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公开(公告)号:CN109509571B
公开(公告)日:2022-07-26
申请号:CN201811377524.7
申请日:2018-11-19
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
IPC: H01B5/00 , H01B5/02 , H01B1/02 , H01B13/00 , B23K1/00 , B23K1/002 , B23K1/19 , B23K1/20 , C22C12/00 , C22C13/00 , C22C13/02 , C22C28/00
Abstract: 本发明涉及一种锡基合金与铜带复合材料及其制备方法,属有色金属高频钎焊加工领域。该锡基合金与铜带复合材料,由芯材和包裹在芯材表面的镀层组成,芯材为铜带材,镀层为锡基合金,单边镀层的厚度为20μm~100μm。其制备方法采用高频钎焊原理,实现铜带表面形成致密的锡基合金材料镀层,包括铜基带材表面预置助焊剂、铜带与钎料复合、高频感应快速钎焊、风冷凝固、带材绕轴包装等,该方法工艺简单,适合批量生产。采用该方法制备的锡基合金与铜带复合材料,无漏焊、无锡瘤缺陷并具有导电性好、可焊性强、耐蚀性好、抗氧化性好以及镀层牢固等特点,主要用于电子元器件、混合集成电路、太阳能光伏组件等电子工业领域,具有广泛的市场前景。
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公开(公告)号:CN107841669A
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:CN201711085350.2
申请日:2017-11-07
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 本发明公开了一种高导热活性复合封装材料及其制备方法,属于金属基复合材料领域。该复合材料由SnAg4Ti4合金粉、铝粉和金刚石颗粒增强体组成,金刚石颗粒的体积百分数为50%-70%,铝粉的体积百分数为25%-49%,SnAg4Ti4合金粉的体积百分数为1%-5%。采用真空气雾化制粉炉制备活性钎料SnAg4Ti4合金粉,机械混粉后,将混合粉放入等放电等离子烧结炉内制得金刚石/铝复合材料。烧结后复合材料的界面结合较好,致密度较高,其热导率达703W/m·K,热膨胀系数降至7.9×10-6/K,致密度达到97.8%以上,本发明操作性强,工艺简单,可用于电子封装等领域。
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公开(公告)号:CN109465563B
公开(公告)日:2022-01-04
申请号:CN201811274103.1
申请日:2018-10-29
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 一种Al‑Cu‑Si‑Ni‑Mg‑Ti‑Bi铝基合金态钎料及其制备方法,该钎料由以下含量的成分组成:Cu 15~25wt%,Si 5~7wt%、Ni 1~5wt%,Mg 0.3~1.0wt%,Ti 0.05~0.2wt%,Bi 0.1~0.3wt%,Al余量,该钎料熔化温度低、钎焊工艺性好,具有良好的润湿性、焊着率和力学性能。其制备方法采用“熔铸‑离心浇铸‑超塑化处理‑等温轧制‑冷轧”的步骤,该方法简单、利于批量生产。采用该方法可制备出厚度0.03mm的箔状钎料,适合于多种铝合金构件真空钎焊及铝铜异质金属构件真空钎焊需求。
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公开(公告)号:CN109022889A
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201811019465.6
申请日:2018-09-03
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
CPC classification number: C22C5/02 , B22D17/08 , B22D17/14 , B23K35/3013 , C22C1/02 , C22F1/02 , C22F1/14 , H01B1/02
Abstract: 本发明涉及一种高强度金基合金材料及其制备方法和用途。该合金组成及各组分质量百分比为:Ge:8.0%~15%,Ni:1.0%‑1.49%,Cu:0.1%‑0.49%,Y:0.01%‑0.49%、Gd:0.01%‑0.49%,Au:余量。采用真空压铸‑轧制‑时效工艺加工成合金片材,且片材的厚度为0.015‑0.8mm,使用激光表面处理设备完成制品的加工。本发明金锗镍铜合金是一种金基高强度中温钎料,可用于可伐合金、不锈钢合金、高强度铜合金的焊接,实现Si芯片与陶瓷基体的结合;金锗镍铜合金具有较低的接触电阻,又可用作一种新型性能优异的电子工业用触点功能材料使用。
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公开(公告)号:CN108161274A
公开(公告)日:2018-06-15
申请号:CN201711202707.0
申请日:2017-11-24
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所 , 陕西宝光真空电器股份有限公司
Abstract: 一种用于电真空器件的封接钎料及其制备方法,该钎料合金成分及重量百分比为:Cu:30~45,Ni:0.1~2.0,Ti:0~2.0,In:0~5.0,Ag:余量。本发明通过在钎料中添加Ni、Ti、In元素,提高钎料的耐腐蚀性与润湿性,且钎料加工性能良好。按照合金成分配料,采用真空熔炼水平连铸技术与设备制备合金锭坯。锭坯经过粗轧、中间退火、多辊轧制及连续光亮退火技术,可获得厚度0.01~1.00mm的银基钎料带材。锭坯经过粗拉、中间退火、精密拉拔以及在线退火处理工艺,获得直径0.1mm~3.0mm的银基钎料丝材。钎焊性能优异,适用于电真空器件的封接与钎焊。
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公开(公告)号:CN119426846A
公开(公告)日:2025-02-14
申请号:CN202411552375.9
申请日:2024-11-01
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
Abstract: 一种蓝宝石与可伐合金封接用活性钎料及其制备方法,该活性钎料中Cu 25.0‑27.5wt%,Ti 1.0‑6.0wt%,Al 1.0‑5.0 wt%,B 0.1‑1.0wt%,稀土元素RE 0.1‑0.5wt%,RE为La、Ce、Sc、Pr、Nd和Er中的一种或多种,余量为Ag。制备方法包括:采用气雾化方法制备银基预合金化粉末,通过球磨方式将合金粉末与添加元素粉末混合,利用真空压力烧结获得合金锭坯,经粗轧、中间退火、精轧获得厚度为0.05~0.2mm的活性钎料带材。该活性钎料与蓝宝石热膨胀系数匹配性好,可实现蓝宝石与可伐合金直接钎焊,钎焊温度适中,钎焊接头组织均匀、无气孔、裂纹等缺陷。
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公开(公告)号:CN113540001A
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN202110707913.7
申请日:2021-06-24
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
IPC: H01L23/488 , H01L21/48 , C22C5/08 , C22F1/14
Abstract: 一种微电子封装用可伐/银合金复合材料及其制备方法,该复合材料中银合金钎料层中Cu的含量为30~35wt%,Ti的含量为0.1~5.0wt%,Ni的含量为0.1~1.0wt%,余量为Ag;可伐合金层为4J29或4J34。制备方法包括:采用真空加压烧结方法制备钎料锭坯,通过热压扩散方式获得复合锭坯,经冷锻成形、中间退火、精密轧制及成品退火,获得厚度为0.15~1.5mm的层状复合材料,其中可伐合金层厚度为0.1~1mm,银合金钎料层厚度为0.01~0.5mm。本发明的可伐/银合金复合材料与陶瓷热膨胀系数匹配性好,可实现与陶瓷件良好封装。钎焊温度适中,封装工艺简单高效,器件封接后不易发生开裂,成品率高。
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公开(公告)号:CN107841669B
公开(公告)日:2019-12-06
申请号:CN201711085350.2
申请日:2017-11-07
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 本发明公开了一种高导热活性复合封装材料及其制备方法,属于金属基复合材料领域。该复合材料由SnAg4Ti4合金粉、铝粉和金刚石颗粒增强体组成,金刚石颗粒的体积百分数为50%‑70%,铝粉的体积百分数为25%‑49%,SnAg4Ti4合金粉的体积百分数为1%‑5%。采用真空气雾化制粉炉制备活性钎料SnAg4Ti4合金粉,机械混粉后,将混合粉放入等放电等离子烧结炉内制得金刚石/铝复合材料。烧结后复合材料的界面结合较好,致密度较高,其热导率达703W/m·K,热膨胀系数降至7.9×10‑6/K,致密度达到97.8%以上,本发明操作性强,工艺简单,可用于电子封装等领域。
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公开(公告)号:CN109465563A
公开(公告)日:2019-03-15
申请号:CN201811274103.1
申请日:2018-10-29
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 一种Al-Cu-Si-Ni-Mg-Ti-Bi铝基合金态钎料及其制备方法,该钎料由以下含量的成分组成:Cu 15~25wt%,Si 5~7wt%、Ni 1~5wt%,Mg 0.3~1.0wt%,Ti 0.05~0.2wt%,Bi 0.1~0.3wt%,Al余量,该钎料熔化温度低、钎焊工艺性好,具有良好的润湿性、焊着率和力学性能。其制备方法采用“熔铸-离心浇铸-超塑化处理-等温轧制-冷轧”的步骤,该方法简单、利于批量生产。采用该方法可制备出厚度0.03mm的箔状钎料,适合于多种铝合金构件真空钎焊及铝铜异质金属构件真空钎焊需求。
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公开(公告)号:CN117260060A
公开(公告)日:2023-12-22
申请号:CN202311373652.5
申请日:2023-10-23
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
IPC: B23K35/26 , B23K35/40 , B23K101/36
Abstract: 本发明涉及一种电子封装用低温焊料及其制备方法,属于电子封装材料技术领域。该焊料中Sn含量45‑50wt%,Ag含量1.0‑2.0wt%,Ti含量1.5‑2.5wt%,Ir含量0.05‑0.1wt%,Ga含量0‑0.5wt%,余量为Bi。采用“预合金化处理‑二次合金化‑快速凝固制带‑在线热处理‑收卷”的工艺流程制备。本发明的电子封装用低温焊料与陶瓷、石英热膨胀系数匹配性好,无需预先金属化和预置中间层即可完成钎焊,可用于直接钎焊SiO2、Al2O3等材料,封装工艺简单高效,且接头都具备良好的机械性能,器件封接后不易发生开裂,成品率高,且制备工艺流程短、有效降低生产成本。
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