等问题。本发明采用放电等离子烧结技术制备AgCuNiV合金,组织细小均匀,无偏析,可以有效保证雷达电子器件中电接触材料的可靠性,获得成分均匀、表面无缺陷的电接触材料;同时制备工艺简单,生产流程短。

    一种金合金靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN104561639A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201410836351.6

    申请日:2014-12-26

    Abstract: 一种金合金靶材及其制备方法,主要用于GaAs基半导体器件的欧姆接触制作。该靶材合金由以下含量的成分组成:Ge 9.5~13.5wt%、Ni 4.2~5.8wt%,Au余量。靶材的致密度高于99.8%,含氧量低于50ppm,表面粗糙度Ra高于0.5μm,该靶材成分精确,尺寸精准,具有较细小的组织结构,采用离心铸造、热压和机械加工的方法制备,流程短,成本低,适于批量生产。采用该方法克服了合金脆带来的加工困难,可以制得性能优异的金合金溅射靶材。

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