发明授权
- 专利标题： 结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置
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申请号： CN201911118416.2申请日： 2015-07-21
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公开(公告)号： CN110828552B公开(公告)日： 2024-04-12
- 发明人: 人罗俊实 , 织田真也 , 高塚章夫
- 申请人： 株式会社FLOSFIA
- 申请人地址： 日本京都
- 专利权人： 株式会社FLOSFIA
- 当前专利权人： 株式会社FLOSFIA
- 当前专利权人地址： 日本京都
- 代理机构： 北京德琦知识产权代理有限公司
- 代理商 刁兴利; 康泉
- 主分类号： H01L29/24
- IPC分类号： H01L29/24 ; H01L21/34 ; H01L29/739 ; H01L29/778 ; H01L29/78 ; H01L29/808 ; H01L29/812 ; H01L29/872 ; H01L33/26
摘要：
本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。
公开/授权文献
- CN110828552A 结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置 公开/授权日：2020-02-21
IPC分类:
