公开(公告)号：CN111357117B

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN201880074284.5

申请日：2018-11-15

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 松田时宜 ,  杉本雅裕 ,  四户孝

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

公开(公告)号：CN118639211A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410285003.8

申请日：2024-03-13

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 志水诚 ,  志保浩司 ,  安藤裕之 ,  塚本直幸 ,  加藤勇次

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/44

摘要： 本发明提供量产性优异的成膜方法。该成膜方法使用金属络合物，该金属络合物在含氧气氛下、升温速度为20℃/min的热重‑差热分析中，在480℃～520℃的范围内具有放热峰。

公开(公告)号：CN110828552B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN201911118416.2

申请日：2015-07-21

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 人罗俊实 ,  织田真也 ,  高塚章夫

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L21/34 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26

摘要： 本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。

公开(公告)号：CN117795520A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202280054238.5

申请日：2022-08-03

申请人： 株式会社FLOSFIA ,  三菱重工业株式会社

发明人： 伊藤将人 ,  三竹雅也 ,  竹内健吾 ,  人罗俊实 ,  奥井富士雄

IPC分类号： G06F30/398 ,  G06F115/12

摘要： 提供一种在将高度不同的多个电子部件配置在部件内置基板内的情况下，能够在确保电子部件的选择自由度的同时，在短时间内进行高度调整的需要与否以及高度调整构件的详细设计的设计支援装置、设计支援程序以及设计支援方法。电子部件内置基板的设计支援装置具备：高度差分计算部，根据包括搭载在电子部件内置基板内的第一电子部件的高度信息的第一部件信息和包括搭载在所述电子部件内置基板内的第二电子部件的高度信息的第二部件信息，来计算第一电子部件的高度与第二电子部件的高度的差分；以及高度调整需要与否判断部，对所述差分与预先设定的基准值进行比较，来判断是否需要在所述第一电子部件和/或所述第二电子部件上配置的高度调整构件。

公开(公告)号：CN109427915B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201810972334.3

申请日：2018-08-24

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 杉本雅裕 ,  髙桥勲 ,  四户孝 ,  人罗俊实

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/12 ,  H01L21/329

摘要： 本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好的接合且半导体特性优异的半导体装置。本发明制造一种半导体装置，所述半导体装置至少包括：n型半导体层，包括第一半导体作为主要成分；i型半导体层，包括第二半导体作为主要成分；以及p型半导体层，包括第三半导体作为主要成分，第一半导体、第二半导体和第三半导体均为具有刚玉结构的氧化物半导体，将得到的半导体装置用于功率器件等。

公开(公告)号：CN109628910B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201811147185.3

申请日：2018-09-29

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 柳生慎悟 ,  佐佐木貴博 ,  渡边宜郎 ,  四户孝

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/455

摘要： 在本发明主题的第一方面中，形成膜的方法包括将至少包括第一化学元素和第二化学元素的原料转化成雾化的液滴；通过使用载气将至少包括第一化学元素和第二化学元素的雾化的液滴携带在物体上；和使雾化的液滴反应而在物体上形成至少包括第一化学元素和第二化学元素的膜。第一化学元素选自周期表的14族元素和15族元素。第二化学元素选自周期表的d区元素、13族元素和14族元素并且与第一化学元素不同。

公开(公告)号：CN115053354A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202180013128.X

申请日：2021-02-05

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 松原佑典 ,  今藤修 ,  安藤裕之 ,  竹原秀树 ,  四户孝 ,  冲川满

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24

摘要： 提供一种半导体特性及散热性优异的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件，包含层叠结构体，该层叠结构体通过在导电性基板上直接或隔着其他层层叠有氧化物半导体膜而成，所述氧化物半导体膜包括具有刚玉结构的氧化物作为主成分，所述导电性基板具有比所述氧化物半导体膜大的面积，所述半导体装置通过所述半导体元件与引线框、电路基板或散热基板利用接合部件接合而成。

公开(公告)号：CN107799584B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN201710772734.5

申请日：2017-08-31

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 德田梨绘 ,  织田真也 ,  人罗俊实

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/205 ,  C23C16/40

摘要： 本发明提供一种电特性优异的结晶性氧化物半导体膜。本发明提供一种结晶性氧化物半导体装置，以及结晶性氧化物半导膜的结晶性氧化物半导体系统。作为本发明的目的之一，提出一种结晶性氧化物半导体膜。结晶性氧化物半导体膜含有：结晶性氧化物半导体，具有刚玉结构，含有结晶性氧化物作为主成分；以及掺杂剂，结晶性氧化物半导体的电子迁移率为30cm2/Vs以上。

公开(公告)号：CN114930501A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202180008631.6

申请日：2021-01-08

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 菅野亮平 ,  今藤修 ,  则松和良 ,  加藤勇次

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

摘要： 提供一种电特性优异的导电性金属氧化膜和半导体元件。一种包含金属氧化物作为主成分的导电性金属氧化膜，所述金属氧化物至少包含选自元素周期表第4族中的第一金属和选自元素周期表第13族中的第二金属，使用该导电性金属氧化膜，制作半导体元件，由制作的半导体元件制造功率卡等半导体装置，另外，由这些半导体元件或半导体装置来构造半导体系统。

公开(公告)号：CN114503284A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202080069872.7

申请日：2020-10-02

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 今藤修

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47

摘要： 一种半导体元件，其至少包含层叠结构体，所述层叠结构体通过在由氧化物半导体膜构成的半导体层上层叠第一金属层、第二金属层和第三金属层而成，第一金属层、第二金属层和第三金属层分别由互不相同的一种或两种以上的金属构成，第一金属层和第三金属层之间配置有第二金属层，第二金属层包含Pt或/和Pd，第一金属层与所述半导体层欧姆接触。